SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग
CL32B475KBJ4PNE Samsung Electro-Mechanics CL32B475KBJ4PNE 0.6900
सराय
ECAD 98 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 4.7 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X7R - 0.106 "(2.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
CL32B225KCJSFNE Samsung Electro-Mechanics CL32B225KCJSFNE 0.1156
सराय
ECAD 1636 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X7R - 0.106 "(2.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1276-CL32B225KCJSFNETR Ear99 8532.24.0020 1,000
CL21A476MRYNNNG Samsung Electro-Mechanics Cl21a476mrynnng -
सराय
ECAD 2230 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 4V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R - 0.057 "(1.45 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
CL05C8R2CB5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05C8R2CB5NNNC -
सराय
ECAD 4871 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 8.2 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21C681JBC1PNC Samsung Electro-Mechanics CL21C681JBC1PNC 0.1600
सराय
ECAD 129 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL43B334KBFNNNF Samsung Electro-Mechanics CL43B334KBFNNNF -
सराय
ECAD 6263 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.33 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.177 "एल x 0.126" डबmuntugh (4.50 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) - X7R - 0.057 "(1.45 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21A476MRYNNNE Samsung Electro-Mechanics CL21A476MRYNNENNE 0.2600
सराय
ECAD 579 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 4V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R - 0.057 "(1.45 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21A225KOFNNNG Samsung Electro-Mechanics Cl21a225kofnnng -
सराय
ECAD 6029 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
CL31A225KBHNNNF Samsung Electro-Mechanics CL31A225KBHNNNF -
सराय
ECAD 4612 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X5R - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 8,000
CL10B122KB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10B122KB8NNNC -
सराय
ECAD 3679 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 1200 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10B273KA8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10B273KA8NNNC -
सराय
ECAD 9726 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.027 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL31B106KOHNNWE Samsung Electro-Mechanics CL31B106KOHNNWE 0.2400
सराय
ECAD 1 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL31C471JHFNNNF Samsung Electro-Mechanics CL31C471JHFNNNF -
सराय
ECAD 4280 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 5% 630V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05C101JB5NFNC Samsung Electro-Mechanics CL05C101JB5NFNC -
सराय
ECAD 7156 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL03C0R8CA3GNNC Samsung Electro-Mechanics CL03C0R8CA3GNNC -
सराय
ECAD 3546 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.8 पीएफ ± 0.25pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10B123KB8NFNC Samsung Electro-Mechanics CL10B123KB8NFNC -
सराय
ECAD 7013 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.012 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL05C101JC5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05C101JC5NNNC 0.0102
सराय
ECAD 4882 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 5% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1276-CL05C101JC5NNCTR Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21X226MQQNNNG Samsung Electro-Mechanics Cl21x226mqqnnng 0.1500
सराय
ECAD 352 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X6S - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
CL31A106KAHNFNE Samsung Electro-Mechanics CL31A106KAHNFNE 0.2300
सराय
ECAD 656 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X5R - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21C102JCFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL21C102JCFNNNE 0.1000
सराय
ECAD 163 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 5% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL31B222KBCNNNC Samsung Electro-Mechanics CL31B22222KBCNNNC -
सराय
ECAD 7923 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL31C680JIFNFNE Samsung Electro-Mechanics CL31C680JIFNFNE 0.3000
सराय
ECAD 684 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 68 पीएफ ± 5% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10C271JB81PNC Samsung Electro-Mechanics CL10C271JB81PNC 0.1000
सराय
ECAD 212 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 270 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10B472KA8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10B472KA8NNNC -
सराय
ECAD 7235 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10C221GB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10C221GB8NNNC -
सराय
ECAD 9226 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 2% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10B103MB8NCNC Samsung Electro-Mechanics CL10B103MB8NCNC -
सराय
ECAD 5260 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL32A476KOJNNNE Samsung Electro-Mechanics CL32A476KOJNNE 0.7200
सराय
ECAD 1 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X5R - 0.106 "(2.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
CL31A475KOCLNNC Samsung Electro-Mechanics CL31A475KOCLNNC 0.2600
सराय
ECAD 63 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम X5R - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL32A107MQVNFNE Samsung Electro-Mechanics CL32A107MQVNFNE -
सराय
ECAD 2403 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X5R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
CL31C331JHF1PNE Samsung Electro-Mechanics CL31C331JHF1PNE 0.4900
सराय
ECAD 7616 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 5% 630V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम