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18QHTF57-11.650-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	11.65 तंग	LVCMOS	1.8V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF57-11.650-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
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25QHTF57-13.54856-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	13.54856	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF57-13.54856-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF32-12.498375-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	12.498375 SANAHIRUTHUTHUTHUNT	LVCMOS	1.8V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF32-12.498375-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF53-12.444444-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	12.444444 सोरहम	LVCMOS	1.8V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF53-12.444444-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF32-10.83322-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	10.83322 सरायम	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF32-10.83322-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF57-15.72864-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	15.72864 सोरहम	LVCMOS	2.5V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF57-15.72864-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF53-12.0305-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	12.0305 तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF53-12.0305-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF32-49.570-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	49.57 तंग	LVCMOS	2.5V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF32-49.570-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF21-18.430-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	18.43 तंग	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF21-18.430-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF53-12.11876-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	12.11876 अय्योर	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF53-12.11876-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF21-37.300-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	37.3 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF21-37.300-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF22-10.7406-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	10.7406	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF22-10.7406-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF32-12.11876-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	12.11876 अय्योर	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF32-12.11876-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF21-45.545-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF21	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	४५.५४५ तंग	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF21-45.545-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF32-16.080-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	16.08 तंग	LVCMOS	1.8V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF32-16.080-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
3QHTF22-13.5873-oe	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	3QHTF22	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	13.5873 सरायम	LVCMOS	3.3	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-3QHTF22-13.5873-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF53-12.960-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF53	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	12.96 तंग	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF53-12.960-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF32-15.995-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF32	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	15.995 तंग	LVCMOS	2.5V	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF32-15.995-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF57-45.714285-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	45.714285 सोरहम	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF57-45.714285-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
18QHTF57-13.5531-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	18QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	13.5531 सरायम	LVCMOS	1.8V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-18QHTF57-13.5531-OE	Ear99	8541.60.0050	5	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 50ppm	-	-
25QHTF57-48.416-OE	20.2500	सराय	500	अफ़राहस, सान्तम्युरक्युर	25QHTF57	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	48.416 अराध्य	LVCMOS	2.5V	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	2425-25QHTF57-48.416-OE	Ear99	8541.60.0060	5	अकmuth सक	23ma	तिहाई	± 50ppm	-	-