SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लीड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
VPCT102W222K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPCT102W222K1GF001E -
सराय
ECAD 8258 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) नrig rantaumaut, s उच e वोल Vpct102 X7R - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDR102W473K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR102W473K1GF001E -
सराय
ECAD 8954 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDR102 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
TCCT160X106K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCCT160X106K1GV001E -
सराय
ECAD 1079 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R 0.060 "(1.52 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDF202W102M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDF202W102M1GV001E 0.1712
सराय
ECAD 8360 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 20% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) उचmuth वोल VPDF202 X7R - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TDDD500W182J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDD500W182J1GV001T -
सराय
ECAD 1119 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1800 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDD501W223K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501W223K1GV001E 0.3200
सराय
ECAD 245 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPEH202W104K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPEH202W104K1GF001E -
सराय
ECAD 9396 0.00000000 तंगता Riarcund® थोक शिर 0.1 µf ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.225 "एल X 0.255" डबthutum (5.72 मिमी x 6.48 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2225 (5763 कनम) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPEH202 X7R - 0.160 "(4.06 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1
SCED502W681K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCED502W681K4GV001E 1.0100
सराय
ECAD 2 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 10% 250V -55 ° C ~ 125 ° C Y2 सराय - 0.225 "एल X 0.110" डब expriguth (5.72 मिमी x 2.80 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2211 (5728 कनर) - X7R 0.115 "(2.92 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
SCEF502W102K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCEF502W102K4GV001E 1.5040
सराय
ECAD 3371 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X1, Y2 सराय - 0.225 "एल X 0.200" डब expriguth (5.72 मिमी x 5.08 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2220 (5750 पचुर) - SCEF502 X7R - 0.150 "(3.81 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
VPDR202W472K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR202W472K1GV001E 1.0000
सराय
ECAD 23 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR202 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
TCDF250W335K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDF250W335K1GV001E -
सराय
ECAD 8964 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 3.3 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X7R 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDD501G681K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501G681K1GV001E 0.1899
सराय
ECAD 5574 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
S0AJ500W100K1S2001W Johanson Dielectrics Inc. S0AJ500W100K1S2001W 1.0272
सराय
ECAD 5 0.00000000 तंगता - शिर शिर 10 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - सियार, तंग, अफ़म - 0.015 "एल X 0.012" PARCAUTHU - अफ़संद सराय -तन उचth -ktha, कम rana, बॉनthun kana, कम प प प प प बी - 0.008 "(0.20 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.23.0020 100
VPDP202W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP202W102K1GV001E 0.4900
सराय
ECAD 60 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPDP202 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
EMCP101G330M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP101G330M1GV001T 0.0812
सराय
ECAD 5148 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 33 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCP250W103K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP250W103K1GV001T -
सराय
ECAD 1051 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCT101W472M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT101W472M1GV001E 0.3600
सराय
ECAD 17 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
RLFR500W475K3QN001T Johanson Dielectrics Inc. RLFR500W475K3QN001T -
सराय
ECAD 8205 0.00000000 तंगता - थोक शिर 4.7 µf ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.402 ”(10.20 मिमी) 0.500 "एल X 0.200" डब extum (12.70 मिमी x 5.08 मिमी मिमी) 0.502 "(12.75 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न - X7R - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
TCDD160W105K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDD160W105K1GV001E -
सराय
ECAD 8654 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 1 µf ± 5% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TCCT6R3X106M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCCT6R3X106M1GV001E -
सराय
ECAD 7443 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R 0.060 "(1.52 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TDCP500W103K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500W103K1GV001T -
सराय
ECAD 3712 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCP100X105M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP100X105M1GV001T -
सराय
ECAD 9112 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 20% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X5R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDF202W272K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDF202W272K1GV001E 1.3300
सराय
ECAD 34 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 2700 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) उचmuth वोल VPDF202 X7R - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDR102W473K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR102W473K1GV001E 0.6991
सराय
ECAD 8380 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR102 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
TCDD250X106K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDD250X106K1GV001E -
सराय
ECAD 5904 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X5R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDP102W103K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP102W103K1GV001E 1.1600
सराय
ECAD 4 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPDP102 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
EMCP500W101M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500W101M1GV001T 0.0740
सराय
ECAD 3068 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
M2EH101W305M3J1001F Johanson Dielectrics Inc. M2EH101W305M3J1001F -
सराय
ECAD 5627 0.00000000 तंगता मिनी-स शिर Sic में बंद r क rur kay 3 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सराय - 0.280 "एल X 0.270" डबthutum (7.11 मिमी x 6.86 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 6-स अणु X7R 0.190 "(4.83 मिमी) जे-जे - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10
M3FP101W126K3J1001W Johanson Dielectrics Inc. M3FP101W126K3J1001W -
सराय
ECAD 3262 0.00000000 तंगता पी शिर Sic में बंद r क rur kay 12 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सियार, तंग, अफ़म - 0.387 "एक एल lectus 0.310" डबthauti (9.84 मिमी x 7.87 मिमी) - अणु, एमएलसीसी सmuntum एसएमडी, 8 जे-लीड कम ray X7R 0.425 "(10.80 मिमी) जे-जे तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10
VPDD202G470J1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202G470J1GV001E 0.6600
सराय
ECAD 245 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 47 पीएफ ± 5% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल C0G, NP0 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम