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अमीर, क्योर, अयरा (66766)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ASTMHTE-133.000MHz-XC-ET | - |  | 7876 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १३ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTE-133.000MHz-AK-E-T3 | - | | 2681 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १३ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTE-133.000MHz-ZJ-E-T3 | - | | 7119 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १३ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTE-14.7456MHz-AR-E-T3 | - | | 5930 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 14.7456 सरायम | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTE-14.7456MHz-AK-ET | - | | 2492 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 14.7456 सरायम | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTE-14.7456MHz-ZJ-E-T3 | - | | 6825 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 14.7456 सरायम | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTE-14.7456MHz-ZC-E-T3 | - | | 1791 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 14.7456 सरायम | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTE-16.000MHz-JE | - | | 8782 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 16 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTE-16.000MHz-ZR-E-T3 | - | | 7145 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 16 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTE-119.200MHz-XR-E | - | | 7602 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १ ९। | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTE-119.200MHz-AR-E | - | | 2364 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १ ९। | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTE-20.000MHz-XJ-e | - | | 6389 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २० सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
 | ASTMHTA-24.576MHz-XK-E | - | | 5074 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 24.576 तंग | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTA-24.576MHz-XC-ET | - | | 6251 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 24.576 तंग | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTA-24.576MHz-AR-ET | - | | 8139 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 24.576 तंग | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTA-24.576MHz-AK-ET | - | | 8886 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 24.576 तंग | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTA-24.576MHz-ZK-E-T3 | - | | 3701 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 24.576 तंग | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 30ppm | - | - | |
| ASTMHTA-24.576MHz-ZC-ET | - | | 8868 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 24.576 तंग | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTA-255.000MHz-XR-E | - | | 5653 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २५ सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTA-255.000MHz-XR-E-T3 | - | | 4169 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २५ सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTA-255.000MHz-ZJ-ET | - | | 7116 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २५ सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTA-255.000MHz-ZJ-E-T3 | - | | 9034 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २५ सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTA-255.000MHz-ZC-E-T3 | - | | 4408 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २५ सभा | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTA-27.000MHz-ZC-E | - | | 3792 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 27 सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTA-32.000MHz-XJ-E | - | | 8787 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTA-32.000MHz-XJ-E-T3 | - | | 3313 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | |
| ASTMHTA-32.000MHz-XR-E | - | | 1173 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTA-32.000MHz-XR-ET | - | | 1656 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | |
| ASTMHTA-32.000MHz-XC-E-T3 | - | | 8368 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | |
| ASTMHTA-32.000MHz-JE | - | | 8180 | 0.00000000 | तमाम | Astmht | कांपना | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ३२ सराय | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | - | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - |
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