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तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	सरायना	रत्न	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	शराबी	कांपना	तमाम	वोलmume -	तंग	अफ़र	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	तमाम	सराफक - शयरा (अधिकतम)	तमाम	तमाम	आवृतmuthauradala	सरायम (अप्रैल)	क्योरहम्युरसुधमस	सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)	आवृतmume - आउटपुट 1	आवृतmut - आउटपुट 2	आवृतmume - आउटपुट 3	आवृतmut - आउटपुट 4
514GAA000126CAGR	8.5976	सराय	7512	तमामयस	SI514	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.043 ”(1.10 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	२०० सराय	सीएमओएस	2.5V	तंग	२ (१ सींग)	863-514GAA000126CAGRTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	26ma		तिहाई	± 50ppm	-	-	18ma
510JCA30M0000BAG	5.5517	सराय	6997	तमामयस	SI510	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.052 "(1.33 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	30 सराय	LVDS	1.8V	तंग	1 (असीमित)	863-510JCA30M0000BAG	Ear99	8542.39.0001	200	अकmuth सक	23ma		तिहाई	± 20ppm	-	-	18ma
532JB000863DG	12.4714	सराय	6126	तमामयस	SI532	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)			6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		सीएमओएस	1.8V	तंग	1 (असीमित)	863-532JB000863DG	Ear99	8542.39.0001	50	अकmuth सक	88ma	0.071 "(1.80 मिमी)	तिहाई	± 20ppm			75 सना हुआ	25MHz, 50MHz	-	-	-
515BAA004636BAGR	6.6660	सराय	8697	तमामयस	SI515	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.052 "(1.33 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	कांपना	167.33165 तंग	LVDS	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-515BAA004636BAGRTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	26ma		तिहाई	± 20ppm	± 100ppm	-	22ma
515BAAA156M250AAGR	9.3299	सराय	7365	तमामयस	SI515	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	कांपना	156.25 तंग	LVDS	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-515BAA156M250AAGRTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	26ma		तिहाई	± 20ppm	± 100ppm	-	22ma
530JC19M2000DG	13.5036	सराय	6563	तमामयस	SI530	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	१ ९।	सीएमओएस	1.8V	तंग	1 (असीमित)	863-530JC19M2000DG	Ear99	8542.39.0001	50	अकmuth सक	88ma		तिहाई	± 7ppm	-	-	75ma
511LCA38M4000CAG	5.5517	सराय	1317	तमामयस	SI511	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.043 ”(1.10 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	38.4 तंग	एचसीएसएल	1.8V	तंग	२ (१ सींग)	863-511LCA38M4000CAG	Ear99	8542.39.0001	200	अकmuth सक	44ma		तिहाई	± 20ppm	-	-	18ma
510KAA160M000CAG	4.4117	सराय	8864	तमामयस	SI510	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.043 ”(1.10 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	160 तंग	सीएमओएस	1.8V	तंग	२ (१ सींग)	863-510KAA160M000CAG	Ear99	8542.39.0001	200	अकmuth सक	26ma		तिहाई	± 50ppm	-	-	18ma
511FCB156M250BAG	6.1055	सराय	1823	तमामयस	SI511	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.052 "(1.33 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	156.25 तंग	LVDS	2.5V	तंग	1 (असीमित)	863-511FCB156M250BAG	Ear99	8542.39.0001	200	अकmuth सक	23ma		तिहाई	± 20ppm	-	-	18ma
510CCA22M5792CAG	4.4602	सराय	1790	तमामयस	SI510	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.043 ”(1.10 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	22.5792 तंग	सीएमओएस	3.3	तंग	२ (१ सींग)	863-510CCA22M5792CAG	Ear99	8542.39.0001	200	अकmuth सक	26ma		तिहाई	± 20ppm	-	-	18ma
510KAA27M0000CAGR	3.3542	सराय	5692	तमामयस	SI510	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.043 ”(1.10 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	27 सराय	सीएमओएस	1.8V	तंग	२ (१ सींग)	863-510KAAA27M0000CAGRTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	26ma		तिहाई	± 50ppm	-	-	18ma
545BCA233M333CCG	12.9664	सराय	1041	तमामयस	अफ़सिन	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	233.333 अफ़्री	LVDS	1.8V ~ 3.3V	तंग	२ (१ सींग)	863-545BCA2333333CCG	Ear99	8542.39.0001	50	अकmuth सक	121ma		तिहाई	± 7ppm	-	-	112ma
590BD300M000DGR	10.7989	सराय	2717	तमामयस	SI590	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	३०० तंग	LVDS	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-590BD300M000DGRTR	Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	100ma		तिहाई	± 7ppm	-	-	75ma
596CC000174DG	8.8602	सराय	4538	तमामयस	SI596	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)			6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	कांपना		सीएमओएस	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-596CC000174DG	Ear99	8542.39.0001	50	-	100ma	0.071 "(1.80 मिमी)	तिहाई	± 50ppm				45.1584MHz, 49.152MHz	-	-	-
510CCA38M8000CAGR	3.7075	सराय	2474	तमामयस	SI510	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.043 ”(1.10 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	38.8 अफ़रपित	सीएमओएस	3.3	तंग	२ (१ सींग)	863-510CCA38M8000CAGRTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	26ma		तिहाई	± 20ppm	-	-	18ma
513AAA001133AAG	8.7103	सराय	1393	तमामयस	SI513	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)			6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		LVPECL	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-513AAA001133AAG	Ear99	8542.39.0001	200	अकmuth सक	43ma	0.071 "(1.80 मिमी)	तिहाई	± 50ppm			18 सना हुआ	245.0012MHz, 245.0024MHz	-	-	-
548HAAAAA000118CCG	38.7098	सराय	2716	तमामयस	अफ़संद	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	156.25 तंग	एचसीएसएल	1.8V ~ 3.3V	तंग	२ (१ सींग)	863-548HAAAAA000118CCG	Ear99	8542.39.0001	50	अकmuth सक	138ma		तिहाई	± 20ppm	-	-	112ma
530AC134M800DGR	16.6435	सराय	2341	तमामयस	SI530	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	134.8 अफ़रपित	LVPECL	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-530AC134M800DGRTR	Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	121ma		तिहाई	± 7ppm	-	-	75ma
591AB670M000DG	11.1988	सराय	8607	तमामयस	SI591	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	670 तंग	LVPECL	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-591AB670M000DG	Ear99	8542.39.0001	50	अकmuth सक	125ma		तिहाई	± 25ppm	-	-	75ma
570BCA000907DGR	79.5375	सराय	8998	तमामयस	SI570	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO	106.25 तंग	LVDS	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-570BCA000907DGRTR	Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	108ma		तिहाई	± 7ppm	-	-	75ma
590PD130M560DGR	7.4659	सराय	4459	तमामयस	SI590	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	130.56	सीएमओएस	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-590PD130M560DGRTR	Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	90ma		तिहाई	± 7ppm	-	-	75ma
510KBA000268CAGR	3.4792	सराय	2970	तमामयस	SI510	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.043 ”(1.10 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	28.63636	सीएमओएस	1.8V	तंग	२ (१ सींग)	863-510KBA000268CAGRTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	26ma		तिहाई	± 25ppm	-	-	18ma
570BBB000233DG	45.6364	सराय	6122	तमामयस	SI570	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO	10 सराय	LVDS	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-570BBB000233DG	Ear99	8542.39.0001	50	अकmuth सक	108ma		तिहाई	± 20ppm	-	-	75ma
512CCB001049CAG	5.2654	सराय	9395	तमामयस	SI512	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)			6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		सीएमओएस	3.3	तंग	२ (१ सींग)	863-512CCB001049CAG	Ear99	8542.39.0001	200	अकmuth सक	26ma	0.043 ”(1.10 मिमी)	तिहाई	± 20ppm			18 सना हुआ	14.31818MHz, 17.734475MHz	-	-	-
515BCA156M250CAG	7.4659	सराय	3336	तमामयस	SI515	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.043 ”(1.10 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	कांपना	156.25 तंग	LVDS	3.3	तंग	२ (१ सींग)	863-515BCA156M250CAG	Ear99	8542.39.0001	200	अकmuth सक	26ma		तिहाई	± 20ppm	± 50ppm	-	22ma
512MBA001052CAGR	4.9490	सराय	3404	तमामयस	SI512	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)			6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		सीएमओएस, rurी	3.3	तंग	२ (१ सींग)	863-512MBA001052CAGRTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	26ma	0.043 ”(1.10 मिमी)	तिहाई	± 25ppm			18 सना हुआ	90MHz	-	-	-
570KCA002221DGR	79.5375	सराय	9241	तमामयस	SI570	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	8-कोई, कोई लीड नहीं	XO	167.33 शिरमित	सीएमएल	1.8V	तंग	1 (असीमित)	863-570KCA002221DGRTR	Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	117ma		तिहाई	± 7ppm	-	-	75ma
533AC001138DG	42.9912	सराय	5168	तमामयस	SI533	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)			6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		LVPECL	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-533AC001138DG	Ear99	8542.39.0001	50	अकmuth सक	121ma	0.071 "(1.80 मिमी)	तिहाई	± 7ppm			75 सना हुआ	402.0012MHz, 402.0022MHz	-	-	-
510CAA7M37280BAGR	3.3542	सराय	7422	तमामयस	SI510	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.050 "(1.28 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	7.3728 अराध्य	सीएमओएस	3.3	तंग	1 (असीमित)	863-510CAAAAAAAA37280BAGRTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	26ma		तिहाई	± 50ppm	-	-	18ma
515CBA32M7680CAGR	4.2410	सराय	3995	तमामयस	SI515	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.043 ”(1.10 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	कांपना	32.768 अराध्य	सीएमओएस	3.3	तंग	२ (१ सींग)	863-515CBA32M7680CAGRTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	29ma		तिहाई	± 20ppm	± 80ppm	-	22ma