SIC
close

कनम्योरक, दार, रयरी (193658)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT9367AI-2B1-33E400.000000 SiTime SIT9367AI-2B1-33E400.000000 14.0000
सराय
 ECAD 3661 0.00000000 तमाम Sit9367, rana ruircuti ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO Sit9367 ४०० सराय LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 85ma एमईएमएस ± 20ppm - - 63ma
SIT8924BA-11-33N-100.000000 SiTime SIT8924BA-11-33N-100.000000 5.2800
सराय
 ECAD 3857 0.00000000 तमाम Sit8924b कांपना शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit8924 100 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 4.8ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT1602BC-23-30N-74.250000 SiTime SIT1602BC-23-30N-74.250000 1.2600
सराय
 ECAD 6515 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 74.25 तंग HCMOS, LVCMOS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3372AI-2B3-33NU100.000000 SiTime SIT3372AI-2B3-33NU100.000000 10.1900
सराय
 ECAD 2114 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 100 सराय LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 50ppm ± 3145ppm - -
SIT3373AC-2B2-30NY345.600000 SiTime SIT3373AC-2B2-30NY345.600000 13.0000
सराय
 ECAD 3030 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना ३४५.६ तंग LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 770ppm -
SIT3373AC-1E9-30NZ256.000000 SiTime SIT3373AC-1E9-30NZ256.000000 10.9200
सराय
 ECAD 9327 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना २५६ सराय LVPECL 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 1560ppm -
SIT9120AI-1B3-XXE50.000000 SiTime SIT9120AI-1B3-XXE50.000000 4.5300
सराय
 ECAD 3961 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO ५० सभा LVPECL 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 69ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3372AC-1B2-33NE148.425787 SiTime SIT3372AC-1B2-33NE148.425787 13.0000
सराय
 ECAD 8546 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 148.425787 LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 25ppm ± 70ppm - -
SIT1602BI-71-XXS-27.000000 SiTime SIT1602BI-71-XXS-27.000000 1.5100
सराय
 ECAD 2308 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 27 सराय HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3373AC-2B9-28NG345.600000 SiTime SIT3373AC-2B9-28NG345.600000 10.9200
सराय
 ECAD 5632 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना ३४५.६ तंग LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 110ppm -
SIT2001BC-S2-33S-12.288000 SiTime SIT2001BC-S2-33S-12.288000 1.5900
सराय
 ECAD 2832 0.00000000 तमाम Sit2001b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.114 "of x 0.063" डबthuthut (2.90 मिमी x 1.60 मिमी) 0.057 "(1.45 मिमी) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 XO 12.288 अय्यर HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT5356AICFQ-30VT-10.949297 SiTime SIT5356AICFQ-30VT-10.949297 98.6200
सराय
 ECAD 6085 0.00000000 तमाम Sit5356, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo 10.949297 अय्योर सीन वेव 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 100ppb ± 6.25ppm -
SIT3372AI-4B3-28NE133.516483 SiTime SIT3372AI-4B3-28NE133.516483 8.6300
सराय
 ECAD 4726 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 133.516483 एचसीएसएल 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 50ppm ± 45ppm - -
SIT8208AC-81-33S-12.288000 SiTime SIT8208AC-81-33S-12.288000 3.4500
सराय
 ECAD 1273 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 12.288 अय्यर LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT8008BI-33-33E-4.915200 SiTime SIT8008BI-33-33E-4.915200 1.1800
सराय
 ECAD 2704 0.00000000 तमाम Sit8008b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ४. ९ १५२ सराय HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 4.2MA
SIT9120AC-2B2-25S148.351648 SiTime SIT9120AC-2B2-25S148.351648 5.3500
सराय
 ECAD 6070 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 148.351648 LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 55ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AC-81-33S-31.250000 SiTime SIT8208AC-81-33S-31.250000 3.4500
सराय
 ECAD 1636 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ३१.२५ तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT1602BC-73-25E-74.250000 SiTime SIT1602BC-73-25E-74.250000 1.2600
सराय
 ECAD 4645 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 74.25 तंग HCMOS, LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.2MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT1602BI-82-33N-65.000000 SiTime SIT1602BI-82-33N-65.000000 1.5000
सराय
 ECAD 3406 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६५ सराय HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8008AC-81-33E-24.000000 SiTime SIT8008AC-81-33E-24.000000 1.5700
सराय
 ECAD 2024 0.00000000 तमाम SIT8008 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २४ सराय HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - 4ma
SIT1602BI-83-30N-33.000000 SiTime SIT1602BI-83-30N-33.000000 1.1800
सराय
 ECAD 6930 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ३३ सराय HCMOS, LVCMOS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT1602BI-83-18E-37.500000 SiTime SIT1602BI-83-18E-37.500000 1.1800
सराय
 ECAD 3386 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 37.5 तंग HCMOS, LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8924AA-72-XXN-20.000000 SiTime SIT8924AA-72-XXN-20.000000 4.4900
सराय
 ECAD 8509 0.00000000 तमाम Sit8924 कांपना शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q100 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २० सभा LVCMOS, LVTTL 2.5V ~ 3.3V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - 4.8ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT1602BI-82-XXE-6.000000 SiTime SIT1602BI-82-XXE-6.000000 1.5000
सराय
 ECAD 1382 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६ सराय HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT2001BC-S2-33E-24.000000 SiTime SIT2001BC-S2-33E-24.000000 1.5900
सराय
 ECAD 8744 0.00000000 तमाम Sit2001b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.114 "of x 0.063" डबthuthut (2.90 मिमी x 1.60 मिमी) 0.057 "(1.45 मिमी) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 XO २४ सराय HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8008AC-83-33E-64.000000 SiTime SIT8008AC-83-33E-64.000000 1.1600
सराय
 ECAD 8155 0.00000000 तमाम SIT8008 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६४ तंग HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 4ma
SIT1602BC-82-18E-14.000000 SiTime SIT1602BC-82-18E-14.000000 1.4700
सराय
 ECAD 5454 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १४ सराय HCMOS, LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AI-32-28S-50.000000 SiTime SIT8208AI-32-28S-50.000000 3.1700
सराय
 ECAD 9467 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ५० सभा LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AI-33-18E-20.000000 SiTime SIT8208AI-33-18E-20.000000 2.5000
सराय
 ECAD 3299 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २० सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT1602BC-83-18E-4.000000 SiTime SIT1602BC-83-18E-4.000000 1.1600
सराय
 ECAD 8721 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ४ सभ्य HCMOS, LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें