SIC
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अफ़म (2089)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 -
सराय
 ECAD 3661 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA GB05MPS17 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-7 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GB05MPS17-263 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1700 वी -55 ° C ~ 175 ° C 18 ए 470pf @ 1V, 1MHz
MBRH24080 GeneSiC Semiconductor MBRH24080 76.4925
सराय
 ECAD 7509 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 840 mV @ 240 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
S12QR GeneSiC Semiconductor S12QR 4.2345
सराय
 ECAD 9111 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt S12Q तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S12QRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 12 ए -
MBRF50035 GeneSiC Semiconductor MBRF50035 -
सराय
 ECAD 1963 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 250A 750 एमवी @ 250 ए 1 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W08M -
सराय
 ECAD 7436 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirchur, WOM तमाम कांपना तंग 1 (असीमित) 2W08MGN Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 वी @ 2 ए 10 µa @ 800 V 2 ए सिंगल फेज़ 800 वी
FR16JR02 GeneSiC Semiconductor FR16JR02 8.5020
सराय
 ECAD 4354 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr16jr02gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 900 mV @ 16 ए 250 एनएस 25 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
S12KR GeneSiC Semiconductor S12KR 4.2345
सराय
 ECAD 2976 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt S12K तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S12KRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 12 ए -
MBRF40035 GeneSiC Semiconductor MBRF40035 -
सराय
 ECAD 1303 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) MBRF40035GN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 200A 650 एमवी @ 200 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH15045L GeneSiC Semiconductor MBRH15045L -
सराय
 ECAD 6212 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 600 एमवी @ 150 ए 5 सना हुआ @ 45 वी 150A -
MURF30005 GeneSiC Semiconductor Murf30005 -
सराय
 ECAD 5572 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab तमाम To-244 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 150A 1 वी @ 150 ए 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X120A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A120 51.8535
सराय
 ECAD 1302 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X120 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 120 वी 120 ए 880 mV @ 120 ए 3 सना हुआ @ 120 वी -40 ° C ~ 150 ° C
1N3289AR GeneSiC Semiconductor 1N3289AR 33.5805
सराय
 ECAD 1862 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N3289AR तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3289ARGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.5 वी @ 100 ए 24 सना हुआ @ 200 वी -40 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
1N5834 GeneSiC Semiconductor 1N5834 18.7230
सराय
 ECAD 8087 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N5834 schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N5834GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 590 mV @ 40 ए २० सना हुआ @ १० -65 ° C ~ 150 ° C 40 ए -
BR82 GeneSiC Semiconductor BR82 0.8910
सराय
 ECAD 6917 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-8 तमाम बी rur -8 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) BR82GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 4 ए 10 µa @ 200 वी 8 ए सिंगल फेज़ 200 वी
FR6JR02 GeneSiC Semiconductor Fr6jr02 5.1225
सराय
 ECAD 5751 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr6jr02gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.4 वी @ 6 ए 250 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
MURH10040 GeneSiC Semiconductor MUH10040 49.5120
सराय
 ECAD 1384 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 तमाम डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Muh10040gn Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 100 ए 90 एनएस 25 µa @ 50 वी 100 ए -
GBJ35G GeneSiC Semiconductor GBJ35G 1.6410
सराय
 ECAD 5702 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ35 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ35G Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µA @ 400 V 35 ए सिंगल फेज़ 400 वी
MUR7020R GeneSiC Semiconductor Mur7020r 17.7855
सराय
 ECAD 9716 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MUR7020 तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Mur7020rgn Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 70 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
MBR2X080A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A060 48.6255
सराय
 ECAD 7179 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X080 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 60 वी 80 ए 750 एमवी @ 80 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 150 ° C
GKR130/08 GeneSiC Semiconductor GKR130/08 35.2590
सराय
 ECAD 5808 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE GKR130 तमाम DO-205AA (DO-8) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.5 वी @ 60 ए 22 सना हुआ @ 800 वी -40 ° C ~ 180 ° C 165 ए -
MBRF60045R GeneSiC Semiconductor MBRF60045R -
सराय
 ECAD 5037 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 300 ए (डीसी) 650 mV @ 300 ए 10 सना हुआ @ 20 वी -40 ° C ~ 175 ° C
MBRTA500150R GeneSiC Semiconductor MBRTA500150R -
सराय
 ECAD 5347 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 150 वी 250A 880 mV @ 250 ए 4 सना हुआ @ 150 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF600100R GeneSiC Semiconductor MBRF600100R -
सराय
 ECAD 3566 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 100 वी 250A 840 mV @ 250 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30035 GeneSiC Semiconductor MBRF30035 -
सराय
 ECAD 2001 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab MBRF3003 schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 150A 700 एमवी @ 150 ए 1 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MUR40010CT GeneSiC Semiconductor MUR40010CT 132.0780
सराय
 ECAD 3476 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MUR40010 तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR40010CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 200A 1.3 वी @ 125 ए 90 एनएस 25 µa @ 50 वी
BR32 GeneSiC Semiconductor BR32 0.5700
सराय
 ECAD 8222 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-3 तमाम BR-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) BR32GN Ear99 8541.10.0080 200 1 वी @ 1.5 ए 10 µa @ 200 वी 3 ए सिंगल फेज़ 200 वी
S40Q GeneSiC Semiconductor S40Q 10.3200
सराय
 ECAD 791 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 190 ° C 40 ए -
S150MR GeneSiC Semiconductor S150MR 35.5695
सराय
 ECAD 7281 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE S150 तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S150MRGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.2 वी @ 150 ए 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 150A -
MBR2X060A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A060 46.9860
सराय
 ECAD 3411 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X060 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 60 वी 60 ए 750 एमवी @ 60 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 150 ° C
MBR3580R GeneSiC Semiconductor MBR3580R 15.1785
सराय
 ECAD 8931 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt MBR3580 शोट्की, रयरी डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR3580RGN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 840 mV @ 35 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 35 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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