SIC
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अफ़म (2089)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
FR12B05 GeneSiC Semiconductor FR12B05 6.7605
सराय
 ECAD 5646 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR12B05GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 800 mV @ 12 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
MSRT250120A GeneSiC Semiconductor MSRT250120A 54.2296
सराय
 ECAD 9058 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT250120 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 250 ए (डीसी) 1.2 वी @ 250 ए 15 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20080CTR GeneSiC Semiconductor MBR20080CTR 90.1380
सराय
 ECAD 2712 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR20080 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR20080CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 200 ए (डीसी) 840 mV @ 100 ए 5 सना हुआ @ 20 वी
FR6BR02 GeneSiC Semiconductor Fr6br02 5.1225
सराय
 ECAD 9494 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr6br02gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.4 वी @ 6 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
MBR30035CT GeneSiC Semiconductor MBR30035CT 94.5030
सराय
 ECAD 8692 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR30035 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1050 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 150A 650 mV @ 150 ए 8 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA50040R GeneSiC Semiconductor MBRTA50040R -
सराय
 ECAD 8132 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 250A 700 एमवी @ 250 ए 1 पायल @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40040CTL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTL -
सराय
 ECAD 4528 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 200A 600 एमवी @ 200 ए 3 सना हुआ @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF20030R GeneSiC Semiconductor MBRF20030R -
सराय
 ECAD 2084 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 100 ए 700 एमवी @ 100 ए 1 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S25G GeneSiC Semiconductor S25G 5.2485
सराय
 ECAD 1181 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S25GGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
MSRT10060AD GeneSiC Semiconductor MSRT10060AD 54.0272
सराय
 ECAD 1569 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT100 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 600 वी 100 ए 1.1 वी @ 100 ए 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
S70YR GeneSiC Semiconductor S70YR 10.2225
सराय
 ECAD 8638 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt S70Y तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S70YGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.1 वी @ 70 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor Ge10mps06e 2.7700
सराय
 ECAD 9292 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ कट कट टेप (सीटी) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Ge10mps06 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी -55 ° C ~ 175 ° C 26A 466pf @ 1V, 1MHz
1N5827 GeneSiC Semiconductor 1N5827 12.4155
सराय
 ECAD 9767 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N5827 schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N5827GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 470 mV @ 15 ए 10 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 15 ए -
MBRT30045RL GeneSiC Semiconductor MBRT30045RL -
सराय
 ECAD 6044 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 150A 600 एमवी @ 150 ए 3 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S6JR GeneSiC Semiconductor S6JR 3.8625
सराय
 ECAD 8621 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt एस 6 जे तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S6JRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
MBRT12080R GeneSiC Semiconductor MBRT12080R 75.1110
सराय
 ECAD 2011 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT12080 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT12080RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 60 ए 880 mV @ 60 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N 55.7100
सराय
 ECAD 262 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस GD2X Sic (सिलिकॉन antairchama) एसओटी -227 तंग 1 (असीमित) 1242-GD2X25MPS17N Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) २ सभ्य 1700 वी 50 ए (डीसी) 1.8 वी @ 25 ए 0 एनएस 20 µA @ 1700 वी -55 ° C ~ 175 ° C
FR20D02 GeneSiC Semiconductor Fr20d02 9.0510
सराय
 ECAD 3677 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr20d02gn Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 20 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -40 ° C ~ 125 ° C 20 ए -
MURTA60040 GeneSiC Semiconductor MURTA60040 188.1435
सराय
 ECAD 8920 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Murta60040gn Ear99 8541.10.0080 24 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 300 ए 1.5 वी @ 300 ए 220 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X120A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A150 51.8535
सराय
 ECAD 8472 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X120 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 150 वी 120 ए 880 mV @ 120 ए 3 gay @ 150 वी -40 ° C ~ 150 ° C
S25QR GeneSiC Semiconductor S25QR 5.2485
सराय
 ECAD 4089 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt S25Q तंग, तमाम - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S25QRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
MBR60040CT GeneSiC Semiconductor MBR60040CT 129.3585
सराय
 ECAD 9934 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR60040 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1007 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 300 ए 750 एमवी @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MURF10020R GeneSiC Semiconductor MURF10020R -
सराय
 ECAD 9568 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab तमाम To-244 - 1 (असीमित) MURF10020RGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 50 ए 1.3 वी @ 50 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FST6380M GeneSiC Semiconductor FST6380M -
सराय
 ECAD 9771 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3m schottky D61-3m - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 30 ए 840 mV @ 30 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N3209R GeneSiC Semiconductor 1N3209R 7.0650
सराय
 ECAD 3843 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3209R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3209RGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.5 वी @ 15 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
S85Q GeneSiC Semiconductor S85Q 15.0400
सराय
 ECAD 597 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1031 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.1 वी @ 85 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
FST6335M GeneSiC Semiconductor FST6335M -
सराय
 ECAD 1926 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3m schottky D61-3m - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 30 ए 700 एमवी @ 30 ए 1 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GKR26/08 GeneSiC Semiconductor GKR26/08 -
सराय
 ECAD 8755 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.55 वी @ 60 ए 4 सना हुआ @ 800 वी -40 ° C ~ 180 ° C 25 ए -
MBRF60030 GeneSiC Semiconductor MBRF60030 -
सराय
 ECAD 8323 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 300 ए (डीसी) 650 mV @ 300 ए 10 सना हुआ @ 20 वी -40 ° C ~ 175 ° C
MBR40035CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40035CTRL -
सराय
 ECAD 7966 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 35 वी 200A 600 एमवी @ 200 ए 3 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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