SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन R ईएसआrir (t समककturadadaurauraurauraur) Sabasapak @ टेम सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़वाह तमाम सराय सींग
CL21B472JBANNND Samsung Electro-Mechanics CL21B472JBANNND -
सराय
ECAD 1781 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.030 "(0.75 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10Y225KA96PNC Samsung Electro-Mechanics CL10Y225KA96PNC 0.2700
सराय
ECAD 3738 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7S - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10B392KB8NNND Samsung Electro-Mechanics CL10B392KB8ND -
सराय
ECAD 8822 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 3900 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL32Y475KCVZW6E Samsung Electro-Mechanics CL32Y475KCVZW6E -
सराय
ECAD 2387 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) अणु X7S - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
CL21B475KOQVPJE Samsung Electro-Mechanics CL21B475KOQVPJE 0.0677
सराय
ECAD 3296 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X7R - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL32B473KDHNNNE Samsung Electro-Mechanics CL32B473KDHNNNE -
सराय
ECAD 6876 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 200V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X7R - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL31A106MQHNNNF Samsung Electro-Mechanics CL31A106MQHNNNF -
सराय
ECAD 7184 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X5R - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 8,000
CL21C180GBANNNC Samsung Electro-Mechanics CL21C180GBANNNC -
सराय
ECAD 9041 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 18 पीएफ ± 2% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.030 "(0.75 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10B104JB8NNND Samsung Electro-Mechanics CL10B104JB8ND 0.0051
सराय
ECAD 7401 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1276-CL10B104JB8NDTR Ear99 8532.24.0020 10,000
CL32C103GBFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL32C103GBFNNNE -
सराय
ECAD 1686 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 2% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - C0G, NP0 - 0.057 "(1.45 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL05C010CB51PNC Samsung Electro-Mechanics CL05C010CB51PNC 0.1100
सराय
ECAD 100 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05C330JB5NCNC Samsung Electro-Mechanics CL05C330JB5NCNC -
सराय
ECAD 5008 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 33 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TCPCF38105MNAR0500 Samsung Electro-Mechanics TCPCF38105MNAR0500 -
सराय
ECAD 4559 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक पीसीएफ R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 1 µf ± 20% 500mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) - तमाम - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 4,000 एन
CL31C030CBCNNNC Samsung Electro-Mechanics CL31C030CBCNNNC -
सराय
ECAD 1031 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 3 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10B102KC8WPJC Samsung Electro-Mechanics CL10B102KC8WPJC 0.0245
सराय
ECAD 3382 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) तंग X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10B154KO8NNND Samsung Electro-Mechanics CL10B154KO8ND 0.0057
सराय
ECAD 2073 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.15 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1276-CL10B154KO8NDTR Ear99 8532.24.0020 10,000
CL31B102KDCNNNC Samsung Electro-Mechanics CL31B102KDCNNNC 0.1900
सराय
ECAD 114 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 200V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21B225KPFNNNF Samsung Electro-Mechanics CL21B225KPFNNNF 0.0115
सराय
ECAD 4028 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - - 1 (असीमित) तमाम 1276-CL21B225KPFNNNFTR Ear99 8532.24.0020 10,000
CL14A105MO8NANC Samsung Electro-Mechanics CL14A105MO8NANC -
सराय
ECAD 8340 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1μf ± 20% 16 वी - 0.054 "एल X 0.039" डबthutum (1.37 मिमी x 1.00 मिमी) 0.035 "(0.88 मिमी) सतह rurcur ०५०४ (१४१० सटेर) X5R ०४०५ (१०१२ सवार) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000 चीनी मिट तमाम 2
CL10B682KB8NFNC Samsung Electro-Mechanics CL10B682KB8NFNC -
सराय
ECAD 9495 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 6800 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21C120JB61PNC Samsung Electro-Mechanics CL21C120JB61PNC 0.0136
सराय
ECAD 4035 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 12 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.028 "(0.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21B224KCFSNWE Samsung Electro-Mechanics CL21B224KCFSNWE 0.1800
सराय
ECAD 229 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) अणु X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL31C332JBFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL31C332JBFNNE 0.3100
सराय
ECAD 1 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 3300 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21C080CBANNNC Samsung Electro-Mechanics CL21C080CBANNNC -
सराय
ECAD 8167 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 8 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.030 "(0.75 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21B475KPFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL21B475KPFNNNENNE 0.2300
सराय
ECAD 564 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL31B223KHHNFNE Samsung Electro-Mechanics CL31B223KHHNFNE 0.0300
सराय
ECAD 8174 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 630V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.057 "(1.45 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10A475KP9NHBC Samsung Electro-Mechanics CL10A475KP9NHBC -
सराय
ECAD 9483 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - धth -kir में कमी कमी कमी - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X5R - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL31C471JIH3PNE Samsung Electro-Mechanics CL31C471JIH3PNE 0.8100
सराय
ECAD 2011 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 5% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10B154KB8VPNC Samsung Electro-Mechanics CL10B154KB8VPNC 0.0124
सराय
ECAD 1752 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.15 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10Z106MQ9VPNC Samsung Electro-Mechanics CL10Z106MQ9VPNC 0.5100
सराय
ECAD 68 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7t - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम