SIC
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अफ़म (2089)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
MUR40040CTR GeneSiC Semiconductor Mur40040CTR 132.0780
सराय
 ECAD 1374 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MUR40040 तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR40040CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 400 वी 200A 1.3 वी @ 125 ए 150 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J 6.4200
सराय
 ECAD 733 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA GD30MPS06 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-7 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GD30MPS06J Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी -55 ° C ~ 175 ° C 51 ए 735pf @ 1V, 1MHz
MBRT60035RL GeneSiC Semiconductor MBRT60035RL -
सराय
 ECAD 1306 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 35 वी 300 ए 600 mV @ 300 ए 3 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S6J GeneSiC Semiconductor एस 6 जे 3.8625
सराय
 ECAD 9714 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S6JGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-220 -
सराय
 ECAD 3495 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 GB01SLT12 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 1 ए 0 एनएस 2 @a @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 69pf @ 1V, 1MHz
MBRTA50020R GeneSiC Semiconductor MBRTA50020R -
सराय
 ECAD 2232 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 150 वी 250A 880 mV @ 250 ए 4 सना हुआ @ 150 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S6G GeneSiC Semiconductor एस 6 जी 3.8625
सराय
 ECAD 8196 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S6GGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H 8.1700
सराय
 ECAD 7530 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1242-GD10MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1700 वी 1.8 वी @ 10 ए 0 एनएस 20 µA @ 1700 वी -55 ° C ~ 175 ° C 26A 721pf @ 1V, 1MHz
S40BR GeneSiC Semiconductor S40BR 7.6470
सराय
 ECAD 3587 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अफ़सीर Do-203ab, do-5, s सmunt एस 40 बी तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S40BRGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 190 ° C 40 ए -
S12BR GeneSiC Semiconductor S12BR 4.2345
सराय
 ECAD 2679 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt एस 12 बी तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S12BRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 12 ए -
MBR30045CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30045CTRL -
सराय
 ECAD 6242 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 150A 600 एमवी @ 150 ए 5 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT12030 GeneSiC Semiconductor MBRT12030 75.1110
सराय
 ECAD 5559 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT12030GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 60 ए 750 एमवी @ 60 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2540 GeneSiC Semiconductor Mur2540 10.1910
सराय
 ECAD 5493 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Mur2540gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 25 ए 75 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 25 ए -
MURF40060 GeneSiC Semiconductor MURF40060 -
सराय
 ECAD 5200 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab तमाम To-244 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 200A 1.7 वी @ 200 ए 240 एनएस 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
GE2X10MPS06D GeneSiC Semiconductor GE2X10MPS06D -
सराय
 ECAD 8002 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 Ge2x10 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GE2X10MPS06D Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 23 ए (डीसी) -55 ° C ~ 175 ° C
MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor MBR120100CTR 68.8455
सराय
 ECAD 5300 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR120100 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR120100CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 120 ए (डीसी) 840 mV @ 60 ए 3 सना हुआ @ 20 वी
MUR5010R GeneSiC Semiconductor Mur5010r 21.3900
सराय
 ECAD 158 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MUR5010 तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1097 Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 50 ए 75 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 50 ए -
1N1186 GeneSiC Semiconductor 1N1186 6.2320
सराय
 ECAD 7278 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N1186 तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N1186GN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 35 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 190 ° C 35 ए -
MBRF60080R GeneSiC Semiconductor MBRF60080R -
सराय
 ECAD 4000 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 300 ए 840 mV @ 250 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S6GR GeneSiC Semiconductor S6GR 3.8625
सराय
 ECAD 5310 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt एस 6 जी तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S6grgn Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
S150K GeneSiC Semiconductor S150K 35.5695
सराय
 ECAD 5944 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE S150 तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S150KGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.2 वी @ 150 ए 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 150A -
MBRT20060R GeneSiC Semiconductor MBRT20060R 102.9600
सराय
 ECAD 152 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT20060 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT20060RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 60 वी 100 ए 800 mV @ 100 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S85Y GeneSiC Semiconductor S85Y 12.2460
सराय
 ECAD 8502 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S85YGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.1 वी @ 85 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 85 ए -
FR85BR02 GeneSiC Semiconductor FR85BR02 24.1260
सराय
 ECAD 6816 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR85BR02GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.4 वी @ 85 ए 200 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 85 ए -
MBRF120100 GeneSiC Semiconductor MBRF120100 -
सराय
 ECAD 4438 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 60 ए 840 mV @ 60 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N 33.8900
सराय
 ECAD 246 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस GD2X Sic (सिलिकॉन antairchama) एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GD2X30MPS12N Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) २ सभ्य 1200 वी 52 ए (डीसी) -55 ° C ~ 175 ° C
GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H 12.7400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 GD60 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग 1 (असीमित) 1242-GD60MPS06H Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.8 वी @ 60 ए 0 एनएस 10 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 82 ए 1463pf @ 1V, 1MHz
1N2131A GeneSiC Semiconductor 1N2131A 8.9025
सराय
 ECAD 9503 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N2131 तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1105 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 60 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 60 ए -
MURF10010 GeneSiC Semiconductor MURF10010 -
सराय
 ECAD 3603 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab तमाम To-244 - 1 (असीमित) Murf10010gn Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 50 ए 1.3 वी @ 50 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MUR7020 GeneSiC Semiconductor MUR7020 17.5905
सराय
 ECAD 7661 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1014 Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 70 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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