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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन R ईएसआrir (t समककturadadaurauraurauraur) Sabasapak @ टेम सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़वाह तमाम सराय सींग
CL05B104KO5NNWC Samsung Electro-Mechanics CL05B104KO5NNWC 0.1000
सराय
ECAD 2 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL31C470JEF3PNE Samsung Electro-Mechanics CL31C470JEF3PNE 0.3600
सराय
ECAD 8867 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 47 पीएफ ± 5% 250V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TCPCF0J476MNAR201T Samsung Electro-Mechanics TCPCF0J476MNAR201T -
सराय
ECAD 1909 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक पीसीएफ R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 6.3 वी 200mohm @ 100kHz २००० @ @ १०५ सटरी -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) - तमाम - Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 4,000 एन
CL10B472KB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10B472KB8NNNC 0.1000
सराय
ECAD 4 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL31C390JGFNNWE Samsung Electro-Mechanics CL31C390JGFNNWE 0.0424
सराय
ECAD 7580 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 39 पीएफ ± 5% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1276-CL31C390JGFNNWETR Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21B225KOFVPNE Samsung Electro-Mechanics CL21B225KOFVPNE 0.2500
सराय
ECAD 129 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL14A105MP5NANC Samsung Electro-Mechanics CL14A105MP5NANC -
सराय
ECAD 9414 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1μf ± 20% 10 वी - 0.054 "एल X 0.039" डबthutum (1.37 मिमी x 1.00 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur ०५०४ (१४१० सटेर) X5R ०४०५ (१०१२ सवार) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000 चीनी मिट तमाम 2
CL05B333JO5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05B33JO5NNNC -
सराय
ECAD 3761 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.033 µf ± 5% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL43B334JBFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL43B334JBFNNE -
सराय
ECAD 9103 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.33 µf ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.177 "एल x 0.126" डबmuntugh (4.50 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) - X7R - 0.057 "(1.45 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
CL05C070CB5NCNC Samsung Electro-Mechanics CL05C070CB5NCNC -
सराय
ECAD 6379 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 7 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21B224KAFNNNS Samsung Electro-Mechanics CL21B224KAFNNNS -
सराय
ECAD 8423 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 6,000
CL21C390GDCNCNC Samsung Electro-Mechanics CL21C390GDCNCNC -
सराय
ECAD 7177 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 39 पीएफ ± 2% 200V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21B152KBANNNL Samsung Electro-Mechanics CL21B152KBANNNL -
सराय
ECAD 5394 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1500 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.030 "(0.75 मिमी) - - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 15,000
CL31C152GBCNNWC Samsung Electro-Mechanics CL31C152GBCNNWC 0.1217
सराय
ECAD 5283 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1500 पीएफ ± 2% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.039 "(1.00 मिमी) - - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1276-CL31C152GBCNNWCTR Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21C330JECNNWC Samsung Electro-Mechanics CL21C330JECNNWC -
सराय
ECAD 6251 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 33 पीएफ ± 5% 250V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21A475KLCLQNC Samsung Electro-Mechanics CL21A475KLCLQNC 0.1800
सराय
ECAD 756 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 35V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) तमाम X5R - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL03C0R7BA3GNNH Samsung Electro-Mechanics CL03C0R7BA3GNNH -
सराय
ECAD 2771 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.7 पीएफ ± 0.1pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 15,000
CL21B475KOFNFNE Samsung Electro-Mechanics CL21B475KOFNFNE 0.2200
सराय
ECAD 170 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL32A476KPJNNWE Samsung Electro-Mechanics CL32A476KPJNNWE -
सराय
ECAD 9915 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X5R - 0.106 "(2.70 मिमी) - - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
CL03C2R4BA3GNNC Samsung Electro-Mechanics CL03C2R4BA3GNNC -
सराय
ECAD 2817 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.4 पीएफ ± 0.1pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05A105KQ5NNWC Samsung Electro-Mechanics CL05A105KQ5NNWC 0.0031
सराय
ECAD 7452 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X5R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1276-CL05A105KQ5NNWCTR Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21F684ZAFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL21F684ZAFNNNE -
सराय
ECAD 7477 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.68 µf -20%, +80% 25V -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - Y5v (f) - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21B474KBFNFNG Samsung Electro-Mechanics CL21B474KBFNFNG -
सराय
ECAD 6025 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
CL10B332KC85PNC Samsung Electro-Mechanics CL10B332KC85PNC -
सराय
ECAD 1752 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 3300 पीएफ ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) तंग X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10C0R5CB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10C0R5CB8NNNC 0.1000
सराय
ECAD 924 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.5 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL05A104JO5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05A104JO5NNNC -
सराय
ECAD 5999 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 5% 16 वी -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X5R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10B222KB8SFNC Samsung Electro-Mechanics CL10B222KB8SFNC 0.1000
सराय
ECAD 1 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) अणु X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL03X104KR3NNNC Samsung Electro-Mechanics CL03X104KR3NNNC -
सराय
ECAD 5372 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 4V -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - X6S - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05C620JB5NCNC Samsung Electro-Mechanics CL05C620JB5NCNC -
सराय
ECAD 7635 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 62 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05B223KB5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05B223KB5NNNC 0.0062
सराय
ECAD 4802 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1276-CL05B223KB5NNCTR Ear99 8532.24.0020 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम