दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 25QHTF22-12.900-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 12.9 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF22-12.900-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF53-40.056-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४०.०५६ तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-40.056-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF32-4.112-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.११२ सरायम | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-4.112-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF57-4.1943-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.१ ९ ४३ सरायम | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF57-4.1943-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF21-5.000-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५ सभा | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-5.000-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF21-12.5288-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 12.5288 अराध्य | LVCMOS | 2.5V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF21-12.5288-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF22-4.9152-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४. ९ १५२ सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF22-4.9152-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF21-8.042715-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 8.042715 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-8.042715-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF53-4.500-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.५ तंग | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF53-4.500-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF21-4.1943-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.१ ९ ४३ सरायम | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-4.1943-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF53-5.075-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 5.075 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF53-5.075-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF32-13.534-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 13.534 तंग | LVCMOS | 3.3 | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-13.534-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF57-13.5395-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 13.5395 तंग | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF57-13.5395-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF22-4.43362-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.४३६२ सरायम | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF22-4.43362-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF21-4.640-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.६४ तंग | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF21-4.640-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF22-7.3428-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.3428 अराध्य | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF22-7.3428-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF32-18.400-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 18.4 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-18.400-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF53-37.399439-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 37.399439 | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-37.399439-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF32-5.0196-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 5.0196 | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-5.0196-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF32-2.439-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २.४३ ९ तंग | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF32-2.439-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF32-2.220-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २.२२ तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-2.220-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF53-45.160-OE | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४५.१६ तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF53-45.160-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF57-4.608-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.६० ofer | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF57-4.608-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF53-8.0004-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 8.0004 सरायम | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF53-8.0004-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF53-7.600-OE | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.6 सराय | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-7.600-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF21-8.334959-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 8.334959 सोरप्युर | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF21-8.334959-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF53-4.754-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.५४ सरायम | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-4.754-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF22-8.448-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 8.448 तंग | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF22-8.448-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF22-9.78823-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 9.7823 | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF22-9.78823-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF57-9.4909-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 9.4909 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF57-9.4909-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - |
दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा
मानक उत्पाद एकक
दुनिया भर में निर्माता
चाल-चलन गोदाम