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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम कसना कांप -रन R ईएसआrir (t समककturadadaurauraurauraur) Sabasapak @ टेम सरायना रत्न शिर लेड स सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम तमाम तंग कन (अधिकतम) अफ़स्या तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़वाह
TCFGB1C106M8R Rohm Semiconductor TCFGB1C106M8R -
सराय
ECAD 6289 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 16 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCFGC1C476MCR Rohm Semiconductor TCFGC1C476MCR -
सराय
ECAD 2385 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 16 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.236 "एल x 0.126" डबmuthut (6.00 मिमी x 3.20 मिमी) 0.106 "(2.70 मिमी) सतह rurcur २३१२ (६०३२ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8532.21.0050 500 सी
MCH185A1R5CK Rohm Semiconductor MCH185A1R5CK -
सराय
ECAD 5341 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 1.5 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 4,000
MCH155A161JK Rohm Semiconductor MCH155A161JK -
सराय
ECAD 6429 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 160 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 10,000
MCH185CN103KK Rohm Semiconductor MCH185CN103KK -
सराय
ECAD 4168 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 10000 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 4,000
MCH185A181JK Rohm Semiconductor MCH185A181JK -
सराय
ECAD 7518 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 180 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 4,000
TCA0J335M8R Rohm Semiconductor TCA0J335M8R -
सराय
ECAD 9341 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 3.3 µf ± 20% 6.3 वी 5.6hm - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000
MCH155A510JK Rohm Semiconductor MCH155A510JK -
सराय
ECAD 3192 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 51 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - C0G, NP0 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 10,000
TCFGA1C685M8R Rohm Semiconductor TCFGA1C685M8R -
सराय
ECAD 7567 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 6.8 µf ± 20% 16 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000
TCFGA1C106M8R Rohm Semiconductor TCFGA1C106M8R -
सराय
ECAD 4484 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 16 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000
TCFGB0J686M8R Rohm Semiconductor TCFGB0J686M8R -
सराय
ECAD 3007 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 68 µf ± 20% 6.3 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
MCH185A020CK Rohm Semiconductor MCH185A020CK -
सराय
ECAD 9980 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 2 पीएफ ± 0.25pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 4,000
TCTAS0J476M8R Rohm Semiconductor TCTAS0J476M8R -
सराय
ECAD 9697 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 6.3 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCTAS0J476M8RTR Ear99 8532.21.0050 3,000 कसना
MCH185A060DK Rohm Semiconductor MCH185A060DK -
सराय
ECAD 2913 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 6 पीएफ ± 0.5pf 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 4,000
MCH032A2R2CK Rohm Semiconductor MCH032A2R2CK -
सराय
ECAD 8317 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 2.2 पीएफ ± 0.25pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 0.012 "(0.30 मिमी) - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8532.24.0020 15,000
TCSOM1A106M8R-ZM1 Rohm Semiconductor TCSOM1A106M8R-ZM1 0.2232
सराय
ECAD 6519 0.00000000 रोटी टीसीएसओ R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 10 वी 300mohm @ 100kHz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.063 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.60 मिमी x 0.85 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8532.21.0050 3,000 एम
MCH032ANR75CK Rohm Semiconductor MCH032ANR75CK -
सराय
ECAD 5131 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.75 पीएफ ± 0.25pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 0.012 "(0.30 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8532.24.0020 15,000
TCFGA1D105M8R Rohm Semiconductor TCFGA1D105M8R -
सराय
ECAD 9828 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 1 µf ± 20% 20 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000
MCH185A150JK Rohm Semiconductor MCH185A150JK -
सराय
ECAD 7569 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 15 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 4,000
MCH032AN010CK Rohm Semiconductor MCH032AN010CK -
सराय
ECAD 1409 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 1 पीएफ ± 0.25pf 25V -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०२०१ (०६०३ सटरी) - C0G, NP0 0.012 "(0.30 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8532.24.0020 15,000
MCH185A820JK Rohm Semiconductor MCH185A820JK -
सराय
ECAD 7978 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 82 पीएफ ± 5% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - C0G, NP0 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 4,000
MCH153FN473ZK Rohm Semiconductor MCH153FN473ZK -
सराय
ECAD 5888 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.047 µf -20%, +80% 16 वी -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) - अणु, एमएलसीसी ०४०२ - Y5v (f) 0.022 "(0.55 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 10,000
MCH185CN682KK Rohm Semiconductor MCH185CN682KK -
सराय
ECAD 1627 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 6800 पीएफ ± 10% 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - X7R 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 4,000
TCFGA0G476M8R Rohm Semiconductor TCFGA0G476M8R -
सराय
ECAD 8262 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 47 µf ± 20% 4 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.071 "(1.80 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000
TCFGB1C156M8R Rohm Semiconductor TCFGB1C156M8R -
सराय
ECAD 2111 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर 15 µf ± 20% 16 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.138 "एक एल lectut 0.110" lescunt (3.50 मिमी x 2.80 मिमी) 0.083 "(2.10 मिमी) सतह rurcur 1411 (3528 कनर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 बी
TCTAL1D226M8R-V1 Rohm Semiconductor TCTAL1D226M8R-V1 0.3076
सराय
ECAD 4973 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 22 µf ± 20% 20 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCTAL1D226M8R-V1TR Ear99 8532.21.0050 3,000 एएल
TCTAL1D106M8R Rohm Semiconductor TCTAL1D106M8R -
सराय
ECAD 8784 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 10 µf ± 20% 20 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCTAL1D106M8RTR Ear99 8532.21.0050 3,000 एएल
MCH183FN224ZK Rohm Semiconductor MCH183FN224ZK -
सराय
ECAD 3776 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 0.22 µf -20%, +80% 16 वी -30 ° C ~ 85 ° C - तमाम - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU - अणु, एमएलसीसी ०६०३ (१६० of सोरक) - Y5v (f) 0.035 "(0.90 मिमी) - तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8532.24.0020 4,000
TCSM0G107M8R-V1 Rohm Semiconductor TCSM0G107M8R-V1 0.6109
सराय
ECAD 6362 0.00000000 रोटी टीसी R टेप ray ryील (ther) शिर 100 µf ± 20% 4 वी 4OHM @ 100kHz - -55 ° C ~ 125 ° C - - 0.063 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.60 मिमी x 0.85 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) तमाम तमाम - - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-TCSM0G107M8R-V1TR Ear99 8532.21.0050 3,000 एम
TCFGP1A225M8R Rohm Semiconductor TCFGP1A225M8R -
सराय
ECAD 1649 0.00000000 रोटी टीसीएफजी R टेप ray ryील (ther) शिर २.२ µf ± 20% 10 वी - - -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) तमाम Rayrach फ e के के के kayta therauraum विफल - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8532.21.0050 2,000 पी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम