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प्राइर (651585)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT8208AC-G3-33S-38.000000T | 1.2250 |  | 6990 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 38 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 70μA | ||
| SIT8208AC-G3-33S-40.000000T | 1.2250 | | 9214 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 40 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 1473-SIT8208AC-G3-33S-40.000000TTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 70μA | ||
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| SIT8208AC-G3-33S-60.000000Y | 1.2906 | | 4927 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 60 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 70μA | ||
| SIT8208AC-G3-33S-65.000000T | 1.2250 | | 6494 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | ६५ सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 70μA | ||
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| SIT8208AC-G3-33S-66.666600T | 1.2250 | | 6507 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 66.6666 | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 70μA | ||
| SIT8208AC-G3-33S-66.666600X | 1.5750 | | 9970 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 66.6666 | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 70μA | ||
| SIT8208AC-G3-33S-74.176000Y | 1.2906 | | 8132 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 74.176 अराध्य | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 70μA | ||
| SIT8208AC-G3-33S-75.000000T | 1.2250 | | 3048 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 75 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 70μA | ||
| SIT8208AC-G3-33S-77.760000T | 1.2250 | | 6638 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 77.76 सरायम | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 70μA | ||
| SIT8208AC-GF-18E-12.000000X | 4.3488 | | 3478 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 12 सराय | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | |||
| SIT8208AC-GF-18E-12.800000Y | 3.6149 | | 9603 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 12.8 तंग | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | |||
| SIT8208AC-GF-18E-16.367667X | 4.3488 | | 7337 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 16.367667 | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | |||
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| SIT8208AC-GF-25S-65.000000T | 3.6149 | | 1487 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ६५ सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |||
| SIT8208AC-GF-25S-66.666000T | 3.6149 | | 3927 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 66.666 सरायम | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |||
| SIT8208AC-GF-25S-74.250000T | 3.6149 | | 5939 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 74.25 तंग | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |||
| SIT8208AC-GF-25S-75.000000Y | 3.6149 | | 9926 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 75 सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |||
| SIT8208AC-GF-25S-8.192000Y | 3.6149 | | 4953 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 8.192 अफ़रपित | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |||
| SIT8208AC-GF-28E-10.000000X | 4.3488 | | 4263 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 10 सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AC-GF-28E-14.000000X | 4.3488 | | 7047 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १४ सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AC-GF-28E-119.440000Y | 3.6149 | | 8798 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 19.44 तंग | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AC-GF-28E-20.000000Y | 3.6149 | | 2018 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २० सभा | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AC-GF-28E-24.000000T | 3.6149 | | 6277 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २४ सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AC-GF-28E-24.000000Y | 3.6149 | | 4898 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २४ सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AC-GF-28E-27.000000X | 4.3488 | | 6898 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AC-GF-28E-33.300000T | 3.6149 | | 8690 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३३.३ तंग | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AC-GF-28E-33.300000Y | 3.6149 | | 2439 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३३.३ तंग | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AC-GF-28E-33.330000T | 3.6149 | | 7060 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३३.३३ सरायम | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma |
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