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100B6R2BT500XT1K	7.6100	सराय	1	Thir तकनीकी तकनीकी सि	मिट मिटthut के के rurतन rurचिप® एटीसी 100 बी	R टेप ray ryील (ther)	शिर	6.2 पीएफ	± 0.1pf	500V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	आri, vamauthirोवेव, s उचmun आवृत kth,	-	0.110 "एल x 0.110" डब9 (2.79 मिमी x 2.79 मिमी)	-	अणु, एमएलसीसी	1111 (2828 कनर)	उचthaus lect, कम rana, कम ईएसएल ईएसएल	पी 90	-	0.102 ”(2.59 मिमी)	-	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	Ear99	8532.24.0020	500
600L1R0BT200T	1.0900	सराय	31	Thir तकनीकी तकनीकी सि	एटीसी 600L	R टेप ray ryील (ther)	शिर	1 पीएफ	± 0.1pf	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	आri, vamauthirोवेव, s उचmun आवृत kth,	-	0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी)	-	अणु, एमएलसीसी	०४०२	उचth -lecu, कम rana, अलthauradaura	C0G, NP0		0.024 "(0.60 मिमी)	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	Ear99	8532.24.0020	4,000
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116RK101M100TT	1.4126	सराय	600	Thir तकनीकी तकनीकी सि	एटीसी 116	शिर	शिर	100 पीएफ	± 20%	100V	-	-	तमाम	-	0.015 "एल X 0.015" PARCAUTHU	-	अणु, एमएलसीसी	सराय -तन	-	-	-	0.012 "(0.30 मिमी)	-	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	Ear99	8532.24.0020	100
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100B221JW200XT1K	7.3200	सराय	5	Thir तकनीकी तकनीकी सि	मिट मिटthut के के rurतन rurचिप® एटीसी 100 बी	R टेप ray ryील (ther)	शिर	220 पीएफ	± 5%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	आri, vamauthirोवेव, s उचmun आवृत kth,	-	0.110 "एल x 0.110" डब9 (2.79 मिमी x 2.79 मिमी)	-	अणु, एमएलसीसी	1111 (2828 कनर)	उचthaus lect, कम rana, कम ईएसएल ईएसएल	पी 90	-	0.102 ”(2.59 मिमी)	-	तंग	रोहस	1 (असीमित)	Ear99	8532.24.0020	500
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