दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | अफ़र | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 501ABA8M00000BAF | - | ![]() | 3048 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 8 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | 336-2868 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501AAA24M0000DAF | - | ![]() | 1000 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २४ सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | 336-2914 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501AAA25M0000BAG | - | ![]() | 7134 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २५ सभा | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | 336-2929 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501EAA48M0000DAG | - | ![]() | 2960 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | 336-2975 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501EAA48M0000CAF | - | ![]() | 3824 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | 336-2972 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501JCAM032768DAFR | - | ![]() | 5361 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 32.768 kHz | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501JCA24M0000DAFR | - | ![]() | 3452 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २४ सराय | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501JCA25M0000BAFR | - | ![]() | 8895 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २५ सभा | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501JCA100M000DAFR | - | ![]() | 9823 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 100 सराय | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 8.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501HCA12M0000DAFR | - | ![]() | 2375 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 12 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501ABA8M00000BAG | - | ![]() | 4482 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 8 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | 336-2869 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501BAA16M0000BAG | - | ![]() | 8664 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 16 सराय | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | 336-2899 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501JCA100M000CAF | - | ![]() | 2497 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 100 सराय | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | 336-2996 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 8.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501HCA12M0000BAG | - | ![]() | 9653 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 12 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | 336-2887 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501ACA100M000BAF | - | ![]() | 6247 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 100 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | 336-2988 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501HCA12M0000CAGR | - | ![]() | 3918 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 12 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501JAA24M0000BAF | - | ![]() | 2179 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २४ सराय | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | 336-2916 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501AAA27M0000BAF | - | ![]() | 2619 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 27 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | 336-2952 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | 501BCAM032768CAG | - | ![]() | 3510 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 32.768 kHz | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | 336-2853 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA | |
![]() | SI50122-A4-GMR | - | ![]() | 9039 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI50122-A4 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 10-वीएफडीएफएन | CMEMS® | 100 सराय | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | 23ma | एमईएमएस | +100ppm | - | - | - | ||
![]() | SI50122-A6-GM | - | ![]() | 3165 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI50122-A6 | थोक | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 10-वीएफडीएफएन | CMEMS® | 100 सराय | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | २ (१ सींग) | 336-3074 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 23ma | एमईएमएस | +100ppm | - | - | - | |
![]() | 501AAA27M0000DAGR | - | ![]() | 3259 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 27 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 2.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 2.5MA | ||
![]() | 501HCA26M0000CAGR | - | ![]() | 8396 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २६ सभा | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501JCA20M0000BAG | - | ![]() | 4347 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २० सभा | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | 336-2905 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | 501JAA25M0000DAG | - | ![]() | 7854 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २५ सभा | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | 336-2939 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 4.9ma | |
![]() | SI50122-A5-GM | - | ![]() | 4680 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI50122-A5 | थोक | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 10-वीएफडीएफएन | CMEMS® | 100 सराय | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | २ (१ सींग) | 336-3073 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 23ma | एमईएमएस | +100ppm | - | - | - | |
![]() | SI50122-A2-GMR | - | ![]() | 2412 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI50122-A2 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 10-वीएफडीएफएन | CMEMS® | 100 सराय | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | 23ma | एमईएमएस | +100ppm | - | - | - | ||
![]() | SI50122-A1-GM | - | ![]() | 1177 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI50122-A1 | नली | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 10-वीएफडीएफएन | CMEMS® | 100 सराय | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | २ (१ सींग) | 336-3069 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 23ma | एमईएमएस | +100ppm | - | - | - | |
![]() | 501JAA25M0000CAFR | - | ![]() | 3051 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | २५ सभा | LVCMOS | 3.3 | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 4.9ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 4.9ma | ||
![]() | 501ACA100M000DAFR | - | ![]() | 9709 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | SI501 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 100 सराय | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | अकmuth सक | 6.5ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 2.5MA |
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