SIC
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अफ़म (2089)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
FST16045L GeneSiC Semiconductor FST16045L -
सराय
 ECAD 3751 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab schottky To-249ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 80 ए 600 mV @ 80 ए 3 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FR40D02 GeneSiC Semiconductor Fr40d02 12.8985
सराय
 ECAD 3748 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr40d02gn Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 40 ए 200 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
SD4145 GeneSiC Semiconductor SD4145 13.4625
सराय
 ECAD 4983 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt schottky डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 680 mV @ 30 ए 1.5 सना -55 ° C ~ 150 ° C 30 ए -
MBRH20020 GeneSiC Semiconductor MBRH20020 70.0545
सराय
 ECAD 8075 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRH20020GN Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 650 एमवी @ 200 ए 5 सना हुआ @ 20 वी 200A -
150KR20A GeneSiC Semiconductor 150KR20A 35.5695
सराय
 ECAD 3386 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 150KR20AGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.33 वी @ 150 ए 35 पायल @ 200 वी -40 ° C ~ 200 ° C 150A -
MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor MBR500200CTR -
सराय
 ECAD 3102 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 250A 920 mV @ 250 ए 3 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FST12060 GeneSiC Semiconductor FST12060 70.4280
सराय
 ECAD 9427 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab schottky To-249ab तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fst12060gn Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 120 ए (डीसी) 750 एमवी @ 120 ए 2 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH24035 GeneSiC Semiconductor MBRH24035 76.4925
सराय
 ECAD 1573 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 720 एमवी @ 240 ए 1 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
FR30D02 GeneSiC Semiconductor FR30D02 10.4070
सराय
 ECAD 6600 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR30D02GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 30 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -40 ° C ~ 125 ° C 30 ए -
MBRH12035 GeneSiC Semiconductor MBRH12035 60.0375
सराय
 ECAD 7925 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRH12035GN Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 650 mV @ 120 ए 4 सना हुआ @ 20 वी 120 ए -
1N3879 GeneSiC Semiconductor 1N3879 7.1300
सराय
 ECAD 799 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3879 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1087 Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.4 वी @ 6 ए 200 एनएस 15 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
MURH7010R GeneSiC Semiconductor मुह 7010R 49.5120
सराय
 ECAD 4172 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 मुह 7010 तमाम डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 70 ए 75 एनएस 25 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
GKN240/04 GeneSiC Semiconductor GKN240/04 59.0066
सराय
 ECAD 2686 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum GKN240 तमाम DO-205AB (DO-9) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.4 वी @ 60 ए 60 सना हुआ @ 400 वी -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
1N3889 GeneSiC Semiconductor 1N3889 9.3000
सराय
 ECAD 65 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3889 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1048 Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.4 वी @ 12 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
MBR2X060A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A080 46.9860
सराय
 ECAD 4237 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X060 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 80 वी 60 ए 840 mV @ 60 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -40 ° C ~ 150 ° C
GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H 244.8500
सराय
 ECAD 275 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1242-GC50MPS33H Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 3300 वी 0 एनएस 175 ° C 50 ए -
DB157G GeneSiC Semiconductor DB157G 0.2325
सराय
 ECAD 6626 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB157 तमाम तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DB157GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 1000 V 1.5 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
MBRF500100 GeneSiC Semiconductor MBRF500100 -
सराय
 ECAD 5385 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 250A 840 mV @ 250 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA50060 GeneSiC Semiconductor MURTA50060 174.1546
सराय
 ECAD 5201 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MURTA50060GN Ear99 8541.10.0080 24 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 250A 1.7 वी @ 250 ए 250 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT20035 GeneSiC Semiconductor MBRT20035 98.8155
सराय
 ECAD 6905 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1103 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 100 ए 750 mV @ 100 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT150100AD GeneSiC Semiconductor MSRT150100AD 51.0360
सराय
 ECAD 3366 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT150 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1000 वी 150A 1.1 वी @ 150 ए 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30080 GeneSiC Semiconductor MBRF30080 -
सराय
 ECAD 7730 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab MBRF3008 schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 150A 840 mV @ 150 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA200100D GeneSiC Semiconductor MSRTA200100D 142.3575
सराय
 ECAD 4542 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA200 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA200100D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1000 वी 200A 1.1 वी @ 200 ए 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60060R GeneSiC Semiconductor MBRT60060R 140.2020
सराय
 ECAD 5079 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT60060 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT60060RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 60 वी 300 ए 800 mV @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30045 GeneSiC Semiconductor MBRF30045 -
सराय
 ECAD 3307 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab MBRF3004 schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 150A 700 एमवी @ 150 ए 1 पायल @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H 18.0100
सराय
 ECAD 5751 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1242-GD25MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1700 वी 1.8 वी @ 25 ए 0 एनएस 20 µA @ 1700 वी -55 ° C ~ 175 ° C 56 ए 1083pf @ 1V, 1MHz
1N3883R GeneSiC Semiconductor 1N3883R 7.3900
सराय
 ECAD 178 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3883R तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1020 Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.4 वी @ 6 ए 200 एनएस 15 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
MBRT600150R GeneSiC Semiconductor MBRT600150R 140.2020
सराय
 ECAD 5698 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT600150 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 150 वी 300 ए 880 mV @ 300 ए 1 पायल @ 150 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH24020R GeneSiC Semiconductor MBRH24020R 76.4925
सराय
 ECAD 1125 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 MBRH24020 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 720 एमवी @ 240 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
FST12080 GeneSiC Semiconductor FST12080 70.4280
सराय
 ECAD 5683 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab schottky To-249ab तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FST12080GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 120 ए (डीसी) 840 mV @ 120 ए 2 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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