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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग
CL21B222KDCNNND Samsung Electro-Mechanics CL21B222KDCNNND -
सराय
ECAD 7850 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 200V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10F104ZA8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10F104ZA8NNNC 0.1000
सराय
ECAD 1 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf -20%, +80% 25V -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - Y5v (f) - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL32B102KJFNNWE Samsung Electro-Mechanics CL32B102KJFNNWE 0.0560
सराय
ECAD 1153 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X7R - 0.057 "(1.45 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1276-CL32B102KJFNNWETR Ear99 8532.24.0020 2,000
CL32B226KAJNFNE Samsung Electro-Mechanics CL32B226KAJNFNE 0.6700
सराय
ECAD 119 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X7R - 0.106 "(2.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
CL21F105ZAFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL21F105ZAFNNNE -
सराय
ECAD 1775 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf -20%, +80% 25V -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - Y5v (f) - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10A475KP8NNND Samsung Electro-Mechanics CL10A475KP8ND 0.0056
सराय
ECAD 3794 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X5R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10F473ZB8NNND Samsung Electro-Mechanics CL10F473ZB8ND -
सराय
ECAD 1757 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf -20%, +80% 50 वी -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - Y5v (f) - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10B103JB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10B103JB8NNNC -
सराय
ECAD 7481 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10B105KQ8NNNL Samsung Electro-Mechanics CL10B105KQ8NNNL -
सराय
ECAD 7250 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 15,000
CL10B102KB8WPJC Samsung Electro-Mechanics CL10B102KB8WPJC 0.1000
सराय
ECAD 262 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 अफ़स्या - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) तंग X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21B221KBANFNC Samsung Electro-Mechanics CL21B221KBANFNC -
सराय
ECAD 6114 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.030 "(0.75 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10C150JB8NFNC Samsung Electro-Mechanics CL10C150JB8NFNC -
सराय
ECAD 1424 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 15 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21B225KAFNNWE Samsung Electro-Mechanics CL21B225KAFNNNNWE 0.2500
सराय
ECAD 899 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10C621JB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10C621JB8NNNC -
सराय
ECAD 8045 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 620 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL03C240JA3GNNC Samsung Electro-Mechanics CL03C240JA3GNNC 0.1000
सराय
ECAD 2 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 24 पीएफ ± 5% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL03C4R7CA3GNNH Samsung Electro-Mechanics CL03C4R7CA3GNNH -
सराय
ECAD 1180 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 पीएफ ± 0.25pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 15,000
CL31B681KHFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL31B681KHFNNNE -
सराय
ECAD 6825 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 10% 630V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21A226MQYNNWE Samsung Electro-Mechanics Cl21a226mqynnwe 0.0491
सराय
ECAD 1339 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R - 0.057 "(1.45 मिमी) - - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1276-CL21A226MQYNNWETR Ear99 8532.24.0020 2,000
CL03C4R3BA3GNNH Samsung Electro-Mechanics Cl03c4r3ba3gnnh -
सराय
ECAD 5387 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.3 पीएफ ± 0.1pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 15,000
CL32B106KLULNNE Samsung Electro-Mechanics CL32B106KLULNNE 0.5300
सराय
ECAD 212 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 10% 35V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X7R - 0.079 "(2.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL32A475KLULNNE Samsung Electro-Mechanics CL32A475KLULNNE -
सराय
ECAD 7883 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 35V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X5R - 0.079 "(2.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL31C471JIHNNCE Samsung Electro-Mechanics CL31C471JIHNNCE 0.1125
सराय
ECAD 9019 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 5% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1276-CL31C471JINNCETR Ear99 8532.24.0020 2,000
CL03B682KQ3NNNC Samsung Electro-Mechanics CL03B682K3NNC -
सराय
ECAD 8343 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 6800 पीएफ ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - X7R - 0.013 "(0.33 मिमी) - - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21B471KBANFNC Samsung Electro-Mechanics CL21B471KBANFNC 0.1000
सराय
ECAD 641 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.030 "(0.75 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL03C0R8BA3GNNC Samsung Electro-Mechanics CL03C0R8BA3GNNC 0.0140
सराय
ECAD 30 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.8 पीएफ ± 0.1pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21X225KOFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL21X225KOFNNNE 0.0293
सराय
ECAD 1994 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X6S - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL32Y476MQVVPNE Samsung Electro-Mechanics CL32Y476MQVVPNE 0.8300
सराय
ECAD 15 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X7S - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1276-CL32Y476MQVVPNETR Ear99 8532.24.0020 1,000
CL21C472JBFNNNF Samsung Electro-Mechanics CL21C472JBFNNNF -
सराय
ECAD 6855 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05B104KO5NNNO Samsung Electro-Mechanics CL05B104KO5NNNO -
सराय
ECAD 3585 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 30,000
CL10A475MQ8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10A475MQ8NNNC 0.1000
सराय
ECAD 949 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X5R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम