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स्याह (453)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SML4728-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. SML4728-T/R 0.0900
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-SML4728-T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 3.3 वी 10 ओम
KBL404 EIC SEMICONDUCTOR INC. Kbl404 1.1300
सराय
 ECAD 500 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, केबीएल तमाम Kbl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-KBL404 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 4 ए 10 µA @ 400 V 4 ए सिंगल फेज़ 400 वी
BR3504W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3504W 2.5900
सराय
 ECAD 600 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yirch, BR-50W तमाम BR-50W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR3504W 8541.10.0000 40 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µA @ 400 V 35 ए सिंगल फेज़ 400 वी
1N757AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N757AT/R 0.0300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N757AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 9.1 वी 10 ओम
BR3500 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3500 2.6600
सराय
 ECAD 500 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR3500 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µa @ 50 वी 35 ए सिंगल फेज़ 50 वी
BR2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2502 2.6300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR2502 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µa @ 200 वी 25 ए सिंगल फेज़ 200 वी
BR1006 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1006 0.9800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, BR-10 BR1006 तमाम BR-10 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR1006 8541.10.0000 200 1.1 वी @ 5 ए 10 µA @ 600 V 10 ए सिंगल फेज़ 600 वी
FBR5006 EIC SEMICONDUCTOR INC. FBR5006 4.4000
सराय
 ECAD 599 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FBR5006 8541.10.0000 50 1.3 वी @ 25 ए 10 µA @ 600 V 50 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BR2501 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2501 2.7400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR2501 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µA @ 100 वी 25 ए सिंगल फेज़ 100 वी
FR305BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR305BULK 0.2100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR305BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 3 ए 250 एनएस 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1N4738ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738ABULK 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4738ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 6 V 8.2 वी 4.5 ओम
1N5397T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5397T/R 0.0400
सराय
 ECAD 55 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5397T/RTR 8541.10.0000 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
1N5400T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5400T/R 0.0900
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5400T/RTR 8541.10.0000 1,250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 3 ए 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 28PF @ 4V, 1MHz
1N4756A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756A 0.1800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4756A 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 35.8 V 47 वी 80 ओम
1N5253BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5253BULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5253BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 100 सवार @ 19 वी 25 वी 35 ओम
1N5238BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5238BULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5238BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 3 µA @ 6.5 V 8.7 वी 8 ओम
1N5230BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5230BT/R 0.0400
सराय
 ECAD 50 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5230BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 2 वी 4.7 वी 19 ओम
1N5395T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5395T/R 0.0400
सराय
 ECAD 35 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5395T/RTR 8541.10.0000 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
1N4738AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738AT/R 0.0500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4738AT/R 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 6 V 8.2 वी 4.5 ओम
1N5233BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5233BULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5233BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 3.5 V 6 वी 7 ओम
1N4750AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4750AT/R 0.0600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4750AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 20.6 V 27 वी 35 ओम
1N4749BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749BULK 0.1800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4749BULK 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 18.2 V 24 वी 25 ओम
1N4005BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4005BULK 0.1300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4005BULK 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N4728ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728ABULK 0.1500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4728ABULK 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 3.3 वी 10 ओम
RBV1508 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1508 1.6000
सराय
 ECAD 800 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1508 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 7.5 ए 10 µa @ 800 V 15 ए सिंगल फेज़ 800 वी
RBV1502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1502 1.5100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1502 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 7.5 ए 10 µa @ 200 वी 15 ए सिंगल फेज़ 200 वी
RBV1504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1504 1.9000
सराय
 ECAD 600 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1504 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 7.5 ए 10 µA @ 400 V 15 ए सिंगल फेज़ 400 वी
RBV5006 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5006 3.0000
सराय
 ECAD 400 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV5006 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 25 ए 10 µA @ 600 V 50 ए सिंगल फेज़ 600 वी
RBV806 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV806 1.2500
सराय
 ECAD 100 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV806 8541.10.0000 100 1 वी @ 4 ए 10 µA @ 600 V 8 ए सिंगल फेज़ 600 वी
RBV5004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5004 3.0000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV5004 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 25 ए 10 µA @ 400 V 50 ए सिंगल फेज़ 400 वी
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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