SIC
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अफ़म (2089)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
BR101 GeneSiC Semiconductor BR101 0.9555
सराय
 ECAD 2926 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, BR-10 तमाम BR-10 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) BR101GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 5 ए 10 µA @ 100 वी 10 ए सिंगल फेज़ 100 वी
BR1005 GeneSiC Semiconductor BR1005 0.9555
सराय
 ECAD 4502 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, BR-10 तमाम BR-10 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) BR1005GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 5 ए 10 µa @ 50 वी 10 ए सिंगल फेज़ 50 वी
S6JR GeneSiC Semiconductor S6JR 3.8625
सराय
 ECAD 8621 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt एस 6 जे तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S6JRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
MBR8045R GeneSiC Semiconductor MBR8045R 25.9300
सराय
 ECAD 30 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR8045 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 650 mV @ 80 ए 1 पायल @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C 80 ए -
GBU10D GeneSiC Semiconductor GBU10D 1.6300
सराय
 ECAD 61 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU10 तमाम जीबीयू तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 10 ए 5 µa @ 200 वी 10 ए सिंगल फेज़ 200 वी
FR30A02 GeneSiC Semiconductor FR30A02 10.4070
सराय
 ECAD 1833 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR30A02GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 30 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -40 ° C ~ 125 ° C 30 ए -
S25B GeneSiC Semiconductor S25B 5.2485
सराय
 ECAD 3484 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S25BGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
FR40DR05 GeneSiC Semiconductor FR40DR05 13.8360
सराय
 ECAD 9779 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR40DR05GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 40 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214 2.5700
सराय
 ECAD 37 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB GB01SLT12 Sic (सिलिकॉन antairchama) SMB (DO-214AA) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 1 ए 0 एनएस 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2.5a 69pf @ 1V, 1MHz
MBRT20080 GeneSiC Semiconductor MBRT20080 98.8155
सराय
 ECAD 3151 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT20080GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100 ए 880 mV @ 100 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S25G GeneSiC Semiconductor S25G 5.2485
सराय
 ECAD 1181 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S25GGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor MU20060CTR 101.6625
सराय
 ECAD 5262 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MUR20060 तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 600 वी 100 ए 1.7 वी @ 50 ए 110 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FST8360M GeneSiC Semiconductor FST8360M -
सराय
 ECAD 4354 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3m schottky D61-3m तंग 1 (असीमित) FST8360MGN Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 80 ए (डीसी) 750 एमवी @ 80 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor MBR400100CTR 102.9600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR400100 शोट्की, रयरी सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1106 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 100 वी 200A 840 mV @ 200 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60020R GeneSiC Semiconductor MBRTA60020R -
सराय
 ECAD 6358 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 20 वी 300 ए 580 mV @ 300 ए 3 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC2501T GeneSiC Semiconductor GBPC2501T 2.5335
सराय
 ECAD 9670 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-rirch, gbpc GBPC2501 तमाम जीबीपीसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 12.5 ए 5 µA @ 100 वी 25 ए सिंगल फेज़ 100 वी
FR20J02 GeneSiC Semiconductor Fr20j02 9.0510
सराय
 ECAD 7702 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR20J02GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 20 ए 250 एनएस 25 µa @ 50 वी -40 ° C ~ 125 ° C 20 ए -
GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 -
सराय
 ECAD 6547 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 GB02SLT12 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-252 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 2 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए 131pf @ 1V, 1MHz
MBRT60020 GeneSiC Semiconductor MBRT60020 140.2020
सराय
 ECAD 8188 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT60020GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 300 ए 750 एमवी @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA40020 GeneSiC Semiconductor Murta40020 159.9075
सराय
 ECAD 2399 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 200A 1.3 वी @ 200 ए 25 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20040 GeneSiC Semiconductor MBRH20040 70.0545
सराय
 ECAD 4092 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRH20040GN Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 650 एमवी @ 200 ए 5 सना हुआ @ 20 वी 200A -
MBR30040CTL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTL -
सराय
 ECAD 4948 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 150A 600 एमवी @ 150 ए 3 सना हुआ @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220 -
सराय
 ECAD 2459 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 GC08MPS12 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-1328 Ear99 8541.10.0080 8,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 8 ए 0 एनएस 7 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 43 ए 545pf @ 1V, 1MHz
KBU6J GeneSiC Semiconductor Kbu6j 0.7035
सराय
 ECAD 1631 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBU Kbu6 तमाम KBU तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbu6jgn Ear99 8541.10.0080 400 1 वी @ 6 ए 10 µa @ 50 वी 6 ए सिंगल फेज़ 600 वी
KBL602G GeneSiC Semiconductor KBL602G 0.5805
सराय
 ECAD 8316 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, केबीएल Kbl602 तमाम Kbl तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbl602ggn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 6 ए 5 µA @ 100 वी 6 ए सिंगल फेज़ 100 वी
KBU6B GeneSiC Semiconductor Kbu6b 1.7600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBU Kbu6 तमाम KBU तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 400 1 वी @ 6 ए 10 µa @ 50 वी 6 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GBL01 GeneSiC Semiconductor GBL01 2.9400
सराय
 ECAD 8872 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, जीबीएल तमाम जीबीएल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Gbl01gn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 4 ए 5 µA @ 100 वी 4 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GBPC2510W GeneSiC Semiconductor GBPC2510W 4.2000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, gbpc-w GBPC2510 तमाम जीबीपीसी-डब तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1293 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 12.5 ए 5 µA @ 1000 V 25 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GBPC2510T GeneSiC Semiconductor GBPC2510T 2.5335
सराय
 ECAD 4213 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, gbpc GBPC2510 तमाम जीबीपीसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 12.5 ए 5 µA @ 1000 V 25 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GBPC3506W GeneSiC Semiconductor GBPC3506W 2.8650
सराय
 ECAD 1659 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, gbpc-w GBPC3506 तमाम जीबीपीसी-डब तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) GBPC3506WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 17.5 ए 5 µA @ 600 V 35 ए सिंगल फेज़ 600 वी
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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