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अमीर, क्योर, अयरा (66766)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़सि | तक तक की स | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ASTMHTD-27.000MHz-ZJ-ET | - |  | 7775 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTD-27.000MHz-ZJ-E-T3 | - | | 1669 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTD-27.000MHz-ZK-E-T3 | - | | 3875 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-27.000MHz-ZC-E | - | | 5725 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTD-32.000MHz-XK-E | - | | 9131 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-32.000MHz-J-ET | - | | 8925 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTD-32.000MHz-AK-ET | - | | 1813 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-32.000MHz-AC-E | - | | 5991 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTD-32.000MHz-ZJ-e | - | | 2268 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTD-32.000MHz-ZR-ET | - | | 2635 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTD-32.000MHz-ZK-ET | - | | 5406 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-32.000MHz-ZC-E-T3 | - | | 6593 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTD-48.000MHz-XJ-ET | - | | 1401 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTD-48.000MHz-XR-ET | - | | 2999 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTD-48.000MHz-XK-ET | - | | 3111 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-48.000MHz-XK-E-T3 | - | | 8930 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-48.000MHz-J-ET | - | | 3713 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTD-48.000MHz-AK-E | - | | 4095 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-48.000MHz-AK-ET | - | | 4702 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-48.000MHz-AC-E | - | | 1587 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ yathaurautautun | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTD-50.000MHz-XK-E | - | | 9460 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५० सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-50.000MHz-XC-ET | - | | 9714 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५० सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTD-50.000MHz-j-et | - | | 4768 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५० सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTD-50.000MHz-AR-E | - | | 1002 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५० सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTD-50.000MHz-AR-ET | - | | 4988 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५० सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTD-50.000MHz-AK-ET | - | | 5117 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५० सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-50.000MHz-ZR-ET | - | | 6381 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५० सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTD-50.000MHz-ZK-E | - | | 5568 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ५० सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTD-66.666MHz-XJ-E | - | | 7864 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 66.666 सरायम | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTD-66.666MHz-AR-E-T3 | - | | 8056 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 66.666 सरायम | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - |
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