SIC
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अमीर, क्योर, अयरा (193603)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT9121AI-2B3-25E200.000000T SiTime SIT9121AI-2B3-25E200.000000T 2.6667
सराय
 ECAD 1246 0.00000000 तमाम Sit9121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO २०० सराय LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 50ppm - - 35ma
SIT9121AI-2B2-33E100.000000T SiTime SIT9121AI-2B2-33E100.000000T 2.9327
सराय
 ECAD 5676 0.00000000 तमाम Sit9121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 100 सराय LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 25ppm - - 35ma
SIT9003AC-13-33EO-20.00000T SiTime SIT9003AC-13-33EO-20.00000T 1.1567
सराय
 ECAD 9825 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 २० सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - - 4.3 एंडा
SIT3907AC-2F-33NM-80.372250T SiTime SIT3907AC-2F-33NM-80.372250T 12.6443
सराय
 ECAD 8197 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 80.3722 सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT8208AI-GF-33E-8.000000T SiTime SIT8208AI-GF-33E-8.000000T 3.8969
सराय
 ECAD 2070 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 8 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT5000AI-8E-33N0-16.000000T SiTime SIT5000AI-8E-33N0-16.000000T 2.0815
सराय
 ECAD 1166 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 16 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT9121AI-2B2-XXE125.000000T SiTime SIT9121AI-2B2-XXE125.000000T 2.9327
सराय
 ECAD 3189 0.00000000 तमाम Sit9121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO १२५ सराय LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 25ppm - - 35ma
SIT8208AI-2F-25E-60.000000T SiTime SIT8208AI-2F-25E-60.000000T 3.8969
सराय
 ECAD 3773 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 60 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT9003AIX13-18DO-24.00000T SiTime Sit9003AIX13-18DO-24.00000T 2.0748
सराय
 ECAD 8755 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 २४ सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 3.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -0.50%, अफ़स -
SIT5002AI-8E-33VQ-135.260000T SiTime SIT5002AI-8E-33VQ-135.260000T 5.6778
सराय
 ECAD 6645 0.00000000 तमाम Sit5002 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5002 135.26 तंग HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-8E-33VQ-16.368000T SiTime SIT5000AI-8E-33VQ-16.368000T 2.0815
सराय
 ECAD 9444 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 16.368 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT3808AI-G2-33NZ-74.175824T SiTime SIT3808AI-G2-33NZ-74.175824T 7.1966
सराय
 ECAD 1602 0.00000000 तमाम Sit3808 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3808 74.175824 दार LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
SIT5002AI-2E-33VM-121.500000T SiTime SIT5002AI-2E-33VM-121.500000T 5.3958
सराय
 ECAD 4015 0.00000000 तमाम Sit5002 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5002 121.5 तंग HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5002AI-8E-33N0-102.400000T SiTime SIT5002AI-8E-33N0-102.400000T 5.6778
सराय
 ECAD 2358 0.00000000 तमाम Sit5002 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5002 102.4 तंग HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT9003AC-24-33DD-12.00000T SiTime SIT9003AC-24-33DD-12.00000T 1.1340
सराय
 ECAD 2579 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 12 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 4.1MA एमईएमएस ± 100ppm - ± 0.50%, पचुर 4.3 एंडा
SIT9001AI-44-33E1-50.00000T SiTime SIT9001AI-44-33E1-50.00000T -
सराय
 ECAD 6792 0.00000000 तमाम Sit9001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग XO Sit9001 ५० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 34ma एमईएमएस ± 100ppm - - 50
SIT5021AI-2DE-33VM125.000000T SiTime SIT5021AI-2DE-33VM125.000000T 12.1336
सराय
 ECAD 1722 0.00000000 तमाम Sit5021 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं Vctcxo Sit5021 १२५ सराय LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 55ma एमईएमएस ± 5ppm ± 25ppm - -
SIT8225AI-GF-18E-25.000000T SiTime SIT8225AI-GF-18E-2.000000T 3.8969
सराय
 ECAD 3859 0.00000000 तमाम Sit8225 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit8225 २५ सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT9003AC-23-33DQ-12.00000T SiTime SIT9003AC-23-33DQ-12.00000T 1.7388
सराय
 ECAD 3992 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000
SIT3921AI-2B2-33NE80.000000T SiTime SIT3921AI-2B2-33NE80.000000T 16.8245
सराय
 ECAD 3008 0.00000000 तमाम Sit3921 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3921 80 सराय LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 55ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
SIT5001AC-2E-33E0-24.576000T SiTime SIT5001AC-2E-33E0-24.576000T 3.9142
सराय
 ECAD 7029 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 24.576 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5021AC-2DE-33N-155.520000T SiTime SIT5021AC-2DE-33N-155.520000T 12.9449
सराय
 ECAD 7169 0.00000000 तमाम Sit5021 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit5021 155.52 तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 55ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT8208AI-8F-33E-40.000000T SiTime SIT8208AI-8F-33E-40.000000T 4.1097
सराय
 ECAD 1743 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 40 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT5001AI-2E-33VQ-16.800000T SiTime SIT5001AI-2E-33VQ-16.800000T 4.4967
सराय
 ECAD 6993 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5001 16.8 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT9121AI-2B1-33E10.000000T SiTime SIT9121AI-2B1-33E10.000000T 2.9327
सराय
 ECAD 9909 0.00000000 तमाम Sit9121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 10 सराय LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 20ppm - - 35ma
SIT8208AC-G2-18E-33.333333T SiTime SIT8208AC-G2-18E-33.33333333T 1.4148
सराय
 ECAD 8119 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 33.333333 सोरहम LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 25ppm - - 30ma
SIT3907AIP23-25NH-49.846154T SiTime SIT3907AIP23-25NH-49.846154T 5.8906
सराय
 ECAD 7824 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 49.846154 सोरहम LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
SIT5002AC-2E-33VM-100.000000T SiTime SIT5002AC-2E-33VM-100.000000T 4.6909
सराय
 ECAD 3838 0.00000000 तमाम Sit5002 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5002 100 सराय HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AC-8E-25E0-10.000000T SiTime SIT5001AC-8E-25E0-10.000000T 4.1270
सराय
 ECAD 1137 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 10 सराय LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT9121AI-2B2-25E40.000000T SiTime SIT9121AI-2B2-25E40.000000T 2.9327
सराय
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SIC
AD9208BBPZ-3000

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