SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराय सींग
CL31B225KCHZNWE Samsung Electro-Mechanics CL31B225KCHZNWE 0.7000
सराय
ECAD 45 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21B104KCFWPJE Samsung Electro-Mechanics CL21B104KCFWPJE -
सराय
ECAD 4993 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0.1 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) तंग X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21B224KCQVPNE Samsung Electro-Mechanics CL21B224KCQVPNE -
सराय
ECAD 8946 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0.22 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.055 "(1.40 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10B473KC8VPJC Samsung Electro-Mechanics CL10B473KC8VPJC 0.0332
सराय
ECAD 5361 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10B103KC8WPJL Samsung Electro-Mechanics CL10B103KC8WPJL 0.1800
सराय
ECAD 381 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) तंग X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 15,000
CL10C820JB81PND Samsung Electro-Mechanics CL10C820JB81PND 0.1000
सराय
ECAD 157 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 82 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05B682KB5VPNC Samsung Electro-Mechanics CL05B682KB5VPNC 0.1000
सराय
ECAD 313 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 6800 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10B104KB8WPNL Samsung Electro-Mechanics CL10B104KB8WPNL 0.0078
सराय
ECAD 6662 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) तंग X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 15,000
CL21B105KOFVPJE Samsung Electro-Mechanics CL21B105KOFVPJE -
सराय
ECAD 6092 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 1 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10B472KB8WPJC Samsung Electro-Mechanics CL10B472KB8WPJC -
सराय
ECAD 2863 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 4700 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) तंग X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21B225KPFVPNE Samsung Electro-Mechanics CL21B225KPFVPNE 0.2700
सराय
ECAD 144 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21Y106KQQVPNE Samsung Electro-Mechanics CL21Y106KQQVPNE 0.3000
सराय
ECAD 31 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7S - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL05Y224KP5VPNC Samsung Electro-Mechanics CL05Y224KP5VPNC 0.1100
सराय
ECAD 57 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7S - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1276-CL05Y224KP5VPNCTR Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05Y474KP5VPNC Samsung Electro-Mechanics CL05Y474KP5VPNC 0.1300
सराय
ECAD 75 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7S - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1276-CL05Y474KP5VPNCTR Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05C101JB51PND Samsung Electro-Mechanics CL05C101JB51PND 0.0107
सराय
ECAD 6412 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 50,000
CL21F105ZAFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL21F105ZAFNNNE -
सराय
ECAD 1775 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf -20%, +80% 25V -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - Y5v (f) - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL31F104ZACNBNC Samsung Electro-Mechanics CL31F104ZACNBNC -
सराय
ECAD 8452 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 औरf -20%, +80% 25 वी - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) Y5v (f) १२०६ (३२१६ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000 चीनी मिट तमाम 4
CL10F473ZB8NNND Samsung Electro-Mechanics CL10F473ZB8ND -
सराय
ECAD 1757 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf -20%, +80% 50 वी -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - Y5v (f) - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10C621JB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10C621JB8NNNC -
सराय
ECAD 8045 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 620 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21B225KAFNNWE Samsung Electro-Mechanics CL21B225KAFNNNNWE 0.2500
सराय
ECAD 899 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10C150JB8NFNC Samsung Electro-Mechanics CL10C150JB8NFNC -
सराय
ECAD 1424 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 15 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL02A224MQ2NNNC Samsung Electro-Mechanics CL02A224MQ2NNNC 0.1900
सराय
ECAD 239 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०१००५ (०४०२ सटेर) - X5R - 0.009 "(0.22 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 20,000
CL10C241JB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10C241JB8NNNC 0.1700
सराय
ECAD 51 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 240 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL05A475MP5NRNC Samsung Electro-Mechanics CL05A475MP5NRNC 0.1000
सराय
ECAD 865 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 20% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X5R - 0.026 "(0.65 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL03A105MR3CSNH Samsung Electro-Mechanics CL03A105MR3CSNH 0.0144
सराय
ECAD 9560 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 20% 4V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - X5R - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 15,000
CL05C100DB5NNND Samsung Electro-Mechanics CL05C100DB5ND -
सराय
ECAD 2438 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 0.5pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 50,000
CL31C300JBCNNNC Samsung Electro-Mechanics CL31C300JBCNNNC -
सराय
ECAD 2891 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 30 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21F106ZPFNNNG Samsung Electro-Mechanics CL21F106ZPFNNNG -
सराय
ECAD 4988 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf -20%, +80% 10V -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - Y5v (f) - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
CL21B223JBANNNC Samsung Electro-Mechanics CL21B223JBANNNC 0.1000
सराय
ECAD 357 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.030 "(0.75 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL31B123JBCNNNC Samsung Electro-Mechanics CL31B123JBCNNNC -
सराय
ECAD 7443 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.012 µf ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम