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सियार (17132)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग
CGA3E2X7R1H222M080AE TDK Corporation CGA3E2X7R1H2222222222222222222222222222 0.0316
सराय
 ECAD 1679 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X7R - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E2X7R1H22222MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E2X7R1H473M080AE TDK Corporation CGA3E2X7R1H473M080AE 0.0378
सराय
 ECAD 4315 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X7R - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E2X7R1H473MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E2X8R1H102M080AE TDK Corporation CGA3E2X8R1H102M080AE 0.0378
सराय
 ECAD 2224 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E2X8R1H102MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E2X8R1H103M080AE TDK Corporation CGA3E2X8R1H103M080AE 0.0410
सराय
 ECAD 4962 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E2X8R1H103MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E2X8R1H222M080AE TDK Corporation CGA3E2X8R1H2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 0.0378
सराय
 ECAD 7530 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E2X8R1H22222MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E2X8R1H332M080AE TDK Corporation CGA3E2X8R1H332M080AE 0.0429
सराय
 ECAD 3381 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 3300 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E2X8R1H332MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E2X8R2A152M080AE TDK Corporation CGA3E2X8R2A152M080AE 0.0484
सराय
 ECAD 1083 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 1500 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E2X8R2A152MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E2X8R2A153K080AE TDK Corporation CGA3E2X8R2A153K080AE 0.0570
सराय
 ECAD 1550 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0.015 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E2X8R2A153KT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E2X8R2A472M080AE TDK Corporation CGA3E2X8R2A472M080AE 0.0504
सराय
 ECAD 3316 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E2X8R2A472MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E2X8R2A682K080AE TDK Corporation CGA3E2X8R2A682K080AE 0.0528
सराय
 ECAD 4950 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 6800 पीएफ ± 10% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E2X8R2A682KT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E3X7S1A225M080AE TDK Corporation CGA3E3X7S1A225M080AE 0.0598
सराय
 ECAD 7242 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 20% 10V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X7S - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E3X7S1A225MT000S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E3X7S2A473M080AE TDK Corporation CGA3E3X7S2A473M080AE 0.0699
सराय
 ECAD 3131 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X7S - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E3X7S2A473MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA3E3X8R1H683M080AE TDK Corporation CGA3E3X8R1H683M080AE 0.0529
सराय
 ECAD 6606 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0.068 µf ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X8r - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA3E3X8R1H683MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA4F2X7R2A222M085AE TDK Corporation CGA4F2X7R2222222222222222222222222222222 0.0486
सराय
 ECAD 1821 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X7R - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4F2X7R2A22222MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA4F2X7R2A472M085AE TDK Corporation CGA4F2X7R2A472M085AE 0.0486
सराय
 ECAD 8011 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X7R - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4F2X7R2A472MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA4F3X7R2E102M085AE TDK Corporation CGA4F3X7R2E102M085AE 0.0504
सराय
 ECAD 8626 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 20% 250V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X7R - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4F3X7R2E102MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 4,000
CGA4J2X7R2A473M125AE TDK Corporation CGA4J2X7R2A473M125AE 0.0714
सराय
 ECAD 6632 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X7R - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4J2X7R2A473MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA4J2X8R1E224M125AE TDK Corporation CGA4J2X8R1E224M125AE 0.0756
सराय
 ECAD 4727 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 20% 25V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X8r - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4J2X8R1E224MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA4J2X8R2A223K125AE TDK Corporation CGA4J2X8R2A223K125AE 0.0756
सराय
 ECAD 6836 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X8r - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4J2X8R2A223KT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA4J3X7R1V105M125AE TDK Corporation CGA4J3X7R1V105M125AE 0.0970
सराय
 ECAD 6996 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 20% 35V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X7R - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4J3X7R1V105MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA4J3X8R1C684K125AE TDK Corporation CGA4J3X8R1C684K125AE 0.1210
सराय
 ECAD 6713 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.68 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X8r - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4J3X8R1C684KT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA4J3X8R1E474M125AE TDK Corporation CGA4J3X8R1E474M125AE 0.1247
सराय
 ECAD 4236 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 20% 25V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X8r - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4J3X8R1E474MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA4J3X8R1H154M125AE TDK Corporation CGA4J3X8R1H154M125AE 0.1021
सराय
 ECAD 2345 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.15 µf ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X8r - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4J3X8R1H154MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA4J3X8R2A473M125AE TDK Corporation CGA4J3X8R2A473M125AE 0.0907
सराय
 ECAD 9879 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X8r - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4J3X8R2A473MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA4J3X8R2A683K125AE TDK Corporation CGA4J3X8R2A683K125AE 0.1040
सराय
 ECAD 9340 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.068 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X8r - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA4J3X8R2A683KT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA5H2X7R2A224M115AE TDK Corporation CGA5H2X7R2A224M115AE 0.1210
सराय
 ECAD 6752 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) अणु X7R - 0.051 "(1.30 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA5H2X7R2A224MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA5H3X7R2E223K115AE TDK Corporation CGA5H3X7R2E223K115AE 0.0936
सराय
 ECAD 6919 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 250V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) अणु X7R - 0.051 "(1.30 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA5H3X7R2E223KT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA5L2X8R1E105M160AE TDK Corporation CGA5L2X8R1E105M160AE 0.1210
सराय
 ECAD 8916 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 20% 25V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) अणु X8r - 0.075 "(1.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA5L2X8R1E105MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA5L3X8R2A224K160AE TDK Corporation CGA5L3X8R2A224K160AE 0.6400
सराय
 ECAD 5645 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) अणु X8r - 0.075 "(1.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CGA5L3X8R2A224M160AE TDK Corporation CGA5L3X8R2A224M160AE 0.1848
सराय
 ECAD 3357 0.00000000 अफ़सतर सीजीए R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) अणु X8r - 0.075 "(1.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम CGA5L3X8R2A224MT0Y0S Ear99 8532.24.0020 2,000
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    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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