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सरायम - ए गेट ड rasirauraurauraur
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HCPL-3100-500E | - |  | 8545 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 8-एसएमडी, गूल विंग | ऑपmuth युग | एक प्रकार का होना | 1 | 8-गूल गूल विंग | तंग | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 600ma | 200NS, 200NS | 1.2V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 15kv/µs | 2, 2, एस | - | 15V ~ 30V | ||||
 | SI8233AB-D-IMR | 5.7000 | | 11 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीएफएलजीए | SI8233 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-((5x5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||
 | SI8285DD-ASR | 3.3088 | | 3019 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8285 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8285DD-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 14V ~ 30V | ||||||
 | SI8230AD-B-IS | - | | 6004 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
 | Fod8333 | 9.0800 | | 7850 | 0.00000000 | Onsemi | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | Fod833 | ऑपmuth युग | यूएल | 1 | 16- | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2.5 ए, 2.5 ए | 3 ए | 50ns, 50ns | 1.45V | २५ सना हुआ | 4243VRMS | 35kv/µs | 250NS, 250NS | 100NS | 3V ~ 15V | ||
 | SI8261BBC-C-IS | 3.3700 | | 192 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8261 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | 500ma, 1.2a | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 3750VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 9.4V ~ 30V | ||||
| SI8286CC-ISR | 3.9600 | | 7 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8286 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 3750VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 13.2V ~ 30V | |||||
 | FOD8342TR2 | - | | 4247 | 0.00000000 | सराय | - | थोक | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) | ऑपmuth युग | एक प्रकार का होना | 1 | 6-सेप | तंग | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 2.5 ए, 2.5 ए | 3 ए | 38NS, 24NS | 1.5V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 20kv/µs | 210NS, 210NS | 65NS | 10v ~ 30V | ||||||
 | 1EDI60I12AHXUMA1 | 4.0900 | | 66 | 0.00000000 | इंफीनन टेक | Eicedriver ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | 1edi60 | चुंबकीय युग | 1 | पीजी-पीजी -8-59 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 10NS, 9NS | - | - | - | 13V ~ 35V | |||||||
 | SI8274GA1D-IM1 | 3.3029 | | 4049 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | शिर | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8274 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-((5x5) | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI8274GA1D-IM1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 490 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 1000VRMS | 200kv/OFS | 105NS, 75NS | 47NS | 4.2V ~ 30V | ||||
| SI82394BD4-AS | 6.4600 | | 3452 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82394BD4-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||
| SI8261ACC-C-ISR | 1.6350 | | 3105 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8261 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 400ma, 600ma | 600ma | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 3750VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 13.5V ~ 30V | ||||
 | SI82391CD-IS3 | 6.8000 | | 6 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82391 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | रोहस अफ़मार | 3 (168 घंटे) | 336-SI82391CD-IS3 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 40ns, 40ns | 5.6NS | 12.8v ~ 24v | |||
| SI82398AD4-IS3R | 3.6300 | | 1026 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82398 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | रोहस अफ़मार | 336-SI82398AD4-IS3RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||
 | UCC23513BQDWYRQ1 | 2.6800 | | 6418 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | UCC23513 | कैपेसिटिव युग | उल, vde | 1 | 6-हुक | - | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 850 | 3 ए, 3.5 ए | 4.5a, 5.3a | 28NS, 25NS (अधिकतम) | 2.1V | २५ सना हुआ | 5700VRMS | 150kv/µs | 105NS, 105NS | 35NS | 10v ~ 33V | |||
 | SI8235AC-D-IS1 | 5.5300 | | 19 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8235 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-SI8235AC-D-IS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||
 | NCV57090CDWR2G | 1.7066 | | 2547 | 0.00000000 | Onsemi | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | NCV57090 | कैपेसिटिव युग | वीडीई | 1 | 8-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 6.5a, 6.5a | 6.5 ए | 13NS, 13NS | - | 5000VRMS | 100kv/µs | 90NS, 90NS | - | 0V ~ 32V | |||
 | ACPL-333J-500E | 6.8300 | | 3856 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | ACPL-333 | ऑपmuth युग | सीएसए, आईईसी/एन/दीन, ther | 1 | 16- | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 850 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 50ns, 50ns | 1.6V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 15kv/µs | 250NS, 250NS | 100NS | 15V ~ 30V | ||
 | SI8273ABD-IS1R | 5.5300 | | 9 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8273 | Rayr युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.6V ~ 30V | |||||
 | ADUM4221-2CRIZ | 8.3500 | | 102 | 0.00000000 | तंग | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | Adum4221 | चुंबकीय युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 37 | - | 4 ए | 25NS, 30NS | - | 5700VRMS | 150kv/µs | 33NS, 44NS | 16NS | 4.5V ~ 35V | |||
| TLP700HF (एफ) | - | | 1981 | 0.00000000 | तमाम | - | थोक | तंग | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) | ऑपmuth युग | CSA, CUL, UL, VDE | 2 | 6-एसडीआईपी | तंग | 264-TLP700HF (एफ) | 1 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 15NS, 8NS | 1.55V | २० सना हुआ | 5000VRMS | 20kv/µs | 500NS, 500NS | 250NS | 15V ~ 30V | |||||||
 | SI8261BAD-C-IS | 4.4900 | | 13 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8261 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 6-गूल गूल विंग | तंग | 3 (168 घंटे) | -Si8261bad-c | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 500ma, 1.2a | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 6.5V ~ 30V | |||
 | UCC21710DW | 7.0000 | | 4 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | UCC21710 | कैपेसिटिव युग | उल, vde | 1 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | तमाम | 296-UCC21710DW | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | 10 ए, 10 ए | 10 ए | 33NS, 27NS | - | 5700VRMS | 150V/ns | 130NS, 130NS | 30ns | 13V ~ 33V | ||
 | TLP5752H (TP4, ई | 1.9500 | | 15 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | TLP5752 | ऑपmuth युग | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6- | तंग | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 2.5 ए, 2.5 ए | 2.5a | 15NS, 8NS | 1.55V | २० सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 150NS, 150NS | 50NS | 15V ~ 30V | ||||
| Fod8342ar2 | 3.1600 | | 6079 | 0.00000000 | Onsemi | * | R टेप ray ryील (ther) | शिर | - | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
| SI8274BB4D-IS1R | 2.6463 | | 2499 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8274 | Rayr युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 105NS, 75NS | 47NS | 4.2V ~ 30V | ||||
| SI8238BB-AS1R | 3.5400 | | 6866 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8238BB-AS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||
| NCD57090ADWR2G | 3.0900 | | 79 | 0.00000000 | Onsemi | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | NCD57090 | कैपेसिटिव युग | वीडीई | 1 | 8-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 6.5a, 6.5a | 6.5 ए | 13NS, 13NS | - | 5000VRMS | 100kv/µs | 90NS, 90NS | - | 0V ~ 32V | |||
| SI82398CD4-IS3R | 3.6300 | | 6401 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82398 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | रोहस अफ़मार | 336-SI82398CD4-IS3RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 12.8v ~ 24v | ||||
 | SID1182KQ-TL | 9.4700 | | 1 | 0.00000000 | बिजली एकीकरण | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SAUT-इड-TRURYRURRUIR ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-rirchi | SID1182 | चुंबकीय युग | - | 1 | ईएसओपी-rir 16 बी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3.6 ए, 4 ए | 8 ए | 150NS, 150NS | - | 5000VRMS | 50kv/thass | 340NS, 330NS | - | 22v ~ 28v |
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