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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लीड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
EMCP500W101M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500W101M1GV001T 0.0740
सराय
ECAD 3068 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDP102W103K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP102W103K1GV001E 1.1600
सराय
ECAD 4 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPDP102 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TCCT6R3X226M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCCT6R3X226M1GV001E -
सराय
ECAD 6995 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R 0.060 "(1.52 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TCDD250X106K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDD250X106K1GV001E -
सराय
ECAD 5904 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X5R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPEF602W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPEF602W102K1GV001E 3.6700
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 6000V (6KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.225 "एल X 0.200" डब expriguth (5.72 मिमी x 5.08 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2220 (5750 पचुर) उचmuth वोल Vpef602 X7R - 0.150 "(3.81 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
VPCT501G102K1GF001T Johanson Dielectrics Inc. VPCT501G102K1GF001T -
सराय
ECAD 1235 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPCT501 X7R - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDF202W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDF202W102K1GV001E 0.5000
सराय
ECAD 31 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) उचmuth वोल VPDF202 X7R - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TCDD6R3X335K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDD6R3X335K1GV001E 2.1300
सराय
ECAD 6 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 3.3 µf ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X5R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
SCED502W471K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCED502W471K4GV001E 0.3427
सराय
ECAD 9754 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 10% 250V -55 ° C ~ 125 ° C X1, Y2 अफ़सतर, शिरमक्यमक्यूलस, - 0.225 "एल X 0.110" डब expriguth (5.72 मिमी x 2.80 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2211 (5728 कनर) अणु X7R - 0.115 "(2.92 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPCT102W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPCT102W102K1GV001E 0.3800
सराय
ECAD 37 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) उचmuth वोल Vpct102 X7R - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
QGCT102Q180G3GU001M Johanson Dielectrics Inc. QGCT102Q180G3GU001M 1.0100
सराय
ECAD 4 0.00000000 तंगता - थोक शिर 18 पीएफ ± 2% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) उचmuth वोल QGCT102 C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 1
EMCF500W101M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500W101M1GV001T -
सराय
ECAD 1958 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) X7R 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TCDF6R3X476M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDF6R3X476M1GV001E -
सराय
ECAD 4426 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X5R 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
VPDD501W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501W102K1GV001E 0.4700
सराय
ECAD 9 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDP302W151K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP302W151K1GV001E 0.1624
सराय
ECAD 6086 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 पीएफ ± 10% 3000V (3KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPDP302 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
160R18W105KV4E Johanson Dielectrics Inc. 160R18W105KV4E -
सराय
ECAD 1926 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD501W681K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501W681K1GV001E -
सराय
ECAD 7837 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 680 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TDCP500W103K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500W103K1GV001T -
सराय
ECAD 3712 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT160W104K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT160W104K1GV001T 0.2000
सराय
ECAD 42 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCP100X105M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP100X105M1GV001T -
सराय
ECAD 9112 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 20% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X5R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDP102W183K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDP102W183K1GV001E 1.2400
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.018 µf ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.189 "एल X 0.080" PARCAUTUN (4.80 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल X7R 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDF202W272K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDF202W272K1GV001E 1.3300
सराय
ECAD 34 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 2700 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) उचmuth वोल VPDF202 X7R - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDR102W473K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR102W473K1GV001E 0.6991
सराय
ECAD 8380 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR102 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPDR102W103K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR102W103K1GF001E 0.2235
सराय
ECAD 1098 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDR102 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPCT102W102K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPCT102W102K1GF001E -
सराय
ECAD 1791 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) नrig rantaumaut, s उच e वोल Vpct102 X7R - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDR631W473K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR631W473K1GF001E 0.3171
सराय
ECAD 2008 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 630V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDR631 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
EMCF500W221M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500W221M1GV001T 0.0884
सराय
ECAD 4151 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) X7R 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
SCDP302G470J4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302G470J4GV001E 0.6400
सराय
ECAD 2 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 47 पीएफ ± 5% 250V -55 ° C ~ 125 ° C X2 सराय - 0.189 "एल X 0.080" PARCAUTUN (4.80 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - C0G, NP0 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPCT501G101K1GF001T Johanson Dielectrics Inc. VPCT501G101K1GF001T -
सराय
ECAD 9749 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPCT501 C0G, NP0 - 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCF160Y104X1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF160Y104X1GV001T -
सराय
ECAD 6287 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0.1 µf -20%, +80% 16 वी -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - Y5v (f) 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम