SIC
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अफ़म (2089)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
MBR12040CT GeneSiC Semiconductor MBR12040CT 68.8455
सराय
 ECAD 6776 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR12040 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1024 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 120 ए (डीसी) 650 mV @ 120 ए 3 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT150120AD GeneSiC Semiconductor MSRT150120AD 71.6012
सराय
 ECAD 8971 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT150 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1200 वी 150A 1.1 वी @ 150 ए 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ15M GeneSiC Semiconductor GBJ15M 0.7875
सराय
 ECAD 8438 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ15 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ15M Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 ए 5 µA @ 1000 V 15 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
MBR7580 GeneSiC Semiconductor MBR7580 20.8845
सराय
 ECAD 8966 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR7580GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 840 mV @ 75 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C 75 ए -
1N3293AR GeneSiC Semiconductor 1N3293AR 33.5805
सराय
 ECAD 5372 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N3293AR तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3293ARGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.5 वी @ 100 ए 17 सना हुआ @ 600 वी -40 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
S6MR GeneSiC Semiconductor S6MR 3.8625
सराय
 ECAD 4228 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt एस 6 एम तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S6MRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
GBJ6B GeneSiC Semiconductor Gbj6b 0.6645
सराय
 ECAD 9226 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ6 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ6B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 3 ए 5 µA @ 100 वी 6 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GBJ35D GeneSiC Semiconductor GBJ35D 1.6410
सराय
 ECAD 5407 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ35 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ35D Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µa @ 200 वी 35 ए सिंगल फेज़ 200 वी
MBR50035CT GeneSiC Semiconductor MBR50035CT -
सराय
 ECAD 3595 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR50035CTGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 250A 750 एमवी @ 250 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S300DR GeneSiC Semiconductor S300DR 63.8625
सराय
 ECAD 7570 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum एस 300 तंग, तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S300DRGN Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 300 ए 10 µA @ 100 वी -60 ° C ~ 200 ° C 300 ए -
GKN130/16 GeneSiC Semiconductor GKN130/16 35.3677
सराय
 ECAD 6548 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE GKN130 तमाम DO-205AA (DO-8) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.5 वी @ 60 ए २२ सदाबहार @ १६०० -40 ° C ~ 180 ° C 165 ए -
MURTA20040 GeneSiC Semiconductor MURTA20040 145.3229
सराय
 ECAD 3322 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 100 ए 1.3 वी @ 100 ए 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
S40Y GeneSiC Semiconductor S40Y 8.4675
सराय
 ECAD 8792 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S40YGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 160 ° C 40 ए -
S150QR GeneSiC Semiconductor S150QR 35.5695
सराय
 ECAD 1469 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE S150 तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.2 वी @ 150 ए 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 150A -
GBJ6J GeneSiC Semiconductor Gbj6j 0.6645
सराय
 ECAD 4675 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ6 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ6J Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 3 ए 5 µA @ 600 V 6 ए सिंगल फेज़ 600 वी
1N5828R GeneSiC Semiconductor 1N5828R 13.3005
सराय
 ECAD 9803 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N5828R शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N5828RGN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 15 ए 10 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 15 ए -
DB153G GeneSiC Semiconductor DB153G 0.2325
सराय
 ECAD 7910 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB153 तमाम तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DB153GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µa @ 200 वी 1.5 ए सिंगल फेज़ 200 वी
GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS12N 82.9100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 अफ़र्याशियस एमएसपी नली शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस GD2X Sic (सिलिकॉन antairchama) एसओटी -227 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1242-GD2X100MPS12N Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) २ सभ्य 1200 वी 136 ए (डीसी) 1.8 वी @ 100 ए 0 एनएस 25 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GBJ30G GeneSiC Semiconductor GBJ30G 1.1205
सराय
 ECAD 5909 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ30 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ30G Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 15 ए 5 @a @ 400 वी 30 ए सिंगल फेज़ 400 वी
GBPC3502T GeneSiC Semiconductor GBPC3502T 4.6200
सराय
 ECAD 676 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-yrigh, GBPC-T GBPC3502 तमाम जीबीपीसी-जीबीपीसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 12.5 ए 5 µa @ 200 वी 35 ए सिंगल फेज़ 200 वी
GBPC15010T GeneSiC Semiconductor GBPC15010T 1.8979
सराय
 ECAD 8514 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-yrigh, GBPC-T GBPC15010 तमाम जीबीपीसी-जीबीपीसी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 7.5 ए 5 µA @ 1000 V 15 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GBU6A GeneSiC Semiconductor Gbu6a 0.5385
सराय
 ECAD 6749 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU6 तमाम जीबीयू तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Gbu6agn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 6 ए 5 µa @ 50 वी 6 ए सिंगल फेज़ 50 वी
MSRT100100D GeneSiC Semiconductor MSRT100100D 87.1935
सराय
 ECAD 4135 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT100 तमाम तीन ray तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRT100100D Ear99 8541.10.0080 40 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1000 वी 100 ए 1.1 वी @ 100 ए 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
KBPC25005W GeneSiC Semiconductor KBPC25005W 2.2995
सराय
 ECAD 3128 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से ४-yri, केबीपीसी-डब KBPC25005 तमाम केबीपीसी-डब तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 12.5 ए 5 µa @ 50 वी 25 ए सिंगल फेज़ 50 वी
GBJ25M GeneSiC Semiconductor GBJ25M 0.9795
सराय
 ECAD 5052 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ25 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ25M Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 ए 10 µA @ 1000 V 25 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
S300E GeneSiC Semiconductor एस 300E 63.8625
सराय
 ECAD 8223 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum एस 300 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S300EGNE Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.2 वी @ 300 ए 10 µA @ 100 वी -60 ° C ~ 200 ° C 300 ए -
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
सराय
 ECAD 652 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3892 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1035 Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.4 वी @ 12 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
S300ER GeneSiC Semiconductor S300ER 63.8625
सराय
 ECAD 4379 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum एस 300 तंग, तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S300ERGN Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.2 वी @ 300 ए 10 µA @ 100 वी -60 ° C ~ 200 ° C 300 ए -
1N5829 GeneSiC Semiconductor 1N5829 14.0145
सराय
 ECAD 1994 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N5829 schottky डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N5829GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 580 mV @ 25 ए 2 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 25 ए -
MBRH12045 GeneSiC Semiconductor MBRH12045 60.0375
सराय
 ECAD 1810 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRH12045GN Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 650 mV @ 120 ए 4 सना हुआ @ 20 वी 120 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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