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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लीड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
RLDM302W222K3QN001T Johanson Dielectrics Inc. RLDM302W222K3QN001T -
सराय
ECAD 4071 0.00000000 तंगता - थोक शिर 2200 पीएफ ± 10% 3000V (3KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम 0.170 "(4.32 मिमी) 0.250 "एल x 0.270" डबmuthut (6.35 मिमी x 6.86 मिमी) 0.222 "(5.64 मिमी) होल के kaytaumauth से रत्न उचmuth वोल X7R - कसना - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0060 100
VPDF102W153K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDF102W153K1GV001E 0.6494
सराय
ECAD 2368 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.015 µf ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) उचmuth वोल VPDF102 X7R - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDD102W103K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD102W103K1GV001E 0.0925
सराय
ECAD 8069 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल Vpdd102 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TDDD201W473K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TDD201W473K1GV001E 0.1089
सराय
ECAD 3725 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 200V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TDCF500G270F1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G270F1GV001T -
सराय
ECAD 6992 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 27 पीएफ ± 1% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 - 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCP500G220F1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500G220F1GV001T -
सराय
ECAD 1507 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 22 पीएफ ± 1% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 - 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDDD500W822K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDD500W8222K1GV001T -
सराय
ECAD 4225 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 8200 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.125 "एल x 0.062" डबthutum (3.17 मिमी x 1.57 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) - X7R - 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDD202G151K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202G151K1GV001E 1.1100
सराय
ECAD 17 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD202 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TDCF500G2R2C1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500G2R2C1GV001T 0.0187
सराय
ECAD 6237 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 2.2 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCF500W103K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500W103K1GV001T 0.3300
सराय
ECAD 7 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCF500W332K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCF500W332K1GV001T 0.0096
सराय
ECAD 2034 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 3300 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X7R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCP500G220J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500G220J1GV001T 0.3000
सराय
ECAD 47 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 22 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCP500G330J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500G330J1GV001T 0.1000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 33 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCP500G221J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500G221J1GV001T 0.1700
सराय
ECAD 38 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 220 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCP500G331J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500G331J1GV001T -
सराय
ECAD 7718 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 330 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCP250W473K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP250W473K1GV001T -
सराय
ECAD 5307 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 10% 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCP500W102K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP500W102K1GV001T -
सराय
ECAD 8678 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT500G220J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500G220J1GV001T 0.0335
सराय
ECAD 4210 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 22 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT500G102J1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCT500G102J1GV001T 0.2900
सराय
ECAD 5 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - C0G, NP0 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT160W474K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TDCT160W474K1GV001E -
सराय
ECAD 7485 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.47 µf ± 10% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPEH402W472M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPEH402W472M1GV001E -
सराय
ECAD 1811 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 20% 4000V (4KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.225 "एल X 0.255" डबthutum (5.72 मिमी x 6.48 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2225 (5763 कनम) उचmuth वोल VPEH402 X7R - 0.160 "(4.06 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 250
VPCT502G200J2GF001T Johanson Dielectrics Inc. VPCT502G200J2GF001T -
सराय
ECAD 2979 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 20 पीएफ ± 5% 5000V (5KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) उचmuth वोल VPCT502 C0G, NP0 - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
EMCP101G1R0D1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP101G1R0D1GV001T 0.3300
सराय
ECAD 1 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 1 पीएफ ± 0.5pf 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCP101W102M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP101W102M1GV001T 0.3000
सराय
ECAD 3 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCF500W472M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCF500W472M1GV001T 0.3800
सराय
ECAD 46 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.045 "एल x 0.025" डबthutum (1.14 मिमी x 0.64 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ कम कम (x2Y) X7R 0.020 "(0.51 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPFK202W563K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPFK202W563K1GV001E -
सराय
ECAD 3414 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.056 µf ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.360 "एक एक lect ० ०.४००" letcunt (9.14 मिमी x 10.16 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 3640 (9110 कवच) - X7R - 0.200 "(5.08 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 250
EMCT101G270M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT101G270M1GV001E 0.1432
सराय
ECAD 4756 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 27 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMDK101W404M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMDK101W404M1GV001E 1.1400
सराय
ECAD 96 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.4 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.140 "एल x 0.098" डबthutum (3.56 मिमी x 2.49 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1410 (3524 कनर) कम कम (x2Y) X7R 0.070 "(1.78 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDD202W471K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202W471K1GF001E -
सराय
ECAD 2420 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPDD202 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPEH202W223K1GF001E Johanson Dielectrics Inc. VPEH202W223K1GF001E -
सराय
ECAD 1582 0.00000000 तंगता Riarcund® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल rauturिंग, r बोruthauthauth संवेदनशील संवेदनशील - 0.225 "एल X 0.255" डबthutum (5.72 मिमी x 6.48 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2225 (5763 कनम) नrig rantaumaut, s उच e वोल VPEH202 X7R - 0.160 "(4.06 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम