दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 25QHTF22-50.2133-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५०.२१३३ सरायम | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF22-50.2133-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF21-36.666666-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 36.6666 | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF21-36.666666-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF22-58.9248-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 58.9248 अराध्य | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF22-58.9248-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-9.713-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 9.713 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-9.713-oe | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF22-49.248-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 49.248 अफ़रपित | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF22-49.248-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF22-23.520-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २३.५२ तंग | LVCMOS | 2.5V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF22-23.520-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF22-53.300-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५३.३ तंग | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF22-53.300-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-145.800-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 145.8 तंग्य | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-145.800-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 29ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF57-27.190-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27.19 तंग | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF57-27.190-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHM572C2.0-96.000 | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | शिलालेख | कांपना | शिर | -45 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.055 "(1.40 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | 96 सराय | सीएमओएस (कम ईएमआई) | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHM572C2.0-96.000 | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | तिहाई | ± 50ppm | - | And 2.00%, पचरा | |||
![]() | 18QHTF22-27.115-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27.115 तंग | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF22-27.115-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-66.700-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 66.7 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-66.700-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF21-50.140-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५०.१४ तंग | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF21-50.140-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF22-63.500-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 63.5 तंग | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF22-63.500-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF32-85.932-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 85.932 तंग | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF32-85.932-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF57-83.330-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 83.33 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF57-83.330-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF53-65.300-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 65.3 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-65.300-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 26ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | MQF326D25-18.432-1.0/-40+85 | 35.7500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | शिलालेख | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.067 "(1.70 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | 18.432 तंग | LVDS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-MQF326D25-18.432-1.0/-40+85 | Ear99 | 8541.60.0050 | 3 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 1ppm | - | - | 18ma | |
![]() | 25QHTF32-37.875-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 37.875 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-37.875-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF32-192.456-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 192.456 | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-192.456-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 29ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF57-16.38401-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 16.38401 सरायम | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF57-16.38401-PD | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | VMQF576P25-153.600-1.0/-40+85 | 37.7500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | शिलालेख | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.102 "(2.60 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | Vctcxo | १५३.६ तंग | LVPECL | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | २ (१ सींग) | तमाम | 2425-VMQF576P25-153.600-1.0/-40+85 | Ear99 | 8541.60.0060 | 3 | तंग | 30ma | तिहाई | ± 1ppm | ± 8ppm | - | 18ma | |
![]() | 25QHTF53-23.33125-PD | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २३.३३१२५ सरायम | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-23.33125-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF32-156.2578-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 156.2578 | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-156.2578-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 29ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF21-26.9973-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 26.9973 दार्य | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-26.9973-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF57-134.784-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 134.784 दार्य | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF57-134.784-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 28MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 3QHTF53-27.110-PD | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27.11 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF53-27.110-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF32-27.030-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27.03 तंग | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF32-27.030-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 18QHTF57-53.109062-PD | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५३.१० ९ ०६२ सरायम | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF57-53.109062-PD | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | तमाम (तंगर शेर) | 24MA | तिहाई | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | 25QHTF53-13.510-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १३.५१ तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-13.510-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - |
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