SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
EMCP500G221M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500G221M1GV001T 0.0860
सराय
ECAD 4953 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCP500W221M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500W221M1GV001T 0.0740
सराय
ECAD 3178 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCT101W222M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT101W222M1GV001E 0.3600
सराय
ECAD 13 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCT500W153M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT500W153M1GV001E 0.4300
सराय
ECAD 2 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.015 µf ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCT500W223M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT500W223M1GV001E 0.4200
सराय
ECAD 4 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
SCDP302G680J4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302G680J4GV001E 0.9000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 68 पीएफ ± 5% 250V -55 ° C ~ 125 ° C X2 सराय - 0.189 "एल X 0.080" PARCAUTUN (4.80 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - C0G, NP0 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
SCDP302W331K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302W331K4GV001E 0.8300
सराय
ECAD 7 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X2 सराय - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - SCDP302 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
SCDP502W331K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP502W331K4GV001E 1.3473
सराय
ECAD 3353 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X1, Y2 सराय - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - SCDP502 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDD501G151J1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD501G151J1GV001E 0.2300
सराय
ECAD 501 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 पीएफ ± 5% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल C0G, NP0 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VBDD501W331K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VBD501W331K1GV001E 0.5100
सराय
ECAD 10 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VBDD501 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD501W222K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD501W222K1GV001E 0.6700
सराय
ECAD 15 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDR102W103M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR102W103M1GV001E 0.6100
सराय
ECAD 3 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 20% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR102 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPDD202G220K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202G220K1GV001E 1.4400
सराय
ECAD 8 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 22 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD202 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD202G330J1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202G330J1GV001E 0.6900
सराय
ECAD 29 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 33 पीएफ ± 5% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD202 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDR202W103M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR202W103M1GV001E 3.1200
सराय
ECAD 2 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 20% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR202 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
RLMK501W126K3QN003B Johanson Dielectrics Inc. RLMK501W126K3QN003B 92.8300
सराय
ECAD 300 0.00000000 तंगता एच थोक शिर 12 µf ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 1.375 "(34.92 मिमी) 1.449 "एल X 0.320" डब extum (36.80 मिमी x 8.13 मिमी) 0.770 "(19.57 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न - X7R - - कसना - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
SCDP302W681K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302W681K4GV001E 0.7700
सराय
ECAD 23 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X2 सराय - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - SCDP302 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDR302W151K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR302W151K1GF001E -
सराय
ECAD 8940 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 150 पीएफ ± 10% 3000V (3KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDR302 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
SCDP302W471M4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302W471M4GV001E 0.5200
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 20% 250V -55 ° C ~ 125 ° C X2 सराय - 0.189 "एल X 0.080" PARCAUTUN (4.80 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - X7R 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TCDR100X476M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDR100X476M1GV001E -
सराय
ECAD 9711 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 47 µf ± 20% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.175 "एल X 0.125" डबthutum (4.45 मिमी x 3.17 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) - X5R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
EMCT101W102M1GV001B Johanson Dielectrics Inc. EMCT101W102M1GV001B -
सराय
ECAD 2450 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1
TDCF500G330J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G330J1GV001T 0.1000
सराय
ECAD 100 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 33 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
VPDD102W101K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD102W101K1GV001E 0.3500
सराय
ECAD 43 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल Vpdd102 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD501W472K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501W472K1GV001E 0.0751
सराय
ECAD 7302 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 2700 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - - - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल X7R 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
RLDM202G500J3QN001B Johanson Dielectrics Inc. RLDM202G500J3QN001B -
सराय
ECAD 8619 0.00000000 तंगता - थोक शिर 50 पीएफ ± 5% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.170 "(4.32 मिमी) 0.250 "एल x 0.270" डबmuthut (6.35 मिमी x 6.86 मिमी) 0.222 "(5.64 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल C0G, NP0 - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
EMDR101W474M1GF001E Johanson Dielectrics Inc. EMDR101W474M1GF001E -
सराय
ECAD 4923 0.00000000 तंगता X2Y® PERCANE® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सवार - 0.174 "एल X 0.125" डबthutum (4.42 मिमी x 3.18 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) कम ईएसएल (x2y), rayr म X7R 0.090 "(2.29 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
EMCP101G100M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP101G100M1GV001T 0.3600
सराय
ECAD 11 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCF500G4R7C1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G4R7C1GV001T 0.0110
सराय
ECAD 8775 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
M1EM501W104K3J1001F Johanson Dielectrics Inc. M1EM501W104K3J1001F -
सराय
ECAD 3390 0.00000000 तंगता पी शिर Sic में बंद r क rur kay 0.1 µf ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - सियार, तंग, अफ़म - 0.250 "एल X 0.190" डबthuthut (6.34 मिमी x 4.83 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 6-स उचmun कthu, कम rana, उचthun वोल e वोल X7R 0.185 "(4.70 मिमी) जे-जे तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10
TDCF500G100J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G100J1GV001T 0.0127
सराय
ECAD 9546 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम