SIC
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अफ़म (2089)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
FST16040 GeneSiC Semiconductor FST16040 75.1110
सराय
 ECAD 6832 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab schottky To-249ab तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FST16040GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 160 ए (डीसी) 750 mV @ 160 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR80100 GeneSiC Semiconductor MBR80100 21.1680
सराय
 ECAD 9276 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR80100GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 80 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 80 ए -
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor Mur10005ctr -
सराय
 ECAD 3413 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Mur10005ctrgn Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 50 वी 50 ए 1.3 वी @ 50 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR8060 GeneSiC Semiconductor MBR8060 21.1680
सराय
 ECAD 3813 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR8060GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 80 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 80 ए -
GKN240/18 GeneSiC Semiconductor GKN240/18 73.7088
सराय
 ECAD 6070 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum GKN240 तमाम DO-205AB (DO-9) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1800 वी 1.5 वी @ 60 ए २२ सदा -55 ° C ~ 150 ° C 165 ए -
S300BR GeneSiC Semiconductor S300BR 63.8625
सराय
 ECAD 2398 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum एस 300 तंग, तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S300BRGN Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.2 वी @ 300 ए 10 µA @ 100 वी -60 ° C ~ 200 ° C 300 ए -
MBRTA80030 GeneSiC Semiconductor MBRTA80030 -
सराय
 ECAD 9680 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 400 ए 720 mV @ 400 ए 1 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MURH7005 GeneSiC Semiconductor Muh7005 -
सराय
 ECAD 3695 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 तमाम डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 70 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
GKR13012 GeneSiC Semiconductor GKR13012 37.6023
सराय
 ECAD 8899 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE GKR130 तमाम DO-205AA (DO-8) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.5 वी @ 60 ए २२ सदाबहार @ १२०० -40 ° C ~ 180 ° C 165 ए -
GKR26/16 GeneSiC Semiconductor GKR26/16 -
सराय
 ECAD 9036 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.55 वी @ 60 ए 4 सना हुआ @ 1600 वी -40 ° C ~ 180 ° C 25 ए -
GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252 2.3475
सराय
 ECAD 8544 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 GC05MPS12 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 5 ए 0 एनएस 4 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 27 ए 359pf @ 1V, 1MHz
MBRH12020 GeneSiC Semiconductor MBRH12020 60.0375
सराय
 ECAD 5487 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRH12020GN Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 650 mV @ 120 ए 4 सना हुआ @ 20 वी 120 ए -
1N4595R GeneSiC Semiconductor 1N4595R 35.5695
सराय
 ECAD 7086 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N4595R तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.5 वी @ 150 ए 4 सना हुआ @ 1200 वी -60 ° C ~ 200 ° C 150A -
MBR12040CT GeneSiC Semiconductor MBR12040CT 68.8455
सराय
 ECAD 6776 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR12040 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1024 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 120 ए (डीसी) 650 mV @ 120 ए 3 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N4593 GeneSiC Semiconductor 1N4593 35.5695
सराय
 ECAD 8887 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N4593 तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N4593GN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.5 वी @ 150 ए ५.५ पन्ना @ ०० वी ०० -60 ° C ~ 200 ° C 150A -
MBRF60045 GeneSiC Semiconductor MBRF60045 -
सराय
 ECAD 5131 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 300 ए (डीसी) 650 mV @ 300 ए 10 सना हुआ @ 20 वी -40 ° C ~ 175 ° C
1N1200A GeneSiC Semiconductor 1N1200A 6.3300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N1200 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1065 Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 12 ए -
FR6G05 GeneSiC Semiconductor Fr6g05 4.9020
सराय
 ECAD 6711 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr6g05gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.4 वी @ 6 ए 500 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
UFT10040 GeneSiC Semiconductor UFT10040 -
सराय
 ECAD 2930 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab तमाम To-249ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 50 ए 1.3 वी @ 50 ए 70 एनएस 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60080CTR GeneSiC Semiconductor MBR60080CTR 129.3585
सराय
 ECAD 4484 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR60080 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR60080CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 300 ए 880 mV @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60030R GeneSiC Semiconductor MBRF60030R -
सराय
 ECAD 1325 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 300 ए (डीसी) 650 mV @ 300 ए 10 सना हुआ @ 20 वी -40 ° C ~ 175 ° C
MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor MBR12060CTR 68.8455
सराय
 ECAD 4537 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR12060 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1083 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 120 ए (डीसी) 750 एमवी @ 60 ए 3 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S25K GeneSiC Semiconductor S25K 5.2485
सराय
 ECAD 4962 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S25KGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
FR85JR05 GeneSiC Semiconductor FR85JR05 27.9100
सराय
 ECAD 19 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.4 वी @ 85 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 85 ए -
MBR30030CTR GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR 94.5030
सराय
 ECAD 6989 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR30030 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR30030CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 150A 650 mV @ 150 ए 8 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S6K GeneSiC Semiconductor S6K 3.8625
सराय
 ECAD 8238 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S6KGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
1N3289A GeneSiC Semiconductor 1N3289A 33.5805
सराय
 ECAD 1299 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N3289 तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3289AGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.5 वी @ 100 ए 24 सना हुआ @ 200 वी -40 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
MBRT40040RL GeneSiC Semiconductor MBRT40040RL -
सराय
 ECAD 1556 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 200A 600 एमवी @ 200 ए 3 सना हुआ @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N3889R GeneSiC Semiconductor 1N3889R 9.3600
सराय
 ECAD 176 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3889R तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1108 Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.4 वी @ 12 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
MBRT30035RL GeneSiC Semiconductor MBRT30035RL -
सराय
 ECAD 9463 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 35 वी 150A 600 एमवी @ 150 ए 3 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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