SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - पthirraurोध @ yur, एफ
KBU1002 GeneSiC Semiconductor KBU1002 0.8205
सराय
ECAD 3939 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBU तमाम KBU तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbu1002gn Ear99 8541.10.0080 400 1.05 वी @ 10 ए 10 µa @ 200 वी 10 ए सिंगल फेज़ 200 वी
KBU1008 GeneSiC Semiconductor KBU1008 0.8205
सराय
ECAD 3343 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBU तमाम KBU तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbu1008gn Ear99 8541.10.0080 400 1.05 वी @ 10 ए 10 µa @ 800 V 10 ए सिंगल फेज़ 800 वी
M3P100A-160 GeneSiC Semiconductor M3P100A-160 -
सराय
ECAD 6564 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur ५-मॉड तमाम 5-एसएमडी - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 1.15 वी @ 100 ए 10 सना हुआ @ 1600 वी 100 ए तीन फ़ेज़ 1.6 केवी
M3P75A-120 GeneSiC Semiconductor M3P75A-120 -
सराय
ECAD 5618 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला ५-मॉड तमाम 5-एसएमडी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 1.15 वी @ 75 ए 10 µA @ 1200 V 75 ए तीन फ़ेज़ 1.2 केवी
MBR60060CTR GeneSiC Semiconductor MBR60060CTR 129.3585
सराय
ECAD 7033 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR60060 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR60060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 60 वी 300 ए 800 mV @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA60060A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060A 109.2000
सराय
ECAD 8253 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRTA60060 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 600 ए (डीसी) 1.2 वी @ 600 ए 25 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C
MSRTA500140A GeneSiC Semiconductor MSRTA500140A 101.4000
सराय
ECAD 9378 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRTA500140 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1400 वी 500 ए (डीसी) 1.2 वी @ 500 ए 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
KBPC5008W GeneSiC Semiconductor KBPC5008W 2.5875
सराय
ECAD 5375 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से ४-yri, केबीपीसी-डब KBPC5008 तमाम केबीपीसी-डब तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 25 ए 5 µA @ 800 V 50 ए सिंगल फेज़ 800 वी
FR12MR05 GeneSiC Semiconductor FR12MR05 7.0500
सराय
ECAD 1218 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR12MR05GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.4 वी @ 12 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
MBRF500200 GeneSiC Semiconductor MBRF500200 -
सराय
ECAD 8829 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 250A 920 mV @ 250 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC5004T GeneSiC Semiconductor GBPC5004T 4.0155
सराय
ECAD 3326 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-rirch, gbpc GBPC5004 तमाम जीबीपीसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 वी @ 25 ए 5 @a @ 400 वी 50 ए सिंगल फेज़ 400 वी
GBJ25B GeneSiC Semiconductor GBJ25B 0.9795
सराय
ECAD 1534 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ25 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ25B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 ए 10 µA @ 100 वी 25 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GBJ30M GeneSiC Semiconductor GBJ30M 1.1205
सराय
ECAD 4017 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ30 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ30M Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 15 ए 5 µA @ 1000 V 30 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GBJ35K GeneSiC Semiconductor GBJ35K 1.6410
सराय
ECAD 4294 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ35 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ35K Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µa @ 800 V 35 ए सिंगल फेज़ 800 वी
GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 561.0000
सराय
ECAD 4 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) AXIAL GA01PNS150 - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1258 Ear99 8541.10.0080 10 1 ए 7PF @ 1000V, 1MHz पिन - एकल 15000V -
KBPC50005W GeneSiC Semiconductor KBPC50005W 2.5875
सराय
ECAD 9569 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से ४-yri, केबीपीसी-डब KBPC50005 तमाम केबीपीसी-डब तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 25 ए 5 µa @ 50 वी 50 ए सिंगल फेज़ 50 वी
KBPM210G GeneSiC Semiconductor Kbpm210g -
सराय
ECAD 2438 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम तमाम KBPM तंग 1 (असीमित) तमाम Kbpm210ggn Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 वी @ 2 ए 5 µa @ 50 वी 2 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
MBRH30040L GeneSiC Semiconductor MBRH30040L -
सराय
ECAD 1619 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 600 mV @ 300 ए 5 सना हुआ @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C 300 ए -
GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 13.3500
सराय
ECAD 740 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 GC50MPS06 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-1346 Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 50 ए -
MBRTA600100 GeneSiC Semiconductor MBRTA600100 -
सराय
ECAD 5305 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 300 ए 840 mV @ 300 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N5833R GeneSiC Semiconductor 1N5833R 19.7895
सराय
ECAD 5744 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N5833R शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N5833RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 40 ए २० सना हुआ @ १० -65 ° C ~ 150 ° C 40 ए -
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E 2.0500
सराय
ECAD 6948 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ कट कट टेप (सीटी) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 GE06MPS06 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी -55 ° C ~ 175 ° C 17 ए 279pf @ 1V, 1MHz
GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 -
सराय
ECAD 3661 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA GB05MPS17 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-7 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GB05MPS17-263 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1700 वी -55 ° C ~ 175 ° C 18 ए 470pf @ 1V, 1MHz
MBRH24080 GeneSiC Semiconductor MBRH24080 76.4925
सराय
ECAD 7509 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 840 mV @ 240 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252 3.9210
सराय
ECAD 5850 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 GC10MPS12 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 10 ए 0 एनएस 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 50 ए 660pf @ 1V, 1MHz
S12QR GeneSiC Semiconductor S12QR 4.2345
सराय
ECAD 9111 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt S12Q तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S12QRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 12 ए -
MBR2X050A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A045 43.6545
सराय
ECAD 9844 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X050 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 45 वी 50 ए 700 एमवी @ 50 ए 1 पायल @ 45 वी -40 ° C ~ 150 ° C
FST16040L GeneSiC Semiconductor FST16040L -
सराय
ECAD 6440 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab schottky To-249ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 80 ए 600 mV @ 80 ए 2 सना हुआ @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6020 GeneSiC Semiconductor MBR6020 20.2695
सराय
ECAD 4290 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR6020GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 650 एमवी @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
MURF40010 GeneSiC Semiconductor Murf40010 -
सराय
ECAD 6036 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab तमाम To-244 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 200A 1 वी @ 200 ए 150 एनएस 25 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम