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अफ़संद (29505)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-6TQ045HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ045HN3 0.6539
सराय
 ECAD 1122 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 6TQ045 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 600 एमवी @ 6 ए 800 µA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 400pf @ 5v, 1MHz
VS-30CTQ080S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ080S-M3 0.9065
सराय
 ECAD 2180 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 30CTQ080 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 15 ए 860 mV @ 15 ए 550 @a @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-1N2130RA Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -12130RA -
सराय
 ECAD 9512 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N2130 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.3 वी @ 188 ए 10 सना हुआ @ 150 वी -65 ° C ~ 200 ° C 60 ए -
TZM5260B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5260B-GS18 0.0303
सराय
 ECAD 3059 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5260 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 33 वी 43 वी 93 ओम
UH4PDCHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PDCHM3/86A -
सराय
 ECAD 8118 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन UH4 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 2 ए 1.05 V @ 2 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
VS-30BQ040-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30BQ040-M3/9AT 0.9500
सराय
 ECAD 18 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC 30bq040 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 3 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 230pf @ 5v, 1MHz
SS14-61HE3J_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS14-61HE3J_B/H -
सराय
 ECAD 2297 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SS14 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 1 ए 200 @a @ 40 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क -
VS-50PF160W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50PF160W 4.9245
सराय
 ECAD 6100 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर Do-203ab, do-5, s सmunt 50pf160 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS50PF160W Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.5 वी @ 125 ए -55 ° C ~ 160 ° C 50 ए -
FEP16JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fep16jthe3/45 -
सराय
 ECAD 2536 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 Fep16 तमाम To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 16 ए 1.5 वी @ 8 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
113CNQ100ASM Vishay General Semiconductor - Diodes Division 113CNQ100ASM -
सराय
 ECAD 2854 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर होल के kaytaumauth से -61-8-एसएम 113CNQ schottky -61-8-एसएम तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 55 ए 810 mV @ 55 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C
S2M-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2M-M3/52T 0.0888
सराय
 ECAD 8661 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB एस 2 एम तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.15 वी @ 1.5 ए 2 µs 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 16PF @ 4V, 1MHz
MMBZ5251C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5251C-G3-08 -
सराय
 ECAD 1369 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5251 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 29 ओम
VS-15ETH06PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06PBF -
सराय
 ECAD 8804 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 15ETH06 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.2 वी @ 15 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
SB5H90-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB5H90-E3/54 0.7500
सराय
 ECAD 7168 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SB5H90 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 800 एमवी @ 5 ए 200 µa @ 90 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
VS-16CTQ080-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080-N3 -
सराय
 ECAD 9707 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 16CTQ080 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS16CTQ080N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 8 ए 880 mV @ 16 ए 550 @a @ 80 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SS10P6-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P6-M3/86A 0.8900
सराय
 ECAD 65 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS10P6 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 550 एमवी @ 7 ए 150 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 7 ए -
VS-20CTQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ045STRRPBF -
सराय
 ECAD 1486 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 20CTQ045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 20 ए 760 mV @ 20 ए 2 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 175 ° C
VS-301CNQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-301CNQ040PBF 50.4860
सराय
 ECAD 5696 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला To-244ab 301CNQ040 schottky To-244ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS301CNQ040PBF Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 150A 900 mV @ 300 ए 10 सना हुआ @ 40 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TLZ3V6B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ3V6B-GS18 0.0335
सराय
 ECAD 5834 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Tlz3v6 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
VS-VSHD320CW40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSHD320CW40 -
सराय
 ECAD 9730 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® थोक शिर अँगुला To-244ab Vshd320 तमाम To-244ab - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSHD320CW40 Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 160A 1.5 वी @ 360 ए 74 एनएस 1.28 vana @ 400 वी -55 ° C ~ 175 ° C
VS-88HF40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88HF40 9.0122
सराय
 ECAD 1034 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 88HF40 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS88HF40 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 267 ए -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
SMZJ3792B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3792B-E3/5B 0.1546
सराय
 ECAD 1157 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3792 1.5 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 9.9 V 13 वी 7.5 ओम
VS-HFA60FA120P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA60FA120P -
सराय
 ECAD 6679 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® शिर शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस HFA60 तमाम एसओटी -227 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Vshfa60fa120p Ear99 8541.10.0080 180 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 1200 वी 30 ए (डीसी) 3 वी @ 30 ए 123 एनएस 75 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-25CTQ035S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25CTQ035S-M3 0.8993
सराय
 ECAD 9388 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 25CTQ035 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 15 ए 560 mV @ 15 ए 1.75 पायल @ 35 वें -55 ° C ~ 150 ° C
VS-305UA160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-305UA160 -
सराय
 ECAD 6941 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर 305UA160 तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8541.10.0080 12
BZX384C2V4-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C2V4-G3-08 0.0389
सराय
 ECAD 7087 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C2V4 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 50 µa @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
50WQ06FNTR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50WQ06FNTR -
सराय
 ECAD 3974 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 50WQ06 schottky डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 570 mV @ 5 ए 3 सना हुआ @ 60 वी -40 ° C ~ 150 ° C 5.5 ए 360pf @ 5v, 1MHz
SMZJ3788BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3788BHE3/5B -
सराय
 ECAD 3737 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB Smzj37 1.5 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 50 µa @ 7 V 9.1 वी 4 ओम
ZMM5240B-13 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5240B-13 -
सराय
 ECAD 9350 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213aa ZMM52 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) ZMM5240B-13GI Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 3 µa @ 8 V 10 वी 17 ओम
MMBZ5238C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5238C-G3-18 -
सराय
 ECAD 5009 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5238 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 3 µA @ 6.5 V 8.7 वी 8 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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