दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | तमाम | वोलmume - | अफ़र | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) | उपलबmun आवृत | आवृत आवृत |
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![]() | 501JCD-ACAF | - | ![]() | 2942 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501JCD | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |
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![]() | 503DAB-ABAG | - | ![]() | 5031 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI503 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 503DAB | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
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![]() | 502kad-Adaf | - | ![]() | 9776 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502kad | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 502MAF-ADAG | - | ![]() | 5438 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502MAF | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 501MAF-ACAF | - | ![]() | 1699 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501MAF | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 501FAB-ABAG | - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501FAB | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 502FAE-ACAG | - | ![]() | 2423 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502FAE | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 501JAC-ACAF | - | ![]() | 8600 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501 जेक | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 501LAF-ADAG | - | ![]() | 3656 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501laf | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 501mae-abaf | - | ![]() | 7776 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501mae | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 501DAD-ADAG | - | ![]() | 1344 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501dad | LVCMOS | 1.8V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm | |
![]() | 501pbH-ACAG | - | ![]() | 4284 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501pbh | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 30ppm | |
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![]() | 501KCG-ACAG | - | ![]() | 3457 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501kcg | LVCMOS | 2.5V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |
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![]() | 502JCB-ABAG | - | ![]() | 9283 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI502 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "एल x 0.126" डबmuntur (4.00 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 502JCB | LVCMOS | 3.3 | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 8.9ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 20ppm | |
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![]() | 501FAE-ACAG | - | ![]() | 7262 | 0.00000000 | सिलिकॉन लैब | CMEMS® SI501 | शिर | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.035 "(0.90 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | CMEMS® | 501FAE | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | अकmuth सक | Sic दthabara पtrauthaurak kana rana | 6.5ma | एमईएमएस | - | - | 1 µa | 32 kHz ~ 100 सारा | ± 50ppm |
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