SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग
M4FP101W206K3SL001F Johanson Dielectrics Inc. M4FP101W206K3SL001F -
सराय
ECAD 3022 0.00000000 तंगता पी शिर Sic में बंद r क rur kay 20 µf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - सियार, तंग, अफ़म - 0.387 "एक एल lectus 0.310" डबthauti (9.84 मिमी x 7.87 मिमी) 0.545 "(13.84 मिमी) होल के kaytaumauth से - उचmun कth, X7R - कसना तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10
VPEH302W153K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPEH302W153K1GV001E 0.9839
सराय
ECAD 9771 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.015 µf ± 10% 3000V (3KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.225 "एल X 0.255" डबthutum (5.72 मिमी x 6.48 मिमी मिमी) - अणु, एमएलसीसी 2225 (5763 कनम) उचmuth वोल VPEH302 X7R - 0.160 "(4.06 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 250
EMDD101W473M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMDD101W473M1GV001E 0.4600
सराय
ECAD 8 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.124 "एल x 0.063" डबthutum (3.15 मिमी x 1.60 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) कम कम (x2Y) X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
EMCP160X224M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP160X224M1GV001T -
सराय
ECAD 3664 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf ± 20% 16 वी -55 ° C ~ 85 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X5R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCT101W102M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. EMCT101W102M1GV001E 0.3600
सराय
ECAD 59 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 20% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) कम कम (x2Y) X7R 0.040 "(1.02 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
SCDP302G100J4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302G100J4GV001E 0.1547
सराय
ECAD 5724 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 10 पीएफ ± 5% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X2 सराय - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - SCDP302 C0G, NP0 - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
SCDP302G151K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302G151K4GV001E 0.3831
सराय
ECAD 6714 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 150 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X2 सराय - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - SCDP302 C0G, NP0 - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
SCDP302W471K4GV001E Johanson Dielectrics Inc. SCDP302W471K4GV001E 0.6900
सराय
ECAD 16 0.00000000 तंगता अँगुला R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 10% 250VAC -55 ° C ~ 125 ° C X2 सराय - 0.185 "एल X 0.080" डबthutum (4.70 मिमी x 2.03 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1808 (4520 कांफरी) - SCDP302 X7R - 0.085 "(2.16 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
VPDF102W103K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDF102W103K1GV001E 0.6000
सराय
ECAD 89 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) उचmuth वोल VPDF102 X7R - 0.080 "(2.03 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
EMCP500G470M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500G470M1GV001T 0.3400
सराय
ECAD 58 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 47 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) C0G, NP0 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCP500W152M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500W152M1GV001T 0.2900
सराय
ECAD 3 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 1500 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCP500W472M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500W472M1GV001T 0.3300
सराय
ECAD 18 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCP6R3W104M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP6R3W104M1GV001T 0.4600
सराय
ECAD 91 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TDCT251W223K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TDCT251W223K1GV001E -
सराय
ECAD 1370 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.022 µf ± 10% 250V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X7R 0.050 "(1.27 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPCT501W102K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. VPCT501W102K1GV001T 0.2300
सराय
ECAD 45 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) उचmuth वोल X7R 0.055 "(1.40 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
VPDD501G101J1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501G101J1GV001E 0.4500
सराय
ECAD 12 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 100 पीएफ ± 5% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 C0G, NP0 - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
501R18W472KV4E Johanson Dielectrics Inc. 501R18W472KV4E 0.0777
सराय
ECAD 5876 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल 501R18W X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD501W103K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPD501W103K1GV001E 0.3400
सराय
ECAD 105 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD501 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD102W472K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD102W472K1GV001E 0.7500
सराय
ECAD 269 0.00000000 तंगता एचवीएस-एचवीएस R टेप ray ryील (ther) शिर 4700 पीएफ ± 10% 1000V (1KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल Vpdd102 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDD202W471K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDD202W471K1GV001E 0.6500
सराय
ECAD 38 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 470 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल X 0.062" डबthutum (3.18 मिमी x 1.57 मिमी) - अणु, एमएलसीसी १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल VPDD202 X7R - 0.067 "(1.70 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
VPDR501W104K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR501W104K1GV001E 1.3600
सराय
ECAD 15 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.1 µf ± 10% 500V -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR501 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPDR202W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR202W102K1GV001E 0.4100
सराय
ECAD 5 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 2000V (2KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR202 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
VPDR302W102K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. VPDR302W102K1GV001E 0.6900
सराय
ECAD 192 0.00000000 तंगता - R टेप ray ryील (ther) शिर 1000 पीएफ ± 10% 3000V (3KV) -55 ° C ~ 125 ° C - फ़िल kburिंग - 0.177 "एल X 0.125" डबmuntum (4.50 मिमी x 3.18 मिमी)) - अणु, एमएलसीसी 1812 (4532 अटोर) उचmuth वोल VPDR302 X7R - 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 1,000
TCCF6R3X105K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TCCF6R3X105K1GV001T -
सराय
ECAD 6658 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.040 "एल X 0.020" डब expriguth (1.02 मिमी x 0.51 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - X5R 0.025 "(0.64 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 10,000
TDCP100X474K1GV001T Johanson Dielectrics Inc. TDCP100X474K1GV001T -
सराय
ECAD 1961 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0.47 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.063 "एल x 0.032" डबthutum (1.60 मिमी x 0.81 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X5R 0.035 "(0.89 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
TCCT100X475K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCCT100X475K1GV001E -
सराय
ECAD 1917 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 4.7 µf ± 10% 10V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R 0.060 "(1.52 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 3,000
TCCT6R3X106K1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCCT6R3X106K1GV001E 0.5700
सराय
ECAD 102 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 10% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.080 "एल X 0.050" PALUTHUTH (2.03 मिमी x 1.27 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 0805 (2012 पचुर) - X5R 0.060 "(1.52 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 2,000
TCDF6R3X226M1GV001E Johanson Dielectrics Inc. TCDF6R3X226M1GV001E -
सराय
ECAD 6455 0.00000000 तंगता Tanceram® R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 6.3V -55 ° C ~ 85 ° C - फ़िल kburिंग - 0.125 "एल x 0.095" डबthutum (3.18 मिमी x 2.41 मिमी) - अणु, एमएलसीसी 1210 (3225 कनर) - X5R 0.110 "(2.80 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 500
EMCP500W222M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP500W22222M1GV001T 0.3300
सराय
ECAD 15 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 2200 पीएफ ± 20% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
EMCP160W473M1GV001T Johanson Dielectrics Inc. EMCP160W473M1GV001T 0.4900
सराय
ECAD 184 0.00000000 तंगता X2Y® R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf ± 20% 16 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम, सन्निक - 0.064 "एक एक lestus 0.035" डबchauth यू (1.63 मिमी x 0.89 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) कम कम (x2Y) X7R 0.026 "(0.66 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.24.0020 4,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम