SIC
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अफ़म (2089)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
FR16B05 GeneSiC Semiconductor FR16B05 8.1330
सराय
 ECAD 5774 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR16B05GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.4 वी @ 16 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
FST7340M GeneSiC Semiconductor FST7340M -
सराय
 ECAD 4494 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3m schottky D61-3m - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 35 ए 700 एमवी @ 35 ए 1 पायल @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR400100CT GeneSiC Semiconductor MBR400100CT 102.9600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR400100 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1022 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 200A 840 mV @ 200 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
सराय
 ECAD 4814 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR30BR02GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 30 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -40 ° C ~ 125 ° C 30 ए -
MBRT40030R GeneSiC Semiconductor MBRT40030R 118.4160
सराय
 ECAD 3425 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT40030 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT40030RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 200A 750 एमवी @ 200 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N3765 GeneSiC Semiconductor 1N3765 6.2320
सराय
 ECAD 5017 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3765 तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3765GN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 700 वी 1.2 वी @ 35 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 190 ° C 35 ए -
MBRT600150 GeneSiC Semiconductor MBRT600150 140.2020
सराय
 ECAD 7951 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 300 ए 880 mV @ 300 ए 1 पायल @ 150 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FST8345M GeneSiC Semiconductor FST8345M -
सराय
 ECAD 2024 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3m schottky D61-3m तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 80 ए (डीसी) 650 mV @ 80 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
सराय
 ECAD 9641 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT50040RGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 250A 750 एमवी @ 250 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA200140AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200140AD 85.9072
सराय
 ECAD 3875 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRTA200 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1400 वी 200A 1.1 वी @ 200 ए 10 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR8060R GeneSiC Semiconductor MBR8060R 22.1985
सराय
 ECAD 9797 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR8060 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR8060RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 80 ए 1 पायल @ 60 वी -55 ° C ~ 160 ° C 80 ए -
MBRH20035L GeneSiC Semiconductor MBRH20035L -
सराय
 ECAD 3931 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 600 एमवी @ 200 ए 3 सना हुआ @ 200 वी 200A -
FR6M05 GeneSiC Semiconductor Fr6m05 5.0745
सराय
 ECAD 8511 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr6m05gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.4 वी @ 6 ए 500 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
1N5830R GeneSiC Semiconductor 1N5830R 14.8695
सराय
 ECAD 5324 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N5830R शोट्की, रयरी डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N5830RGN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 25 वी 580 mV @ 25 ए 2 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 25 ए -
MBR2X080A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A150 48.6255
सराय
 ECAD 8545 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X080 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 150 वी 80 ए 880 mV @ 80 ए 3 gay @ 150 वी -40 ° C ~ 150 ° C
MBRF12035R GeneSiC Semiconductor MBRF12035R -
सराय
 ECAD 4524 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 35 वी 60 ए 700 एमवी @ 60 ए 1 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60045RL GeneSiC Semiconductor MBRT60045RL -
सराय
 ECAD 6544 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 300 ए 600 mV @ 300 ए 5 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT120200 GeneSiC Semiconductor MBRT120200 75.1110
सराय
 ECAD 9437 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 60 ए 920 mV @ 60 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X030A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A060 40.2435
सराय
 ECAD 2253 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X030 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 60 वी 30 ए 750 एमवी @ 30 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60030L GeneSiC Semiconductor MBRTA60030L -
सराय
 ECAD 8845 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 300 ए 580 mV @ 300 ए 1 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N5830 GeneSiC Semiconductor 1N5830 14.0145
सराय
 ECAD 2616 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N5830 schottky डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N5830GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 25 वी 580 mV @ 25 ए 2 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 25 ए -
GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247 -
सराय
 ECAD 6000 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 GB05MPS17 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-1342 Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1700 वी 1.8 वी @ 5 ए 0 एनएस 6 µa @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 25 ए 334pf @ 1V, 1MHz
GKN26/14 GeneSiC Semiconductor GKN26/14 -
सराय
 ECAD 2241 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.55 वी @ 60 ए 4 सना हुआ @ 1400 वी -40 ° C ~ 180 ° C 25 ए -
MBRT40040L GeneSiC Semiconductor MBRT40040L -
सराय
 ECAD 6219 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 200A 600 एमवी @ 200 ए 3 सना हुआ @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6020R GeneSiC Semiconductor MBR6020R 21.3105
सराय
 ECAD 3641 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR6020 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR6020RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 650 एमवी @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
1N3214R GeneSiC Semiconductor 1N3214R 7.0650
सराय
 ECAD 9573 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3214R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1003 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.5 वी @ 15 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
MBRT40060 GeneSiC Semiconductor MBRT40060 118.4160
सराय
 ECAD 3228 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT40060GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 200A 800 एमवी @ 200 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N 24.2385
सराय
 ECAD 2827 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस GD2X Sic (सिलिकॉन antairchama) एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GD2X30MPS06N Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) २ सभ्य 650 वी 42 ए (डीसी) -55 ° C ~ 175 ° C
GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N 40.4900
सराय
 ECAD 585 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस GD2X Sic (सिलिकॉन antairchama) एसओटी -227 तंग 1 (असीमित) 1242-GD2X60MPS06N Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) २ सभ्य 650 वी 70 ए (डीसी) 1.8 वी @ 60 ए 0 एनएस 10 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA -
सराय
 ECAD 6268 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-257-3 1N8032 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-257 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.3 वी @ 2.5 ए 0 एनएस 5 @a @ 650 V -55 ° C ~ 250 ° C 2.5a 274pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

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