दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस |
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![]() | 18QHTF53-10.000123-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 10.000123 अय्योर | LVCMOS | 1.8V | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF53-10.000123-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 22ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF21-3.786-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 3.786 अराध्य | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF21-3.786-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF32-3.93216-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३. ९ ३२१६ सरायम | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-3.93216-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF32-3.883-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 3.883 अराध्य | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-3.883-oe | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF21-4.100-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.१ तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF21-4.100-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF32-7.9488-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.9488 अराध्य | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-7.9488-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF32-5.1784-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 5.1784 अफ़रपित | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF32-5.1784-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF32-8.334959-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 8.334959 सोरप्युर | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-8.334959-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF53-4.194304-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.१ ९ ४३०४ सींग | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF53-4.194304-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF32-3.854-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 3.854 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-3.854-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF32-4.032-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.०३२ सरायम | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF32-4.032-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF53-4.2944-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.२ ९ ४४ तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-4.2944-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF21-7.680-OE | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.68 तंग्य | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF21-7.680-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF21-7.392-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.392 दार्य | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF21-7.392-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF32-9.8034-oe | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 9.8034 तंग | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF32-9.8034-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF21-7.3727-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.377 | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-7.3727-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF32-7.864-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.864 दार्य | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF32-7.864-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF22-3.996-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३. ९९ ६ सभ्य | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF22-3.996-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF53-4.064-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.०६४ तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF53-4.064-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF53-7.7328-OE | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.328 | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF53-7.7328-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF57-38.7072-OE | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 38.7072 सरायम | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF57-38.7072-OE | Ear99 | 8541.60.0060 | 5 | अकmuth सक | 23ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF57-7.675-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.675 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF57-7.675-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF53-8.0174-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF53 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.047 "(1.20 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 8.0174 सरायम | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF53-8.0174-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF21-7.8432-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.8432 अफ़रपित | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-7.8432-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF21-7.994-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 7.994 अफ़रपित | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-7.994-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF21-9.8034-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF21 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 9.8034 तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF21-9.8034-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF57-8.0004-oe | 20.2500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF57 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 8.0004 सरायम | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF57-8.0004-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 18QHTF22-4.112-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 18QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.११२ सरायम | LVCMOS | 1.8V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-18QHTF22-4.112-OE | Ear99 | 8541.60.0030 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 3QHTF22-9.830-oe | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 3QHTF22 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 9.83 दार्य | LVCMOS | 3.3 | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-3QHTF22-9.830-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - | |
![]() | 25QHTF32-8.300-OE | 20.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर | 25QHTF32 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 8.3 तंग | LVCMOS | 2.5V | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | 2425-25QHTF32-8.300-OE | Ear99 | 8541.60.0050 | 5 | अकmuth सक | 21ma | तिहाई | ± 50ppm | - | - |
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