SIC
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अमीर, क्योर, अयरा (193603)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT3907AC-22-33NH-24.000000Y SiTime SIT3907AC-22-33NH-24.000000Y 5.9956
सराय
 ECAD 4412 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 २४ सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 34ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
SIT9121AI-2B2-XXE125.000000Y SiTime SIT9121AI-2B2-XXE125.000000Y 3.0065
सराय
 ECAD 2728 0.00000000 तमाम Sit9121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO १२५ सराय LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 25ppm - - 35ma
SIT3907AC-2F-33NM-78.336000Y SiTime SIT3907AC-2F-33NM-78.336000Y 8.9948
सराय
 ECAD 2254 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 78.336 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT8208AI-2F-33E-48.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-48.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 4286 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ४ yathaurautautun LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT3907AI-22-33NH-24.576000Y SiTime SIT3907AI-22-33NH-24.576000Y 6.4718
सराय
 ECAD 2173 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 24.576 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 34ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
SIT8208AI-GF-18E-20.000000Y SiTime SIT8208AI-GF-18E-20.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 5425 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २० सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-2F-25E-60.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-25E-60.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 9233 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 60 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT9121AI-2B1-33E148.500000Y SiTime SIT9121AI-2B1-33E148.500000Y 2.9768
सराय
 ECAD 9640 0.00000000 तमाम Sit9121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 148.5 तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 20ppm - - 35ma
SIT8208AI-2F-33E-25.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-2.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 2353 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT5002AI-8E-33VQ-145.523333Y SiTime SIT5002AI-8E-33VQ-145.523333Y 7.3895
सराय
 ECAD 2312 0.00000000 तमाम Sit5002 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5002 145.523333 HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5002AI-8E-33VQ-135.260000Y SiTime SIT5002AI-8E-33VQ-135.260000Y 5.6778
सराय
 ECAD 8155 0.00000000 तमाम Sit5002 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5002 135.26 तंग HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-8E-33VQ-40.000000Y SiTime SIT5000AI-8E-33VQ-40.000000Y 2.1910
सराय
 ECAD 1454 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 40 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AI-GE-33E0-33.330000Y SiTime SIT5001AI-GE-33E0-33.330000Y 4.4967
सराय
 ECAD 4369 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 ३३.३३ सरायम LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000ACC8E-33VQ-19.200000Y SiTime SIT5000ACC8E-33VQ-119.200000Y 1.9807
सराय
 ECAD 2231 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 १ ९। LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT8208AI-2F-33E-8.192000Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-8.192000Y 3.9359
सराय
 ECAD 5983 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 8.192 अफ़रपित LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT9003AC-23-18EB-26.00000Y SiTime SIT9003AC-23-18EB-26.00000Y 1.2187
सराय
 ECAD 7680 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 २६ सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3.5MA एमईएमएस ± 50ppm - - 0.8μA
SIT5002AI-2E-33VM-121.500000Y SiTime SIT5002AI-2E-33VM-121.500000Y 5.3958
सराय
 ECAD 3161 0.00000000 तमाम Sit5002 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5002 121.5 तंग HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT9003ACZ14-18ED-48.00000Y SiTime Sit9003acz14-18ed-48.00000y 1.1948
सराय
 ECAD 7592 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 ४ yathaurautautun LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 3.5MA एमईएमएस ± 100ppm - - 0.8μA
SIT5021AI-2DE-33VM148.500000Y SiTime SIT5021AI-2DE-33VM148.500000Y 13.4210
सराय
 ECAD 7110 0.00000000 तमाम Sit5021 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं Vctcxo Sit5021 148.5 तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 55ma एमईएमएस ± 5ppm ± 25ppm - -
SIT8225AI-GF-18E-25.000000Y SiTime SIT8225AI-GF-18E-2.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 3608 0.00000000 तमाम Sit8225 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit8225 २५ सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT5001AC-3E-33N0-40.000000Y SiTime SIT5001AC-3E-33N0-40.000000Y 4.1270
सराय
 ECAD 9806 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 40 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-33E0-22.579200Y SiTime SIT5001AC-2E-33E0-22.579200Y 3.9142
सराय
 ECAD 3703 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 22.5792 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5001AC-2E-18N0-37.125000Y SiTime SIT5001AC-2E-18N0-37.125000Y 3.9142
सराय
 ECAD 6603 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 37.125 तंग LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 31ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-33N0-54.000000Y SiTime SIT5001AC-2E-33N0-54.000000Y 3.9142
सराय
 ECAD 6799 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 ५४ तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AI-2E-33VQ-51.840000Y SiTime SIT5001AI-2E-33VQ-51.840000Y 4.4967
सराय
 ECAD 4328 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5001 ५१.8४ तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT3822AI-1BF-33NM500.000000Y SiTime SIT3822AI-1BF-33NM500.000000Y -
सराय
 ECAD 4394 0.00000000 तमाम Sit3822 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3822 ५०० तंग LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 69ma एमईएमएस ± 10ppm - - 35ma
SIT8208AI-3F-18S-33.333330Y SiTime SIT8208AI-3F-18S-33.333330Y 4.1097
सराय
 ECAD 4812 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 33.33333 सोरप्युर LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 10μA
SIT8208AI-3F-18S-25.000000Y SiTime SIT8208AI-3F-18S-2.000000Y 4.1097
सराय
 ECAD 1529 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 10μA
SIT5001AC-8E-33N0-12.500000Y SiTime SIT5001AC-8E-33N0-12.500000Y 4.1270
सराय
 ECAD 8430 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 12.5 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT8208AC-G3-25S-80.000000Y SiTime SIT8208AC-G3-25S-80.000000Y 1.2906
सराय
 ECAD 3919 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 80 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
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    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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