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सियार (144)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | तमाम | कसना | कांप -रन | सरायना | शिर | सराय | तमाम | सवार | तमाम | तमाम | कन (अधिकतम) | तंग | रत्य | अफ़सीर | तंग |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | XQH06N1R5B | 0.8200 |  | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 1.5 पीएफ | ± 0.1pf | 250V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU | अणु, एमएलसीसी | ०६०३ (१६० of सोरक) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.034 "(0.87 मिमी) | तंग | 4706-XQH06N1R5BTR | 1 | ||
| XQS11N180G | 6.4800 | | 100 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 18 पीएफ | ± 2% | 500V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.110 "एल x 0.110" डब9 (2.79 मिमी x 2.79 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | 1111 (2828 कनर) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.070 "(1.78 मिमी) | तंग | 4706-XQS11N180GTR | 1 | ||
| XQH05N5R6B | 2.4000 | | 100 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 5.6 पीएफ | ± 0.1pf | 250V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.055 "एल x 0.055" डबthutum (1.40 मिमी x 1.40 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०५०५ (१३१३ सटरी) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.051 "(1.30 मिमी) | तंग | Rohs3 आजthabaira | 4706-XQH05N5R6BTR | 1 | |
| XQH05N4R7B | 2.4000 | | 100 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 4.7 पीएफ | ± 0.1pf | 250V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.055 "एल x 0.055" डबthutum (1.40 मिमी x 1.40 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०५०५ (१३१३ सटरी) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.051 "(1.30 मिमी) | तंग | 4706-XQH05N4R7BTR | 1 | ||
| XQG04N0R6B | 0.1400 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 0.6 पीएफ | ± 0.1pf | 50 वी | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०४०२ | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.022 "(0.55 मिमी) | तंग | 4706-XQG04N0R6BTR | 1 | ||
| XQH05N470J | 2.6400 | | 100 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 47 पीएफ | ± 5% | 250V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.055 "एल x 0.055" डबthutum (1.40 मिमी x 1.40 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०५०५ (१३१३ सटरी) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.051 "(1.30 मिमी) | तंग | 4706-XQH05N470JTR | 1 | ||
| XQG02N0R8B | 0.1400 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 0.8 पीएफ | ± 0.1pf | 50 वी | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०२०१ (०६०३ सटरी) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.013 "(0.33 मिमी) | तंग | 4706-XQG02N0R8BTR | 1 | ||
 | XQH06N120J | 1.4400 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 12 पीएफ | ± 5% | 250V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU | अणु, एमएलसीसी | ०६०३ (१६० of सोरक) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.034 "(0.87 मिमी) | तंग | 4706-XQH06N120JTR | 1 | ||
| XQS11N5R6B | 4.8000 | | 100 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 5.6 पीएफ | ± 0.1pf | 500V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.110 "एल x 0.110" डब9 (2.79 मिमी x 2.79 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | 1111 (2828 कनर) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.070 "(1.78 मिमी) | तंग | 4706-XQS11N5R6BTR | 1 | ||
| XQG04N8R2C | 0.0700 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 8.2 पीएफ | ± 0.25pf | 50 वी | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०४०२ | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.022 "(0.55 मिमी) | तंग | 4706-XQG04N8R2CTR | 1 | ||
| XQG04N270J | 0.1900 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 27 पीएफ | ± 5% | 50 वी | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०४०२ | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.022 "(0.55 मिमी) | तंग | 4706-XQG04N270JTR | 1 | ||
| XQL02N180J | 0.1000 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 18 पीएफ | ± 5% | 25V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०२०१ (०६०३ सटरी) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.013 "(0.33 मिमी) | तंग | 4706-XQL02N180JTR | 1 | ||
| XQG02N150J | 0.1000 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 15 पीएफ | ± 5% | 50 वी | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०२०१ (०६०३ सटरी) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.013 "(0.33 मिमी) | तंग | 4706-XQG02N150JTR | 1 | ||
| XQS11N102J | - | | 7613 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 1000 पीएफ | ± 5% | 500V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.110 "एल x 0.110" डब9 (2.79 मिमी x 2.79 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | 1111 (2828 कनर) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.070 "(1.78 मिमी) | तंग | 4706-XQS11N102JTR | 1 | ||
| XQG04N1R0B | 0.0800 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 1 पीएफ | ± 0.1pf | 50 वी | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०४०२ | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.022 "(0.55 मिमी) | तंग | 4706-XQG04N1R0BTR | 1 | ||
| XQG02N4R0B | 0.1400 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 4 पीएफ | ± 0.1pf | 50 वी | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०२०१ (०६०३ सटरी) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.013 "(0.33 मिमी) | तंग | 4706-XQG02N4R0BTR | 1 | ||
| XQG04N3R0B | 0.0800 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 3 पीएफ | ± 0.1pf | 50 वी | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०४०२ | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.022 "(0.55 मिमी) | तंग | 4706-XQG04N3R0BTR | 1 | ||
| XQH06N4R7B | 0.8200 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 4.7 पीएफ | ± 0.1pf | 250V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU | अणु, एमएलसीसी | ०६०३ (१६० of सोरक) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.034 "(0.87 मिमी) | तंग | 4706-XQH06N4R7BTR | 1 | ||
| XQH06N5R0C | 0.8200 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 5 पीएफ | ± 0.25pf | 250V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU | अणु, एमएलसीसी | ०६०३ (१६० of सोरक) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.034 "(0.87 मिमी) | तंग | 4706-XQH06N5R0CTR | 1 | ||
| XQS11N3R9B | 4.8000 | | 100 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 3.9 पीएफ | ± 0.1pf | 500V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.110 "एल x 0.110" डब9 (2.79 मिमी x 2.79 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | 1111 (2828 कनर) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.070 "(1.78 मिमी) | तंग | 4706-XQS11N3R9BTR | 1 | ||
| XQS11N820J | 4.3200 | | 100 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 82 पीएफ | ± 5% | 500V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.110 "एल x 0.110" डब9 (2.79 मिमी x 2.79 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | 1111 (2828 कनर) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.070 "(1.78 मिमी) | तंग | 4706-XQS11N820JTR | 1 | ||
| XQS11N680J | 4.3200 | | 100 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 68 पीएफ | ± 5% | 500V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.110 "एल x 0.110" डब9 (2.79 मिमी x 2.79 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | 1111 (2828 कनर) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.070 "(1.78 मिमी) | तंग | 4706-XQS11N680JTR | 1 | ||
| XQG04N0R2B | 0.1400 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 0.2 पीएफ | ± 0.1pf | 50 वी | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) | अणु, एमएलसीसी | ०४०२ | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.022 "(0.55 मिमी) | तंग | 4706-XQG04N0R2BTR | 1 | ||
| XQH06N3R0B | 0.8200 | | 50 | 0.00000000 | सरायना | शिलालेख | R टेप ray ryील (ther) | शिर | 3 पीएफ | ± 0.1pf | 250V | -55 ° C ~ 125 ° C | सियार, तंग, अफ़म | 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU | अणु, एमएलसीसी | ०६०३ (१६० of सोरक) | उचmuth क | C0G, NP0 | 0.034 "(0.87 मिमी) | तंग | 4706-XQH06N3R0BTR | 1 |
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