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XLL728027.000000X	4.2585	सराय	3637	रेनसस अयस्करस	तमाम	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	XLL728	27 सराय	LVDS	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	800-XLL728027.000000XTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	34ma	तिहाई	± 20ppm	-	-	-
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XLH720001.000000X	0.9352	सराय	2028	रेनसस अयस्करस	तमाम	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	XLH720	1 सराय	एचसीएमओएस	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira		तमाम	800-XLH720001.000000XTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 100ppm	-	-	-
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XLH520001.000000X	0.9352	सराय	6093	रेनसस अयस्करस	तमाम	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	XLH520	1 सराय	एचसीएमओएस	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira		तमाम	800-XLH520001.000000XTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	22ma	तिहाई	± 100ppm	-	-	-
XLP736050.000000I	3.6406	सराय	6960	रेनसस अयस्करस	तमाम	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	XLP736	५० सभा	LVPECL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	800-XLP736050.000000ITR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	120ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XLP73V065.536000X	3.9412	सराय	3795	रेनसस अयस्करस	तमाम	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	कांपना	XLP73V	६५.५३६ तंग	LVPECL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	800-XLP73V065.536000XTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	120ma	तिहाई	-	-	-	-
XUH715024.000000K	1.9304	सराय	5227	रेनसस अयस्करस	जू	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		२४ सराय	LVCMOS	1.8V	-	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		800-XUH715024.000000KTR			1,000	अकmuth सक	58ma	तिहाई	± 50ppm	-	-	-
XPL735153.600000K	7.7975	सराय	1173	रेनसस अयस्करस	XP	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.074 "(1.88 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO		१५३.६ तंग	LVDS	3.3	-	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		800-xpl735153.600000ktr			1,000	अकmuth सक	67ma	तिहाई	± 50ppm	-	-	-
XFL316200.000000i	6.4596	सराय	7307	रेनसस अयस्करस	कांपना	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.037 "(0.95 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO		२०० सराय	LVDS	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira			800-XFL316200.000000I	Ear99	8542.39.0001	500	अकmuth सक	66ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XLH536133.33333333i	1.6678	सराय	3037	रेनसस अयस्करस	तमाम	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		133.333333 सोरहम	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira			800-XLH536133.33333333RITR		8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	55ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XUM728250.000000X	2.1775	सराय	2468	रेनसस अयस्करस	जू	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		२५० तंग	LVDS	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		800-XUM728250.000000XTR		8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	90ma	तिहाई	± 20ppm	-	-	-
XFL216040.000000i	5.2704	सराय	4053	रेनसस अयस्करस	कांपना	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.043 ”(1.10 मिमी)	सतह rurcur	12-कोई, लीड लीड लीड नहीं, ranahir the	XO		40 सराय	LVDS	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	3 (168 घंटे)		800-XFL216040.000000I	Ear99	8542.39.0001	500	अकmuth सक	66ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XFN536100.000000I	6.8072	सराय	9602	रेनसस अयस्करस	कांपना	थोक	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.037 "(0.95 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO		100 सराय	एचसीएसएल	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	3 (168 घंटे)		800-XFN536100.000000I	Ear99	8542.39.0001	500	अकmuth सक	83MA	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XPL736200.000000I	7.7975	सराय	5637	रेनसस अयस्करस	XP	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.074 "(1.88 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO		२०० सराय	LVDS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		800-XPL736200.000000ITR		8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	67ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XFL336830.078125I	6.4451	सराय	3956	रेनसस अयस्करस	कांपना	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.037 "(0.95 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO		830.078125 SANAHIRUTHUTHUNT	LVDS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira			800-XFL336830.078125I	Ear99	8542.39.0001	500	अकmuth सक	85ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XLY335100.000000I	1.9748	सराय	3668	रेनसस अयस्करस	तमाम	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		100 सराय	एचसीएमओएस	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira			800-XLY335100.000000ITR		8542.39.0001	2,000	अकmuth सक	47ma	तिहाई	± 50ppm	-	-	-
XFP336048.000000i	6.4596	सराय	4958	रेनसस अयस्करस	कांपना	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.037 "(0.95 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO		४ yathaurautautun	LVPECL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira			800-XFP336048.000000I	Ear99	8542.39.0001	500	अकmuth सक	94ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XUJ535156.250000I	2.2786	सराय	1525	रेनसस अयस्करस	जू	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		156.25 तंग	LVCMOS	3.3	-	Rohs3 आजthabaira			800-XUJ535156.250000ITR			1,000	अकmuth सक	108ma	तिहाई	± 50ppm	-	-	-
XUH738050.000000X	1.9304	सराय	7035	रेनसस अयस्करस	जू	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		५० सभा	LVCMOS	3.3	-	Rohs3 आजthabaira			800-XUH738050.000000XTR			1,000	अकmuth सक	98ma	तिहाई	± 20ppm	-	-	-
XUH730080.000000I	1.9304	सराय	8749	रेनसस अयस्करस	जू	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		80 सराय	LVCMOS	3.3	-	Rohs3 आजthabaira			800-XUH730080.000000ITR			1,000	अकmuth सक	108ma	तिहाई	± 100ppm	-	-	-
XFL316125.000000i	6.4451	सराय	8069	रेनसस अयस्करस	कांपना	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.037 "(0.95 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO		१२५ सराय	LVDS	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira			800-XFL316125.000000I	Ear99	8542.39.0001	500	अकmuth सक	66ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
Xlj726150.000000i	1.6987	सराय	7561	रेनसस अयस्करस	तमाम	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		१५० तंग	LVCMOS	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira			800-XLJ726150.000000ITR		8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	35ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XLH335050.000JX4I	0.8037	सराय	4707	रेनसस अयस्करस	तमाम	थोक	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		५० सभा	LVCMOS	3.3	-	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		800-XLH335050.000JX4I			2,000	अकmuth सक	47ma	तिहाई	± 50ppm	-	-	-
XUL736380.000000i	2.1775	सराय	6120	रेनसस अयस्करस	जू	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		380 तंग	LVDS	3.3	-	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		800-XUL736380.000000ITR			1,000	अकmuth सक	97ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XPP735156.250000K	7.7975	सराय	7576	रेनसस अयस्करस	XP	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.074 "(1.88 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO		156.25 तंग	LVPECL	3.3	-	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		800-XPP735156.250000CTR			1,000	अकmuth सक	94ma	तिहाई	± 50ppm	-	-	-
XLH336125.000000i	1.6867	सराय	4399	रेनसस अयस्करस	तमाम	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		१२५ सराय	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira			800-XLH336125.000000ITR	Ear99	8541.60.0080	1	अकmuth सक	47ma	तिहाई	± 25ppm	-	-	-
XLH73V134.400000I	2.3046	सराय	8597	रेनसस अयस्करस	तमाम	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.057 "(1.45 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना		134.4 तंग	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira			800-XLH73V134.400000ITR	Ear99	8541.60.0080	1	तंग	55ma	तिहाई	-	± 50ppm	-	-
XLL738050.000000X	4.2585	सराय	2037	रेनसस अयस्करस	Xpresso ™ FXO-LC73	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "एल x 0.205" डब50 (7.50 मिमी x 5.20 मिमी)	0.055 "(1.40 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	XLL738	५० सभा	LVDS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	100ma	तिहाई	± 20ppm	-		-

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