SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
TDCF160W223K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF160W223K1GV001T 0.1400
सराय
ECAD 13 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCF500G6R8C1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G6R8C1GV001T 0.1700
सराय
ECAD 506 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 6.8 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
RLDT500G563J3QN001T Johanson Dielectrics Inc. RLDT500G563J3QN001T -
सराय
ECAD 1565 0.00000000 तंगता - थोक शिर 0.056 µf ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.200 "(5.08 मिमी) 0.300 "of x 0.200" डबthuthuth (7.62 मिमी x 5.08 मिमी मिमी) 0.302 ”(7.67 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न - C0G, NP0 - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
RLDM102N471F3QN001T Johanson Dielectrics Inc. RLDM102N471F3QN001T -
सराय
ECAD 1651 0.00000000 तंगता - थोक शिर 470 पीएफ ± 1% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.170 "(4.32 मिमी) 0.250 "एल x 0.270" डबmuthut (6.35 मिमी x 6.86 मिमी) 0.222 "(5.64 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल C0G, NP0 - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
S0AU500A471K1S2001W Johanson Dielectrics Inc. S0AU500A471K1S2001W 2.5755
सराय
ECAD 1370 0.00000000 तंगता - शिर शिर 470 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - सियार, तंग, अफ़म - 0.025 "एल x 0.025" PARCAUTH (0.64 मिमी x 0.64 मिमी) - अफ़संद सराय -तन उचth -ktha, कम rana, बॉनthun kana, कम प प प प प जीबीबीएल - 0.009 "(0.23 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.23.0020 100
M1EH251W105K1L1003W Johanson Dielectrics Inc. M1EH251W105K1L1003W -
सराय
ECAD 6237 0.00000000 तंगता मिनी-स शिर Sic में बंद r क rur kay 1 µf ± 10% 250V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.280 "एल X 0.270" डबthutum (7.11 मिमी x 6.86 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 6-स अणु X7R 0.095 "(2.41 मिमी) एल लीड - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10
EMCF500W472M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500W472M1GV001T 0.3800
सराय
ECAD 46 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) X7R 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT500G220J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500G220J1GV001T 0.0335
सराय
ECAD 4210 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 22 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCF160X104K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF160X104K1GV001T -
सराय
ECAD 5556 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0.1 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X5R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
RLEB102W333K3QN001T Johanson Dielectrics Inc. RLEB102W333K3QN001T -
सराय
ECAD 8802 0.00000000 तंगता - थोक शिर 0.033 µf ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - - - होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल C0G, NP0 - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
SCED502G151J4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCED502G151J4GV001E 0.4788
सराय
ECAD 6224 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 पीएफ ± 5% 250V -55 ° C ~ 125 ° C X1, Y2 सराय - 0.225 "एल X 0.110" डब expriguth (5.72 मिमी x 2.80 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2211 (5728 कनर) - C0G, NP0 - 0.115 "(2.92 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
TDCP500G100J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500G100J1GV001T 0.1900
सराय
ECAD 92 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCP101G5R6D1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP101G5R6D1GV001T 0.3300
सराय
ECAD 430 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 5.6 पीएफ ± 0.5pf 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
SCDP302G151J4GF001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302G151J4GF001E -
सराय
ECAD 2218 0.00000000 तंगता R पॉलीट R टेप ray ryील (ther) शिर 150 पीएफ ± 5% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X2 अफ़सतर, शिरमक्यमक्यूलस, - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) अणु SCDP302 C0G, NP0 - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDF501G102K2GV001B Johanson Dielectrics Inc. VPDF501G102K2GV001B -
सराय
ECAD 2247 0.00000000 तंगता - थोक शिर 1000 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) उचmuth वोल VPDF501 C0G, NP0 - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1
RLDM102G470K3QN001B Johanson Dielectrics Inc. RLDM102G470K3QN001B -
सराय
ECAD 9293 0.00000000 तंगता - थोक शिर 47 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.170 "(4.32 मिमी) 0.250 "एल x 0.270" डबmuthut (6.35 मिमी x 6.86 मिमी) 0.222 "(5.64 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल C0G, NP0 - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
SCDP302W331K4GF001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302W331K4GF001E -
सराय
ECAD 2999 0.00000000 तंगता R पॉलीट R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X2 अफ़सतर, शिरमक्यमक्यूलस, - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) अणु SCDP302 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDD102W102K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD102W102K1GF001E -
सराय
ECAD 9877 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) नrig rantaumaut, s उच e वोल Vpdd102 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
RLJF102W474K3QN001T Johanson Dielectrics Inc. RLJF102W474K3QN001T -
सराय
ECAD 6662 0.00000000 तंगता - थोक शिर 0.47 µf ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.673 "(17.10 मिमी) 0.772 "एल X 0.320" डब extum (19.60 मिमी x 8.13 मिमी) 0.722 "(18.35 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल X7R - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
VPCT502G500J2GF001T Johanson Dielectrics Inc. VPCT502G500J2GF001T -
सराय
ECAD 8212 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 50 पीएफ ± 5% 5000V (5KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPCT502 C0G, NP0 - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
EMCF500G100M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500G100M1GV001T 0.4000
सराय
ECAD 13 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDD202G101J1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202G101J1GF001E -
सराय
ECAD 7776 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 5% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDD202 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDR501W223K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR501W223K1GF001E 0.2179
सराय
ECAD 9636 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDR501 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPEH102W104K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPEH102W104K1GF001E 1.2486
सराय
ECAD 2670 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.225 "एल X 0.255" डबthutum (5.72 मिमी x 6.48 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2225 (5763 कनम) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPEH102 X7R - 0.160 "(4.06 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
TDCF500G3R3C1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G3R3C1GV001T 0.1000
सराय
ECAD 648 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.3 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCF500G101J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G101J1GV001T 0.1000
सराय
ECAD 2 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCF160W103K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF160W103K1GV001T 0.1800
सराय
ECAD 27 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCP500W473K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500W473K1GV001T 0.1400
सराय
ECAD 153 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT500W224K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500W224K1GV001T -
सराय
ECAD 4079 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
S0AC500G0R4A1S2001W Johanson Dielectrics Inc. S0AC500G0R4A1S2001W 2.5755
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता - शिर शिर 0.4 पीएफ ± 0.05pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - सियार, तंग, अफ़म - 0.012 "एल x 0.010" डब30 (0.30 मिमी x 0.25 मिमी) - अफ़संद सराय -तन उचth -ktha, कम rana, बॉनthun kana, कम प प प प प एन - 0.008 "(0.20 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.23.0020 100
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम