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Sit9121ai-2b2-25e80.000000y	2.9768	सराय	8497	तमाम	Sit9121	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		80 सराय	LVDS	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	55ma	एमईएमएस	± 25ppm	-	-	35ma
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Sit9121ai-2b2-xxe100.000000y	2.9768	सराय	6492	तमाम	Sit9121	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		100 सराय	LVDS	2.25V ~ 3.63V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	55ma	एमईएमएस	± 25ppm	-	-	35ma
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Sit9121ai-2b3-33e24.576000y	2.7068	सराय	9575	तमाम	Sit9121	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		24.576 तंग	LVDS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	55ma	एमईएमएस	± 50ppm	-	-	35ma
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SIT9156AI-2CF-25E156.250000Y	20.4754	सराय	9144	तमाम	Sit9156	R टेप ray ryील (ther)	नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO	Sit9156	156.25 तंग	LVDS	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	55ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	-
SIT9001AI-43-33E1-100.00000T	-	सराय	7583	तमाम	Sit9001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, अयस्कता से तंग	XO	Sit9001	100 सराय	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	34ma	एमईएमएस	± 50ppm	-	-	50
SIT9001AC-44-33E2-50.00000T	-	सराय	3754	तमाम	Sit9001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, अयस्कता से तंग	XO	Sit9001	५० सभा	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	34ma	एमईएमएस	± 100ppm	-	-	50
SIT9003AI-13-33DO-2.00000T	1.3720	सराय	3110	तमाम	Sit9003	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	Sit9003	२५ सभा	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	-	4.1MA	एमईएमएस	± 50ppm	-	-0.50%, अफ़स	4.3 एंडा
SIT9001AC-43-33E4-66.00000T	-	सराय	4611	तमाम	Sit9001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, अयस्कता से तंग	XO	Sit9001	६६ सराय	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	34ma	एमईएमएस	± 50ppm	-	-	50
SIT9001AC-43-33D6-24.06000T	-	सराय	8531	तमाम	Sit9001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, अयस्कता से तंग	XO	Sit9001	२४.०६ तंग	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	-	27ma	एमईएमएस	± 50ppm	-	-0.50%, अफ़स	50
SIT9001AI-44-33E1-66.00000T	-	सराय	3785	तमाम	Sit9001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, अयस्कता से तंग	XO	Sit9001	६६ सराय	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	34ma	एमईएमएस	± 100ppm	-	-	50
SIT9003AC-24-33ED-24.00000T	1.1340	सराय	1392	तमाम	Sit9003	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	Sit9003	२४ सभा	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	4.1MA	एमईएमएस	± 100ppm	-	-	4.3 एंडा
SIT9003AC-13-33DD-32.00000T	1.1340	सराय	2507	तमाम	Sit9003	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	Sit9003	३२ सराय	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	-	4.1MA	एमईएमएस	± 50ppm	-	± 0.50%, पचुर	4.3 एंडा
SIT9001AI-44-33E1-40.00000T	-	सराय	8821	तमाम	Sit9001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, अयस्कता से तंग	XO	Sit9001	40 सराय	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	34ma	एमईएमएस	± 100ppm	-	-	50
SIT9003AC-23-33ED-12.00000T	1.1340	सराय	1351	तमाम	Sit9003	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	Sit9003	12 सराय	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	4.1MA	एमईएमएस	± 50ppm	-	-	4.3 एंडा
SIT9003AC-23-33SO-33.33000T	1.7388	सराय	8532	तमाम	Sit9003	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	Sit9003	३३.३३ सरायम	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	4.1MA	एमईएमएस	± 50ppm	-	-	4.3 एंडा
SIT9001AI-44-33E1-16.00000T	-	सराय	4180	तमाम	Sit9001	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, अयस्कता से तंग	XO	Sit9001	16 सराय	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	27ma	एमईएमएस	± 100ppm	-	-	50