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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BYD13JBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD13JBULK 0.2100
सराय
ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut कांपना Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BYD13JBULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.05 वी @ 1 ए 1 @a @ 600 वी 175 ° C 1.4 ए -
HER301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her301bulk 0.2400
सराय
ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER301BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
HER306T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER306T/R 0.2000
सराय
ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER306T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 3 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
BY255 EIC SEMICONDUCTOR INC. BY255 0.2500
सराय
ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-by255 8541.10.0000 1,250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1300 वी 1.1 वी @ 3 ए 20 µA @ 1300 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
SN1K EIC SEMICONDUCTOR INC. SN1K 0.0382
सराय
ECAD 45 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-SN1KTR 8541.10.0000 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1 वी @ 1 ए 2 µs 2 @a @ 800 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 30pf @ 4v, 1MHz
1N4007 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007 0.1300
सराय
ECAD 17 0.00000000 कांपोरी - कड़ा शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4007 8541.10.0000 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
SB390-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SB390-BULK 0.4000
सराय
ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-SB390-BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 790 mV @ 3 ए 500 µA @ 500 µv -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
1N5229BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5229BULK 0.1800
सराय
ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5229BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 22 ओम
FR207BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR207BULK 0.2800
सराय
ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT तमाम DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR207BULK 8541.10.0000 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 2 ए 500 एनएस 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 2 ए 15pf @ 4v, 1MHz
1N5247BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5247BT/R 0.0400
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5247BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 13 वी 17 वी 19 ओम
1N5391T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5391T/R 0.0400
सराय
ECAD 25 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5391T/RTR 8541.10.0000 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
HER303T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER303T/R 0.1700
सराय
ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER303T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
10A05 EIC SEMICONDUCTOR INC. 10A05 0.2900
सराय
ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से डी -6, lectun तमाम D6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-10A05TR 800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 10 ए 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 10 ए 80pf @ 4v, 1MHz
ESJA04-03A EIC SEMICONDUCTOR INC. ESJA04-03A 0.6500
सराय
ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से AXIAL तमाम एम 1 ए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-ESJA04-03A 8541.10.0000 300 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 3000 वी 12 वी @ 10 एमए 80 एनएस 2 @a @ 3000 V 120 ° C (अधिकतम) 1ma -
1N752ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N752ABULK 0.2100
सराय
ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N752ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 1 वी 5.6 वी 11 ओम
1N4734AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4734AT/R 0.0650
सराय
ECAD 15 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4734AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µA @ 2 वी 5.6 वी 5 ओम
RGP02-16E-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-16E-T/R 0.1600
सराय
ECAD 100 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RGP02-16E-T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.8 वी @ 100 एमए 300 एनएस 5 µA @ 1600 वी -65 ° C ~ 150 ° C 500ma 5pf @ 4v, 1MHz
1N5936BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5936BT/R 0.0600
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5936BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 .a @ 22.8 V 30 वी 26 ओम
1N5237BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5237BULK 0.1800
सराय
ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5237BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 3 µA @ 6.5 V 8.2 वी 8 ओम
BYD13MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD13MBULK 0.2100
सराय
ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut कांपना Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BYD13MBULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.05 वी @ 1 ए 1 @a @ 1000 V 175 ° C 1.4 ए -
HER103BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her103bulk 0.2100
सराय
ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER103BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
FR106BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR106BULK 0.2100
सराय
ECAD 37 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR106BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
FR307T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Fr307t/r 0.1600
सराय
ECAD 7 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR307T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 3 ए 500 एनएस 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1N4748AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4748AT/R 0.0600
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4748AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 16.7 V 22 वी 23 ओम
FR301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR301BULK 0.2100
सराय
ECAD 7 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR301BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
SML4759A EIC SEMICONDUCTOR INC. Sml4759a 0.0462
सराय
ECAD 30 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-SML4759ATR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 47.1 V 62 वी 125 ओम
1N4745A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4745A 0.5750
सराय
ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4745ATR 8541.10.0000 4,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 @a @ 12.2 V 16 वी 16 ओम
1N5339B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5339B 0.2600
सराय
ECAD 30 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5339BTR Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 1 ए 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 1 ओम
1N5399T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5399T/R 0.0400
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5399T/RTR 8541.10.0000 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
BR610 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR610 0.3900
सराय
ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-6 तमाम बी rur -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-BR610 8541.10.0000 200 1 वी @ 3 ए 10 µA @ 1000 V 6 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम