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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम Chana @ kthun सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग सराय क्योरस - रयरा वोलmume - बthurana वोलmus - कthलैंपिंग (अधिकतम) @ आईपीपी आईपीपी सराफक - पीक पल पलtum (10/1000) एस) तंग - पीक पल तंग द द चैनल चैनल
SM6S11AHE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6S11AHE3/2D -
सराय
ECAD 8395 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, PAR® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना Sm6s11 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 11v 12.2V 18.2v 253a 4600W (4.6KW) नहीं
SM6S26A-E3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6S26A-E3/2D -
सराय
ECAD 4261 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी शराबी R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM6S26 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 26v 28.9v 42.1v 109 ए 4600W (4.6KW) नहीं
SM6S30AHE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6S30AHE3/2D -
सराय
ECAD 3039 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, PAR® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM6S30 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 30V 33.3V 48.4v 95A 4600W (4.6KW) नहीं
SM6T12AHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T12AHE3/5B -
सराय
ECAD 5611 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T12 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 1 10.2v 11.4v 16.7v 36 ए 600W नहीं
SM6T150AHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T150AHE3/5B -
सराय
ECAD 5521 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T150 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 1 128V 143V 207V 2.9a 600W नहीं
SM6T150CA-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T150CA-E3/5B 0.1676
सराय
ECAD 1186 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) शिर -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T150 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 128V 143V 207V 2.9a 600W नहीं 1
SM6T15AHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T15AHE3/5B -
सराय
ECAD 7119 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T15 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 1 12.8v 14.3V 21.2v 28 ए 600W नहीं
SM6T200A-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T200A-E3/5B 0.1557
सराय
ECAD 9351 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) शिर -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T200 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 1 171v 190V 274v 2.2 ए 600W नहीं
SM6T200CAHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T200CAHE3/5B -
सराय
ECAD 6325 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T200 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 171v 190V 274v 2.2 ए 600W नहीं 1
SM6T220CA-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T220CA-E3/5B 0.1676
सराय
ECAD 3998 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) शिर -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T220 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 188v 209v 328V 2 ए 600W नहीं 1
SM6T27A-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T27A-E3/5B 0.1407
सराय
ECAD 9421 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) शिर -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T27 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 1 23.1v 25.7v 37.5V 16 ए 600W नहीं
SM6T27CA-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T27CA-E3/5B 0.4500
सराय
ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) शिर -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T27 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 23.1v 25.7v 37.5V 16 ए 600W नहीं 1
SM6T27CAHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T27CAHE3/5B -
सराय
ECAD 4154 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T27 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 23.1v 25.7v 37.5V 16 ए 600W नहीं 1
SM6T30AHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T30AHE3/5B -
सराय
ECAD 3412 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना SM6T30 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 1 25.6v 28.5V 41.5V 14.5 ए 600W नहीं
SM6T33AHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T33AHE3/5B -
सराय
ECAD 1142 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, SM6T, Transzorb® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur DO-214AA, SMB एक प्रकार का होना Sm6t33 - DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 1 28.2v 31.4v 45.7v 13.1a 600W नहीं
SM8S10A-E3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S10A-E3/2D -
सराय
ECAD 4448 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी शराबी R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S10 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 10V 11.1v 17v 388A 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S10HE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S10HE3/2D -
सराय
ECAD 3726 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, PAR® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S10 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 10V 11.1v 18.8v 351 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S12-E3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S12-E3/2D -
सराय
ECAD 6232 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी शराबी R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S12 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 12v 13.3v 22v 300 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S12AHE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S12AHE3/2D -
सराय
ECAD 3160 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, PAR® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S12 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 12v 13.3v 19.9v 332A 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S13AHE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S13AHE3/2D -
सराय
ECAD 4959 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, PAR® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S13 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 13V 14.4v 21.5v 307 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S17-E3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S17-E3/2D -
सराय
ECAD 3210 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी शराबी R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S17 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 17v 18.9v 30.5v 216 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S17AHE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S17AHE3/2D -
सराय
ECAD 1178 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, PAR® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S17 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 17v 18.9v 27.6v 239 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S17HE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S17HE3/2D -
सराय
ECAD 3524 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, PAR® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S17 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 17v 18.9v 30.5v 216 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S20-E3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S20-E3/2D -
सराय
ECAD 2985 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी शराबी R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S20 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 20 वी 22.2v 35.8V 184a 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S24A-E3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S24A-E3/2D -
सराय
ECAD 8554 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी शराबी R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S24 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 24V 26.7v 38.9V 170 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S26-E3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S26-E3/2D -
सराय
ECAD 7691 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी शराबी R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S26 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 26v 28.9v 46.6v 142 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S26A-E3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S26A-E3/2D -
सराय
ECAD 3830 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी शराबी R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S26 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 26v 28.9v 42.1v 157 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S26HE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S26HE3/2D -
सराय
ECAD 5425 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, PAR® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S26 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 26v 28.9v 46.6v 142 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S28AHE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S28AHE3/2D -
सराय
ECAD 7487 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, PAR® R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S28 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 28 वी 31.1v 45.4v 145 ए 6600W (6.6kW) नहीं
SM8S30-E3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S30-E3/2D -
सराय
ECAD 1369 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी शराबी R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur Do-218ab एक प्रकार का होना SM8S30 - Do-218ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 1 30V 33.3V 53.5V 123a 6600W (6.6kW) नहीं
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम