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18QHTF32-26.6666-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	26.6666	LVCMOS	1.8V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF32-26.6666-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
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18QHTF57-50.3067-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	५०.३०६ ruraurauthuthuthuthut	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF57-50.3067-PD	Ear99	8541.60.0060	5	तमाम (तंगर शेर)	24MA	तिहाई	± 50ppm	-	-
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3QHTF57-91.500-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	91.5 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF57-91.500-PD	Ear99	8541.60.0060	5	तमाम (तंगर शेर)	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
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3QHTF22-8.3125-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	8.3125 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF22-8.3125-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	21ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF32-39.3216-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	39.3216	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF32-39.3216-PD	Ear99	8541.60.0060	5	तमाम (तंगर शेर)	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF53-156.2539-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	१५६.२५३ ९ अराध्य	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF53-156.2539-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF21-12.568343-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	12.568343	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF21-12.568343-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF32-169.200-oe	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	169.2 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF32-169.200-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF53-31.875-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	31.875 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF53-31.875-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
QMQF326D25-2.5B-74.125	33.7500	सराय	250	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	शिलालेख	कांपना	शिर	-30 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.067 "(1.70 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	कांपना	74.125 तंग	LVDS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-QMQF326D25-2.5B-74.125	Ear99	8541.60.0050	3	-	23ma	तिहाई	± 2.5ppm	-	-
3QHTF57-150.060-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	150.06 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF57-150.060-PD	Ear99	8541.60.0060	5	तमाम (तंगर शेर)	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF22-50.130-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	५०.१३ तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF22-50.130-PD	Ear99	8541.60.0060	5	तमाम (तंगर शेर)	24MA	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF22-50.136-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	५०.१३६ तंग	LVCMOS	1.8V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF22-50.136-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	24MA	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF21-24.545-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	२४.५४५ तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF21-24.545-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF21-40.400-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	४०.४ तंग	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF21-40.400-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF32-155.025-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	155.025 तंग	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF32-155.025-PD	Ear99	8541.60.0060	5	तमाम (तंगर शेर)	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF57-115.500-PD	20.2500	सराय	250	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	115.5 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF57-115.500-PD	Ear99	8541.60.0060	5	तमाम (तंगर शेर)	28MA	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF57-2.457-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	२.४५ ofer	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF57-2.457-PD	Ear99	8541.60.0030	5	तमाम (तंगर शेर)	21ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF22-50.500-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	५०.५ तंग	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF22-50.500-PD	Ear99	8541.60.0060	5	तमाम (तंगर शेर)	24MA	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF22-51.200-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	५१.२ तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF22-51.200-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	24MA	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF22-3.333333-oe	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	3.333333 अय्योर	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF22-3.333333-oe	Ear99	8541.60.0030	5	अकmuth सक	21ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF21-174.7031-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	174.7031 सरायम	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF21-174.7031-PD	Ear99	8541.60.0060	5	तमाम (तंगर शेर)	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF57-16.92222222-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	१६. ९ २२२२२ सरायम	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF57-16.92222222-PD	Ear99	8541.60.0050	5	तमाम (तंगर शेर)	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF21-40.260-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	४०.२६ तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF21-40.260-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF57-161.138-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	161.138	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF57-161.138-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	29ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF53-73.195-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	73.195 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF53-73.195-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF21-73.144-PD	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	73.144 तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF21-73.144-PD	Ear99	8541.60.0060	5	तमाम (तंगर शेर)	26ma	तिहाई	± 50ppm	-	-