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तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	सरायना	रत्न	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	शराबी	कांपना	तमाम	वोलmume -	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	तमाम	सराफक - शयरा (अधिकतम)	तमाम	आवृतmuthauradala	सरायम (अप्रैल)	क्योरहम्युरसुधमस
3QHTF21-82.500-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	82.5 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF21-82.500-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
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18QHTF57-83.300-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	83.3 तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF57-83.300-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF32-82.705-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	82.705 तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF32-82.705-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF53-30.780-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	30.78 अय्यर	LVCMOS	2.5V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF53-30.780-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF22-148.4375-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	148.4375 तंग	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF22-148.4375-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF22-83.33333-oe	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	83.33333 अफ़्रीटम	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF22-83.3333333-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF21-85.207-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	85.207 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF21-85.207-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF57-36.6666-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	36.6666	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF57-36.6666-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF57-82.705-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	82.705 तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF57-82.705-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF53-109.620-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	१० ९ .६२ सरायम	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF53-109.620-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	28MA	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF32-83.0333-oe	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	83.0333 सरायम	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF32-83.0333-oe	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF22-198.120-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	198.12 अफ़रपदत	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF22-198.120-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF53-200.000-oe	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	२०० सराय	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF53-200.000-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF22-148.3516-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	148.3516	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF22-148.3516-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF32-196.608-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	196.608 अय्योर	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF32-196.608-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF22-199.000-oe	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	199 सभ्य	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF22-199.000-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF32-146.290-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	146.29 तंग	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF32-146.290-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF57-148.351651-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	148.351651 सोरहम	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF57-148.351651-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF21-83.33333333-oe	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	83.33333	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF21-83.33333333-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF22-36.5568-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	36.5568	LVCMOS	1.8V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF22-36.5568-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF53-149.896227-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	149.896227 सोरहम	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF53-149.896227-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF21-36.600-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	३६.६ तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF21-36.600-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF32-110.592-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	११०.५ ९ २ तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF32-110.592-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	28MA	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF21-144.295-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	144.295 तंग	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF21-144.295-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF53-36.020408-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	36.020408	LVCMOS	1.8V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF53-36.020408-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF32-30.320-oe	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	30.32 तंग	LVCMOS	3.3	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF32-30.320-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF32-83.33333-oe	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	83.33333 अफ़्रीटम	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF32-83.3333333-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-