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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
EMCP100W104M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP100W104M1GV001T 0.4500
सराय
ECAD 678 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 20% 10V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCP500G680J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500G680J1GV001T 0.0216
सराय
ECAD 1852 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 68 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCP500G102J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500G102J1GV001T 0.3200
सराय
ECAD 14 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCF6R3X224K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF6R3X224K1GV001T -
सराय
ECAD 2062 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X5R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
EMDD100W474M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMDD100W474M1GV001E 0.1587
सराय
ECAD 2956 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 20% 10V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.124 "एल x 0.063" डबthutum (3.15 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) कम कम (x2Y) X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD202G680K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202G680K1GV001E 1.0100
सराय
ECAD 3 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 68 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD202 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
EMCP250W223M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP250W223M1GV001T 0.3500
सराय
ECAD 47 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 20% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT101W102K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT101W102K1GV001T -
सराय
ECAD 7974 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
500R14W223KV4T Johanson Dielectrics Inc. 500R14W223KV4T -
सराय
ECAD 5930 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCF500W472K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500W472K1GV001T 0.1100
सराय
ECAD 9 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
EMCT100W184M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT100W184M1GV001E 0.5900
सराय
ECAD 8134 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.18 µf ± 20% 10V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMDD101W104M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMDD101W104M1GV001E 0.7300
सराय
ECAD 149 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.124 "एल x 0.063" डबthutum (3.15 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) कम कम (x2Y) X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TDCT250W104K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT250W104K1GV001T -
सराय
ECAD 9980 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCF500G470M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500G470M1GV001T 0.4500
सराय
ECAD 12 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 47 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TCDR500W105K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDR500W105K1GV001E -
सराय
ECAD 8735 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.175 "एल X 0.125" डबthutum (4.45 मिमी x 3.17 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) - X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPDD501G221J1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD501G221J1GF001E -
सराय
ECAD 6686 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 5% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) नrig rantaumaut, s उच e वोल C0G, NP0 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDP202W471K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP202W471K1GV001E 0.6200
सराय
ECAD 8 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPDP202 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPCT102G470K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPCT102G470K1GV001E 0.5300
सराय
ECAD 75 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 47 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) उचmuth वोल Vpct102 C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम