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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग
CL03C3R9BA3GNNC Samsung Electro-Mechanics CL03C3R9BA3GNNC -
सराय
ECAD 7576 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 3.9 पीएफ ± 0.1pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05B104KQ5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05B104KQ5NNNC 0.1000
सराय
ECAD 198 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21F225ZAFNNNG Samsung Electro-Mechanics CL21F225ZAFNNNG -
सराय
ECAD 7650 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf -20%, +80% 25V -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - Y5v (f) - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
CL31B475KBHVPNE Samsung Electro-Mechanics CL31B475KBHVPNE 0.4200
सराय
ECAD 203 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL03B222KASVPNC Samsung Electro-Mechanics CL03B2222222222222222222222222222222222 0.1000
सराय
ECAD 8568 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - X7R - 0.014 "(0.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL03C4R3CA3GNNH Samsung Electro-Mechanics CL03C4R3CA3GNNH -
सराय
ECAD 5531 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.3 पीएफ ± 0.25pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 15,000
CL32A106KOTLNWE Samsung Electro-Mechanics CL32A106KOTLNWE 0.1170
सराय
ECAD 4715 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X5R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1276-CL32A106KOTLNWETR Ear99 8532.24.0020 2,000
CL31B104KBP5PNE Samsung Electro-Mechanics CL31B104KBP5PNE -
सराय
ECAD 5546 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) तंग X7R - 0.051 "(1.30 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL32A226MPJNNNE Samsung Electro-Mechanics CL32A226MPJNNE 0.4900
सराय
ECAD 427 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X5R - 0.106 "(2.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
CL31B475KAHZW6E Samsung Electro-Mechanics CL31B475KAHZW6E 0.4700
सराय
ECAD 3 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) अणु X7R - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL05A224KP5NNWC Samsung Electro-Mechanics CL05A224KP5NNWC 0.1500
सराय
ECAD 123 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X5R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05C2R7CB5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05C2R7CB5NNC 0.1000
सराय
ECAD 5 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.7 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL31C121JHFNNNF Samsung Electro-Mechanics CL31C121JHFNNNF -
सराय
ECAD 5033 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 120 पीएफ ± 5% 630V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05C3R3CB5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05C3R3CB5NNC -
सराय
ECAD 7383 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 3.3 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10B474KA84PNC Samsung Electro-Mechanics CL10B474KA84PNC 0.0168
सराय
ECAD 2403 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10C101FB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10C101FB8NNNC -
सराय
ECAD 5309 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 1% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL05B331KB5VPNC Samsung Electro-Mechanics CL05B331KB5VPNC 0.1000
सराय
ECAD 9 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21C102JBC1PNC Samsung Electro-Mechanics CL21C102JBC1PNC 0.2700
सराय
ECAD 129 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10Y474MR5NJND Samsung Electro-Mechanics CL10Y474MR5NJND -
सराय
ECAD 9956 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 20% 4V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम ईएसएल X7S - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10C500JC81PNC Samsung Electro-Mechanics CL10C500JC81PNC -
सराय
ECAD 2569 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 50 पीएफ ± 5% 100V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21B104KBCNNND Samsung Electro-Mechanics CL21B104KBCNND 0.0057
सराय
ECAD 5474 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05C430JB5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05C430JB5NNNC -
सराय
ECAD 1994 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 43 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL31B104KEHNFNE Samsung Electro-Mechanics CL31B104KEHNFNE -
सराय
ECAD 3656 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 250V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1276-CL31B104KEHNFNETR Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21Y475KBBVPNE Samsung Electro-Mechanics CL21Y475KBBVPNE 0.6300
सराय
ECAD 6226 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7S - 0.059 "(1.50 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10C070BB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10C070BB8NNNC -
सराय
ECAD 7017 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 7 पीएफ ± 0.1pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL21B474KAFNNNG Samsung Electro-Mechanics Cl21b474kafnnng 0.1000
सराय
ECAD 741 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
CL31C100JHFNNNF Samsung Electro-Mechanics CL31C100JHFNNNF -
सराय
ECAD 5444 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 5% 630V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21B334KBFVPNF Samsung Electro-Mechanics CL21B334KBFVPNF -
सराय
ECAD 6532 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.33 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1276-CL21B334KBFVPNFTR Ear99 8532.24.0020 1
CL10C681JB8NFNC Samsung Electro-Mechanics CL10C681JB8NFNC 0.0070
सराय
ECAD 2596 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10B561KB8NNWC Samsung Electro-Mechanics CL10B561KB8NNWC -
सराय
ECAD 6157 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 560 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम