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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग
CL21C121JBANNNC Samsung Electro-Mechanics CL21C121JBANNNC -
सराय
ECAD 1292 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 120 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.030 "(0.75 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL31B333KCCNNWC Samsung Electro-Mechanics CL31B333KCCNNWC -
सराय
ECAD 9934 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.033 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL05F105ZQ5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05F105ZQ5NNNC 0.1000
सराय
ECAD 18 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf -20%, +80% 6.3V -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - Y5v (f) - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21B475KAFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL21B475KAFNNNE 0.4600
सराय
ECAD 329 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10F223ZB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10F223ZB8NNNC 0.1000
सराय
ECAD 2 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf -20%, +80% 50 वी -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - Y5v (f) - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL05B103KB5NFNC Samsung Electro-Mechanics CL05B103KB5NFNC 0.1000
सराय
ECAD 30 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10C4R7BB8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10C4R7BB8NNNC 0.1000
सराय
ECAD 192 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 पीएफ ± 0.1pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL05B331KB5NNWC Samsung Electro-Mechanics CL05B331KB5NNWC 0.0039
सराय
ECAD 8745 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R - 0.022 "(0.55 मिमी) - - 1 (असीमित) तमाम 1276-CL05B331KB5NNWCTR Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21B475KPQVPNE Samsung Electro-Mechanics CL21B475KPQVPNE 0.2400
सराय
ECAD 29 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10B221KB8WPNC Samsung Electro-Mechanics CL10B221KB8WPNC 0.0077
सराय
ECAD 9624 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) तंग X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL31B153JBCNNNC Samsung Electro-Mechanics CL31B153JBCNNNC -
सराय
ECAD 5491 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.015 µf ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.039 "(1.00 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL10A474KA8NNND Samsung Electro-Mechanics CL10A474KA8ND -
सराय
ECAD 9346 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X5R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21A225KOFNFNE Samsung Electro-Mechanics CL21A225KOFNFNE 0.1700
सराय
ECAD 59 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21C100CBANNNC Samsung Electro-Mechanics CL21C100CBANNNC 0.1000
सराय
ECAD 39 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.030 "(0.75 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL31C680KGFNNNF Samsung Electro-Mechanics CL31C680KGFNNNF -
सराय
ECAD 1235 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 68 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL32E225KCJVPNE Samsung Electro-Mechanics CL32E225KCJVPNE 1.1000
सराय
ECAD 50 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 100V - एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - - - 0.106 "(2.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
CL21F105ZOCNNND Samsung Electro-Mechanics CL21F105ZOCNND -
सराय
ECAD 8808 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf -20%, +80% 16 वी -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - Y5v (f) - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL31C151JIFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL31C151JIFNNENNE 0.3400
सराय
ECAD 15 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 150 पीएफ ± 5% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL31C101KHFNNNF Samsung Electro-Mechanics CL31C101KHFNNNF -
सराय
ECAD 2041 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 10% 630V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL21C621JBCNNNC Samsung Electro-Mechanics CL21C621JBCNNNC -
सराय
ECAD 7129 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 620 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 - 0.037 "(0.95 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL05C102JB5NNNC Samsung Electro-Mechanics CL05C102JB5NNNC 0.1100
सराय
ECAD 197 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL31X226KPHNNNE Samsung Electro-Mechanics सीएल 31x226kphnne -
सराय
ECAD 6084 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 105 ° C - तमाम - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X6S - 0.071 "(1.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL21B472KB6WPND Samsung Electro-Mechanics CL21B472KB6WPND -
सराय
ECAD 1161 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.028 "(0.70 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1276-CL21B472KB6WPNDTR Ear99 8532.24.0020 1
CL21B224KAFNNNE Samsung Electro-Mechanics CL21B224KAFNNNE 0.1000
सराय
ECAD 592 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R - 0.053 "(1.35 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
CL10A225KP8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10A225KP8NNNC 0.1000
सराय
ECAD 1 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X5R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
CL32B475KCVZNWE Samsung Electro-Mechanics CL32B475KCVZNWE 0.2376
सराय
ECAD 1359 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1276-CL32B475KCVZNWETR Ear99 8532.24.0020 1,000
CL03C560JA3ANNC Samsung Electro-Mechanics CL03C560JA3ANNC -
सराय
ECAD 9448 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 56 पीएफ ± 5% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 - 0.013 "(0.33 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05B152KB5VPNC Samsung Electro-Mechanics CL05B152KB5VPNC 0.1000
सराय
ECAD 384 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 1500 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R - 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL05Y224KQ5VPNC Samsung Electro-Mechanics CL05Y224KQ5VPNC -
सराय
ECAD 2420 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0.22 µf ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 ऑटोमोटिव - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7S - 0.022 "(0.55 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
CL10B472KC8NNNC Samsung Electro-Mechanics CL10B472KC8NNNC -
सराय
ECAD 5138 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R - 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम