दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 18QHTF22-86.893-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 86.893 अय्यर | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF22-86.893-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF53-16.625-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 16.625 तंग | LVCMOS | 2.5V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-16.625-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF21-6.758-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 6.758 अराध्य | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF21-6.758-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF57-25.576-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 25.576 तंग | LVCMOS | 3.3 | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF57-25.576-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF53-50.404667-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 50.404667 | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF53-50.404667-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF22-26.990-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 26.99 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF22-26.990-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF32-50.3233-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५०.३२३३ सरायम | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF32-50.3233-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF57-79.6364-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 79.6364 अय्यर | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF57-79.6364-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF32-50.420-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५०.४२ तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-50.420-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-16.257-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 16.257 तंग | LVCMOS | 2.5V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-16.257-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-50.022-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५०.०२२ सरायम | LVCMOS | 2.5V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-50.022-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF21-9.728-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 9.728 अफ़रपित | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-9.728-oe | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-50.3933-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५०.३ ९ ३३ सरायम | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-50.3933-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF22-26.561172-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 26.561172 सरायम | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF22-26.561172-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF32-67.108865-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 67.108865 | LVCMOS | 3.3 | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-67.108865-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF22-66.66666-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 66.66666 | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF22-66.6666666-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | MQF326D33333-12.552-1.0/-40+85 | 35.7500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | शिलालेख | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.067 "(1.70 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | 12.552 तंग | LVDS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-MQF326D33333-12.552-1.0/-40+85 | Ear99 | 8541.60.0050 | 3 | अकmuth सक | 25ma | तिहाई | ± 1ppm | - | - | 18ma | |
![]() | 18QHTF32-33.554-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३३.५५४ तंग | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF32-33.554-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF32-18.8686-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 18.8686 सरायम | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF32-18.8686-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF53-13.4916-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १३.४ ९ १६ तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF53-13.4916-PD | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF53-56.3202-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५६.३२०२ सरायम | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF53-56.3202-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF32-74.500-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 74.5 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-74.500-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF22-109.99995-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 109.9995 | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF22-109.99995-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 28MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF21-66.3552-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ६६.३५५२ सरायम | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF21-66.3552-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF21-57.2727-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 57.2727 अय्योर | LVCMOS | 2.5V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF21-57.2727-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF57-13.505-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 13.505 तंग | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF57-13.505-PD | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF21-25.768-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 25.768 अफ़रपित | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF21-25.768-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | VMQF576D33-66.500-1.0/-40+85 | 37.7500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | शिलालेख | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.102 "(2.60 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | Vctcxo | 66.5 तंग | LVDS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | २ (१ सींग) | तमाम | 2425-VMQF576D33-66.500-1.0/-40+85 | Ear99 | 8541.60.0060 | 3 | तंग | 26ma | तिहाई | ± 1ppm | ± 8ppm | - | 18ma | |
![]() | 25QHTF57-50.0367-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५०.०३६ ruir | LVCMOS | 2.5V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF57-50.0367-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | QVMQF326D25-2.0A-28.800 | 34.7500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | शिलालेख | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.067 "(1.70 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | Vctcxo | 28.8 तंग | LVDS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-QVMQF326D25-2.0A-28.800 | Ear99 | 8541.60.0050 | 3 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 2ppm | ± 8ppm | - | 18ma |
दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा
मानक उत्पाद एकक
दुनिया भर में निर्माता
चाल-चलन गोदाम