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अमीर, क्योर, अयरा (66766)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ASTMHTV-120.000MHz-XC-ET | - |  | 4683 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२० सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | ||
| ASTMHTV-120.000MHz-AR-E | - | | 7784 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२० सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | ||
| ASTMHTV-120.000MHz-AK-ET | - | | 6063 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२० सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | ||
| ASTMHTV-120.000MHz-AK-E-T3 | - | | 9212 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२० सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | ||
| ASTMHTV-120.000MHz-AC-ET | - | | 5877 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२० सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | ||
| ASTMHTV-120.000MHz-ZJ-e | - | | 5305 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२० सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | ||
| ASTMHTV-120.000MHz-ZC-ET | - | | 3357 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२० सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | ||
| ASTMHTV-125.000MHz-XK-ET | - | | 3862 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२५ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | ||
| ASTMHTV-125.000MHz-XC-E-T3 | - | | 6383 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२५ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | ||
| ASTMHTV-125.000MHz-AR-ET | - | | 5893 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२५ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | ||
| ASTMHTV-125.000MHz-ZC-ET | - | | 2781 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२५ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | ||
 | ASTMUPCE-33-26.000MHz-ly-et | - | | 9718 | 0.00000000 | तमाम | ASTMUPC | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २६ सभा | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 36ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | 31ma | ||
| ASTMUPCE-33-50.000MHz-ly-et | - | | 2801 | 0.00000000 | तमाम | ASTMUPC | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५० सभा | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 36ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | 31ma | ||
 | ASTMHTA-24.000MHz-JE | - | | 4362 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २४ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 535-13229 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 8MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | 4.5MA | |
 | ASTMHTD-100.000MHz-ZJ-e | - | | 7378 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 100 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 535-13258 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 8MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | 4.5MA | |
| ASTMHTD-24.576MHz-JE | - | | 6067 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 24.576 तंग | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 8MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | 4.5MA | ||
| ASTMHTD-255.000MHz-ZJ-e | - | | 4590 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २५ सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 535-13250 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 8MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | 4.5MA | |
| ASTMHTD-48.000MHz-JE | - | | 3446 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 535-13253 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 8MA | एमईएमएस | ± 20ppm | - | 4.5MA | |
 | ASTMUPLDE-100.000MHz-ly-e | - | | 8397 | 0.00000000 | तमाम | Astmupld | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | XO | 100 सराय | LVDS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 535-13215 | Ear99 | 8542.39.0001 | 200 | अकmuth सक | 55ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | 35ma | |
 | ASTMUPCD-33-100.000MHz-LY-ET | - | | 9047 | 0.00000000 | तमाम | ASTMUPC | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 100 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 36ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | 31ma | ||
| ASTMHTD-25.000MHz-AC-E-T3 | - | | 3992 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २५ सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | ||
| ASTMHTD-255.000MHz-ZK-E-T3 | - | | 9657 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २५ सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | ||
| ASTMHTD-27.000MHz-XK-E | - | | 2992 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | ||
| ASTMHTD-27.000MHz-AR-ET | - | | 3080 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | ||
| ASTMHTD-27.000MHz-AK-E-T3 | - | | 5916 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | ||
| ASTMHTD-27.000MHz-ZJ-ET | - | | 7775 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | ||
| ASTMHTD-27.000MHz-ZJ-E-T3 | - | | 1669 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | ||
| ASTMHTD-27.000MHz-ZK-E-T3 | - | | 3875 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | ||
| ASTMHTD-27.000MHz-ZC-E | - | | 5725 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | ||
| ASTMHTD-32.000MHz-XK-E | - | | 9131 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - |
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